마이크로웨이브모노리식집적회로용주파수혼합기
    1.
    发明授权
    마이크로웨이브모노리식집적회로용주파수혼합기 失效
    用于微波单片集成电路的混频器

    公开(公告)号:KR100345456B1

    公开(公告)日:2002-10-25

    申请号:KR1019980049843

    申请日:1998-11-19

    Abstract: 본 발명은 적은 소비전력, 낮은 잡음특성, 높은 이득 및 단자들 간의 우수한 신호 분리성 및 작은 크기를 가진 고주파 대역에서 동작하는 마이크로웨이브 모노리식 집적회로용 주파수 혼합기를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 주파수 혼합기에 있어서, 국부 발진자 신호 및 고주파 신호를 각각 입력받는 제1 및 제2 정합 회로부; 상기 제1 및 제2 정합 회로부로부터 각각 출력되는 주파수 신호를 입력받아 혼합하여 새로운 주파수 성분을 가지는 중간 주파 신호로 변환 출력하는 주파수 코아 회로부; 및 상기 주파수 코아 회로부로부터 출력되는 중간 주파 신호를 저대역 필터링하여 최종 중간 주파 신호로 출력하는 저대역 여파 회로부를 포함하며, 상기 주파수 코아 회로부는, 상기 제1 및 제2 정합 회로부로부터 각각 출력되는 상기 국부 발진자 신호 및 상기 고주파 신호를 인가받는, 캐스코드 형태로 이루어진 입력 수단; 상기 입력 수단으로부터의 상기 국부 발진자 신호 및 상기 고주파 신호에 응답하여 증폭 동작을 수행한 후 상보적인 상기 중간 주파 신호를 출력하기 위한 증폭 수단; 및 상기 증폭 수단으로부터의 상기 상보적인 중간 주파 신호를 입력받아 동위상 신호를 제거한 후 주파수를 혼합하여 상기 저대역 여파 회로부로 출력하기 위한 출력 정합 수단을 포함한다.

    초고주파 회로 및 초고주파 시스템의 안정도 판정방법
    2.
    发明公开
    초고주파 회로 및 초고주파 시스템의 안정도 판정방법 失效
    超高频电路和超高频系统稳定性决策方法

    公开(公告)号:KR1020010017269A

    公开(公告)日:2001-03-05

    申请号:KR1019990032699

    申请日:1999-08-10

    Abstract: PURPOSE: A decision method of stability for super-high frequency circuit and super-high frequency system is provided to be used in analyzing small and great signal and decide the margins of a gain and a phase to refer the decision in designing. CONSTITUTION: In the first step(30), a voltage gain is calculated using a scattering variable of a 2 terminal network. In the second step(40), the size and phase of the gain are calculated from the voltage gain due to the scattering variable. In the third step(50-70), the margins of the gain and the phase are calculated from the calculated gain and phase and are compared with a predetermined margin permitted value to decide whether the stability is satisfied in accordance with the comparison result.

    Abstract translation: 目的:提供超高频电路和超高频系统的稳定性决策方法,用于分析小信号和大信号,并确定增益和相位的余量以参考设计中的决策。 构成:在第一步(30)中,使用2端子网络的散射变量计算电压增益。 在第二步骤(40)中,增益的大小和相位由于散射变量由电压增益计算。 在第三步骤(50-70)中,从计算的增益和相位计算增益和相位的余量,并与预定的余量允许值进行比较,以根据比较结果来确定是否满足稳定性。

    래치를 이용한 준 다이나믹 분주기
    3.
    发明授权
    래치를 이용한 준 다이나믹 분주기 失效
    动力分配器使用拉力

    公开(公告)号:KR100224316B1

    公开(公告)日:1999-10-15

    申请号:KR1019960069812

    申请日:1996-12-21

    Abstract: [청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야]
    다이나믹 주파수 분주기.
    [발명이 해결하려고 하는 기술적 과제]
    저주파에서의 동작 특성 저하를 개선하기 위한 다이나믹 분주기를 제공함.
    [발명의 해결방법의 요지]
    제1의 인버터와 상기 인버터에 입력과 출력에 다른 인버터를 교차로 연결시킨 제1의 래치단과 통과 트랜지스터, 그리고 제2 의 인버터와 상기 인버터에 연결된 제2 의 래치단, 그리고 제3의 인버터와 통과 트랜지스터로 구성하고, 이에 따라 종래의 다이아믹 분주기의 인버터에 또 다른 인버터의 입출력을 교차 접속시켜 구성된 래치가 구동 트랜지스터의 게이트-소오스간 캐패시턴스의 충방전에 의한 신호 지연작용을 래치단이 수행하도록 함.
    [발명의 중요한 용도]
    저주파에서도 동작이 가능한 주파수 분주기.

