公开(公告)号：KR1019950000152B1

公开(公告)日：1995-01-10

申请号：KR1019920004354

申请日：1992-03-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김천수 ,  이진호 ,  윤창주 ,  이형섭

IPC: H01L27/092

Abstract: forming a sacrifice gate region on the substrate (1) by using a silicon nitride film (7) and a silicon oxide film (2); implanting impurities thereinto to form an LDD n- region (13) and an LDD p- region (12) to form a spacer (14) on the side wall of the gate region; forming an etching a silicon oxide film (17) thereonto by using a lapping method; etching the poly-Si (11), the film (10) and the spacer (14) to form a gate frame and filling the gate frame with a poly-Si layer to form a gate with a lapping method; thereby obtaining a fully gate overlapped LDD structure.

Abstract translation: 通过使用氮化硅膜（7）和氧化硅膜（2）在基板（1）上形成牺牲栅极区域; 将杂质注入其中以形成LDD n-区域（13）和LDD p-区域（12）以在栅极区域的侧壁上形成间隔物（14）; 通过使用研磨法在其上形成氧化硅膜（17）的蚀刻; 蚀刻多晶硅（11），膜（10）和间隔物（14）以形成栅极框架，并用多晶硅层填充栅极框架，以研磨方法形成栅极; 从而获得完全栅极重叠的LDD结构。

公开(公告)号：KR100083889B1

公开(公告)日：1995-04-10

申请号：KR1019920004354

申请日：1992-03-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김천수 ,  이진호 ,  윤창주 ,  이형섭

IPC: H01L27/092

公开(公告)号：KR1019930020719A

公开(公告)日：1993-10-20

申请号：KR1019920004354

申请日：1992-03-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김천수 ,  이진호 ,  윤창주 ,  이형섭

IPC: H01L27/092

Abstract: 본 발명은 딥서브 미크론급 CMOS 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 그제조방법은 게이트영역을 실리콘 질화막 또는 산화막을 형성한 다음, 충분히 중첩된 LDD구조를 제조하기 위해 n
- 이온주입과 P
- 주입을 완료하고, 이어 식각저지를 위한 산화막을 도포한 다음 래핑하며, 게이트영역 및 측벽 스페이서를 모두 습식식각하여 게이트 틀을 완성하고, 다시 폴리실리콘을 채워서 기계적 또는 화학적 방법으로 에칭백하여 게이트를 형성하는 것을 특징으로 한다.
이로써, 상기 제조방법은 딥서브 마이크론급 VLSI를 제조하는데 적합하다.