公开(公告)号：KR1019940007667B1

公开(公告)日：1994-08-22

申请号：KR1019910022927

申请日：1991-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박철순 ,  조낙희 ,  조경익 ,  이봉학

IPC: H01L29/78

Abstract: The method manufactures a GaAs recessed gate field effect transistor. The method comprises the steps of: (A) injecting n-type impurity on a channel layer and a source and drain region of a GaAs substrate (1); (B) covering a substrate by a dielectric layer (2) and activating by thermal process; (C) masking a photosensitive layer on a dielectric layer (2) and etching a layer (2) to form a gate region; (D) forming an oxide layer (4) of a certain thickness on a substrate; and (E) etching an oxide layer (4), vaporizing a gate metal (5) and forming an ohmic electrode (6).

Abstract translation: 该方法制造了GaAs凹陷栅极场效应晶体管。 该方法包括以下步骤：（A）在GaAs衬底（1）的沟道层和源极和漏极区域上注入n型杂质; （B）通过电介质层（2）覆盖衬底并通过热处理激活; （C）掩蔽介电层（2）上的感光层并蚀刻层（2）以形成栅极区域; （D）在衬底上形成一定厚度的氧化物层（4）; 和（E）蚀刻氧化物层（4），蒸发栅极金属（5）并形成欧姆电极（6）。

公开(公告)号：KR1019930015056A

公开(公告)日：1993-07-23

申请号：KR1019910022927

申请日：1991-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박철순 ,  조낙희 ,  조경익 ,  이봉학

IPC: H01L29/78

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100079466B1

公开(公告)日：1994-11-22

申请号：KR1019910022927

申请日：1991-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박철순 ,  조낙희 ,  조경익 ,  이봉학

IPC: H01L29/78