    다중 채널 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
    4.
    发明公开
    다중 채널 전계 효과 트랜지스터 제조 방법 失效
    制造多通道场效应晶体管的方法

    公开(公告)号:KR1019980043742A

    公开(公告)日:1998-09-05

    申请号:KR1019960061701

    申请日:1996-12-04

    Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
    반도체 장치 제조방법
    2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
    종래의 기술은 여러 단계의 전류흐름 상태를 갖도록 하기 위하여 여러 개의 소자로 구성되기 때문에 그 구성 및 공정이 복잡하고, 특성 또한 우수하지 못할 뿐만 아니라, 게이트 전압 변화에 대한 여유도가 작은 출력 특성을 나타내는 문제점이 있었음.
    3. 발명의 해결방법의 요지
    전계효과 트랜지스터의 드레인과 게이트 아래의 채널 사이의 도전층에 절연층을 삽입함으로써 드레인과 게이트 사이에서 채널층과 절연층 채널층이 반복되도록 구성하여 인가된 게이트 전압의 크기에 다라 절연층에 의해 게이트와 드레인 사이에 있는 구분된 채널이 선택되도록하여 여러 단계의 전류흐름 상태를 만들 수 있는 전계 효과 트랜지스터 제조 방법을 제공하고자 함.
    4. 발명의 중요한 용도
    게이트 전압에 따라 전류의 흐름을 선택할 수 있는 스위칭 회로에 이용됨.

    분리절연막을 이용한 공중교각 금속의 형성방법
    5.
    发明公开
    분리절연막을 이용한 공중교각 금속의 형성방법 失效
    通过使用分离绝缘膜形成穿桥金属的方法

    公开(公告)号:KR1019960026924A

    公开(公告)日:1996-07-22

    申请号:KR1019940036028

    申请日:1994-12-22

    Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 특히 안정화된 공중교각(airbridge) 금속을 형성하는 방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의한 공중교각(airbridge)금속의 형성방법에 의하면, 기저금속이 화학적인 방법에 의해 증착된 분리절연가과 접촉되기 때문에 종래의 포토레지스트와 접촉된 기저금속 사이에서 나타날 수 있는 계면에 따른 측면방향의 Au 성장을 억제할 수 있으며, 금속선 간의 단락의 발생을 방지할 수 있기 때문에 금속선 간의 간격을 줄일 수 있다.
    또한, 공정을 안정화시킴과 아울러 단순화시킬 수 있기 때문에 수율을 향상시킬 수 있다.

    초고주파 회로 및 초고주파 시스템의 안정도 판정방법
    6.
    发明授权
    초고주파 회로 및 초고주파 시스템의 안정도 판정방법 失效
    초고주파회로및초고주파시스템의안정도판정방초

    公开(公告)号:KR100449802B1

    公开(公告)日:2004-09-22

    申请号:KR1019990032699

    申请日:1999-08-10

    Abstract: PURPOSE: A decision method of stability for super-high frequency circuit and super-high frequency system is provided to be used in analyzing small and great signal and decide the margins of a gain and a phase to refer the decision in designing. CONSTITUTION: In the first step(30), a voltage gain is calculated using a scattering variable of a 2 terminal network. In the second step(40), the size and phase of the gain are calculated from the voltage gain due to the scattering variable. In the third step(50-70), the margins of the gain and the phase are calculated from the calculated gain and phase and are compared with a predetermined margin permitted value to decide whether the stability is satisfied in accordance with the comparison result.

    Abstract translation: 目的:提供超高频电路和超高频系统的稳定性决策方法,用于分析小信号和大信号,决定增益和相位的裕度,以便参考设计决策。 构成:在第一步(30)中,使用2端子网络的散射变量计算电压增益。 在第二步(40)中,增益的大小和相位由散射变量引起的电压增益计算。 在第三步骤(50-70)中,根据计算出的增益和相位计算增益和相位的余量,并将其与预定余量允许值进行比较,以根据比较结果来判断是否满足稳定性。

    마이크로웨이브모노리식집적회로용주파수혼합기
    7.
    发明公开
    마이크로웨이브모노리식집적회로용주파수혼합기 失效
    用于微波单片集成电路的频率混频器

    公开(公告)号:KR1020000033138A

    公开(公告)日:2000-06-15

    申请号:KR1019980049843

    申请日:1998-11-19

    Abstract: PURPOSE: A frequency mixer for integrated circuit of microwave monolithic is provided to have an MMIC frequency mixer with small consuming voltage, feature of low noise, high profit and excellent signal separation between RF frequency range terminals of small size. CONSTITUTION: A frequency mixer for integrated circuit of microwave monolithic comprises the parts of: a first and a second matching circuit inputted each local oscillator and high-frequency signal; frequency core circuit outputting intermediate frequency signal which have feature of new frequency that mixed by received input frequency signal from the first and the second matching circuit each outputting frequency core circuit; the low band-pass filter outputting final intermediate frequency signal from intermediate frequency signal of the frequency core circuit; and frequency core circuit inputting means consisted of the as code form(400) which were applied the local oscillating signal and the high-frequency from outputting the first and the second matching circuit; and the amplifier for outputting complemental intermediate frequency signal after performing the amplification by answering the local oscillating signal and the high-frequency; the matching means for outputting the low band-pass filter after mixing with frequency and removing the phase of signal by inputting the complemental intermediate frequency signal from the amplifier.

