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公开(公告)号:KR102042483B1
公开(公告)日:2019-11-12
申请号:KR1020120105889
申请日:2012-09-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
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公开(公告)号:KR101252294B1
公开(公告)日:2013-04-05
申请号:KR1020090061100
申请日:2009-07-06
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명에 따른 투명 정보 전달 윈도우는 투명한 상태에서 정보의 디스플레이가 가능하므로, 시야를 방해하지 않으면서도 다양한 정보를 공간적 제약 없이 디스플레이 할 수 있다. 또한, 사람들의 휴대 단말기로 디스플레이 정보를 무선으로 전송할 수 있으며, 이에 따라 해당 디스플레이 장소를 벗어나게 되더라도 사람들은 자신의 휴대 단말기를 통해 상품에 대한 자세한 정보를 제공받을 수 있다.
투명, 디스플레이, 무선, 윈도우, 정보-
公开(公告)号:KR1020110064150A
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:KR1020090120621
申请日:2009-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603 , H01L27/1262
Abstract: PURPOSE: A transferred thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to separate an active layer from a silicon wafer by a dry etching method and transfer the active layer to a flexible substrate, thereby maximizing productivity. CONSTITUTION: A source area(12), a drain area(14), and a channel area(15) are expanded on a first substrate(10) in a first direction. A trench(18) is expanded on the first substrate in the second direction crossing the first direction. A photoresist pattern(20) is formed on an active layer(16) between the trenches. The first substrate in the trench is etched by an anisotropic etching process so that the active layer is separated from the first substrate. The active layer is bonded with a second substrate.
Abstract translation: 目的:提供一种转移的薄膜晶体管及其制造方法,通过干蚀刻方法将有源层与硅晶片分离,并将活性层转移到柔性基板上,从而最大限度地提高生产率。 构成:源区域(12),漏区(14)和沟道区(15)在第一方向上在第一衬底(10)上扩展。 沟槽(18)在与第一方向交叉的第二方向上在第一基板上膨胀。 光刻胶图形(20)形成在沟槽之间的有源层(16)上。 通过各向异性蚀刻工艺蚀刻沟槽中的第一衬底,使得有源层与第一衬底分离。 有源层与第二衬底结合。
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公开(公告)号:KR1020110003698A
公开(公告)日:2011-01-13
申请号:KR1020090061100
申请日:2009-07-06
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L31/022475 , H01L21/02118 , H01L51/0053 , H01L2924/12044 , H01L2924/13069 , Y02B20/36
Abstract: PURPOSE: A transparency information transfer window is provided to maintain the transparency status and to display information, thereby displaying varying information without special restraint not being distracted by viewing. CONSTITUTION: A transparency display(110) displays information in transparency status. A driving unit(130) sanctions a driving signal to the transparency display. A wireless communication unit(150) transceives information wirelessly with an external terminal. A memory unit(170) stores display information.
Abstract translation: 目的:提供透明度信息传输窗口,以保持透明度状态并显示信息,从而显示不同信息,而不受特殊限制,不会因观看而分心。 构成:透明度显示(110)以透明度状态显示信息。 驾驶单元(130)将驾驶信号制裁到透明度显示器。 无线通信单元(150)与外部终端无线地收发信息。 存储单元(170)存储显示信息。
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公开(公告)号:KR100993776B1
公开(公告)日:2010-11-12
申请号:KR1020070132751
申请日:2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B1/38
Abstract: 본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 투명 디스플레이를 이용함으로써 상부 패널 하우징을 펼치지 않고서도 영상 출력이 가능한 폴더 타입의 디스플레이 장치를 제공한다.
이를 위하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 투명 디스플레이를 이용한 폴더형 디스플레이 장치는, 빛을 투과시키는 투명 모드 또는 영상 데이터를 출력하는 디스플레이 모드로의 전환이 가능하며 접힘과 펼침이 가능하게 연결된 두 개 이상의 투명 디스플레이를 포함하는 투명 디스플레이부; 장치의 활성화 상태 중에 수신되는 신호를 기반으로 상기 투명 디스플레이를 투명 모드 또는 디스플레이 모드로 전환하며, 상기 디스플레이 모드 중에 상기 두 개 이상의 투명 디스플레이가 펼침 상태인 경우 설정에 따라 또는 사용자의 입력 신호에 따라 각각의 상기 투명 디스플레이에 서로 다른 영상 데이터를 출력하는 제어부; 및 접힘과 펼침이 가능하도록 상기 투명 디스플레이부와 연결되는 하부 패널 하우징을 포함한다.