    Abstract translation: 目的:提供微波单片集成电路的混频器,具有小型消费电压,低噪声,高利润,小尺寸射频频率端子之间良好信号间隔的MMIC混频器。 构成:微波单片集成电路的混频器包括以下部分:输入每个本地振荡器和高频信号的第一和第二匹配电路; 输出具有来自第一和第二匹配电路的每个输出频率核心电路的接收输入频率信号混合的新频率特征的中频信号; 低频带通滤波器从频率核心电路的中频信号输出最终的中频信号; 并且频率核心电路输入装置由从第一和第二匹配电路输出施加本地振荡信号和高频的代码形式(400)组成; 以及用于通过应答本地振荡信号和高频来执行放大后输出互补中频信号的放大器; 所述匹配装置用于在与频率混合之后输出低通滤波器,并通过从放大器输入互补中频信号来去除信号的相位。

    적외선 감지 광검출기 및 그 제조방법
    8.
    发明授权
    적외선 감지 광검출기 및 그 제조방법 失效
    红外检测照相检测器及其制造方法

    公开(公告)号:KR100233263B1

    公开(公告)日:1999-12-01

    申请号:KR1019960064945

    申请日:1996-12-12

    CPC classification number: B82Y20/00 H01L31/035236

    Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
    광검출기 제조방법.
    2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
    비교적 낮은 제작 단가로 기판에 수직으로 입사한 빛을 효과적으로 흡수할 수 있는 구조를 갖으며 기존의 집적회로 제작 공정과 양립할 수 있는 적외선 감지 광검출기 및 그 제조방법을 제공하고자 함.
    3. 발명의 해결방법의 요지
    제1 도전형의 화합물 반도체 기판; 소정부위의 상기 제1 도전형의 화합물 반도체 기판내에 일정간격을 두고 상기 제1 도전형의 화합물 반도체 기판과 반대형의 불순물이 이온주입된 도핑 초격자 영역; 상기 도핑 초격자 영역의 수직한 양단에 형성된 제1 컬렉터 영역 및 제1 에미터 영역; 상기 제1 컬렉터 영역 및 제1 에미터 영역상에 형성된 각각의 제1 컬렉터 전극 및 제1 에미터 전극; 상기 도핑 초격자 영역의 수평 방향으로 소정거리 이격되어 위치한 제2 컬렉터 영역 및 제2 에미터 영역; 및 상기 제2 컬렉터 영역 및 제2 에미터 영역상에 형성된 각각의 제2 컬렉터 전극 및 제2 에미터 전극을 구비하여 이루어진 적외선 감지 광검출기를 제공하고자 함.
    4. 발명의 중요한 용도
    광검출기 제조 공정에 이용됨.

    수직 채널 트랜지스터의 제조방법

    公开(公告)号:KR1019990050380A

    公开(公告)日:1999-07-05

    申请号:KR1019970069499

    申请日:1997-12-17

    Abstract: 본 발명은 GaAs 기판의 식각에 의해 생성된 한쪽 측벽에 불순물의 이온주입과 활성화로 채널을 형성하고, 식각된 다른쪽 측벽에 게이트 금속을 증착하여 형성하며, 측벽의 상단부와 하단부에 소스와 드레인의 저항성 접촉을 형성하고 금속 배선을 하여 트랜지스터를 제작 함으로써 특성을 크게 향상시킨 수직한 채널을 갖는 트랜지스터의 제작 방법에 관한 것이다.
    본 발명은 기존의 트랜지스터에 비해 다음과 같은 장점을 지닌다. 첫째, 증착되는 금속의 두께와 증착되는 방향에 의해 게이트 길이가 정해지므로 리소그라피에 의존하지 않는 극히 작은 게이트 길이를 갖는 트랜지스터를 제작할 수 있으며, 둘째, 소스와 드레인이 완전히 분리된 형태로 트랜지스터가 제작되기 때문에 기생 채널(parasitic channel)에 의한 기생 효과를 제거할 수 있고, 셋째, 형성된 채널의 한쪽이 절연막으로 접촉되어 있어 abrupt 한 불순물 분포를 나타내므로 트랜지스터의 on-off 특성을 크게 향상시킬 수 있으며 게이트와 접촉된 부분의 불순물 농도를 작게할 수 있으므로 게이트의 특성을 향상 시킬 수 있다.

    T형 게이트의 형성방법
    10.
    发明公开
    T형 게이트의 형성방법 失效
    形成T形门的方法

    公开(公告)号:KR1019960026926A

    公开(公告)日:1996-07-22

    申请号:KR1019940036029

    申请日:1994-12-22

    Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 개선된 T형 게이트를 형성하느 방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의해 제작된 공중교각(airbridge) 형태의 T-게이트에 의하면, 게이트 금속이 화학적인 방법으로 증착된 절연막에 의해 접촉되기 때문에 종래의 포토레지스트와 게이트 금속 사이에서 나타날 수 있는 계면에 따른 측면방향의 Au 성장을 억제할 수 있으며, 금속선 간의 단락의 발생을 방지할 수 있기 때문에 금속선간의 간격을 줄일 수 있다.
    또한 공정을 안정화시킴과 아울러 단순화시킬 수 있기 때문에 수율을 향상시킬 수 있다.

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