투명 디스플레이, 폴더형, 입체 영상-
7.
公开(公告)号:KR100990217B1
公开(公告)日:2010-10-29
申请号:KR1020080058878
申请日:2008-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01B1/08
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 박막용 조성물, 이를 채용한 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막용 조성물은 알루미늄 함유 산화물, 아연 함유 산화물 및 주석 함유 산화물을 포함하며, 400℃ 이하에서 비정질 상태이다. 상기 조성물로 형성된 활성층을 구비한 전계 효과 트랜지스터는 전기적 특성의 개선 뿐만 아니라 저온 공정도 가능하며, 인듐과 갈륨과 같은 비싼 원료 물질이 사용되지 않아 경제성도 갖는다.
산화물, 비정질, 저온 공정, 전계효과, 트랜지스터-
公开(公告)号:KR1020100070273A
公开(公告)日:2010-06-25
申请号:KR1020090028882
申请日:2009-04-03
Applicant: 한국전자통신연구원 , 충북대학교 산학협력단
IPC: G11C11/416 , G11C11/419 , G11C11/413 , G11C11/4193
CPC classification number: G11C11/419 , G11C5/063 , G11C7/06 , G11C7/1069 , G11C7/1096 , G11C7/18 , G11C11/418
Abstract: PURPOSE: An SRAM using charge recycling is provided to store data stably by using a high swing voltage in a necessary region for a wiring operation. CONSTITUTION: A write driver supplies a first swing voltage to data bus line pair. A column selection circuit(140) interlinks data bus line pair which is selected according to an input address with a selected bit line pair. A plurality of sub blocks(SB1~SBM) are connected to the selected bit line pair. Each of a plurality of sub blocks comprises a write sensor and a plurality of memory cells. The write sensor senses a first swing voltage of the selected bit line pair and amplifies it. A write sensor generates a second swing voltage. A plurality of memory cells are connected to the sub bit-line pair receiving a second swing voltage.
Abstract translation: 目的:提供使用电荷回收的SRAM,通过在布线操作的必要区域中使用高摆幅电压来稳定地存储数据。 构成:写入驱动器向数据总线线对提供第一个摆幅电压。 列选择电路(140)将根据输入地址选择的数据总线对与选择的位线对相互链接。 多个子块(SB1〜SBM)被连接到所选位线对。 多个子块中的每一个包括写入传感器和多个存储器单元。 写传感器检测所选位线对的第一摆幅电压并对其进行放大。 写入传感器产生第二摆幅电压。 多个存储单元连接到接收第二摆幅电压的子位线对。
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公开(公告)号:KR100952425B1
公开(公告)日:2010-04-14
申请号:KR1020080044268
申请日:2008-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/1343 , C09D5/24
Abstract: 본 발명은 미세 패터닝이 가능한 다층 투명 전도막에 관한 것으로, 상기 다층 투명 전도막은 ZnO, Al
2 O
3 , SnO
2 및 Sb
2 Ox를 포함하는 산화물층과 Ag를 주성분으로 하는 금속층을 교대로 적층하여 이루어진다. 본 발명에 따른 다층 투명 전도막은 인듐을 사용하지 않으면서, 낮은 면저항을 얻을 수 있으며, 또한 높은 가시광선 투과율을 얻을 수 있다.
전도막, 산화물, 금속-
10.
公开(公告)号:KR1020090122546A
公开(公告)日:2009-12-01
申请号:KR1020080048419
申请日:2008-05-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: PURPOSE: A multilayer electric component including nothing indium transparent oxide conductive improving the constant resistance is provided to prevent the degradation of an electric component caused by high inter-layer contact resistance by forming low resistance transparent oxide conductive. CONSTITUTION: In a device, n oxide layers and n-1 oxide layers are laminated on the substrate(100) in a transparent oxide conductive(200). An upper functional layer(300) is formed on the transparent oxide conductive. An upper oxide layer(30) of the transparent oxide contacting the functional layer has a contact thickness of 0-10nm. The contact is finger shape. The upper oxide layer includes a first top oxide layer and the second top oxide layer. The thickness of the first top oxide layer is regarded as 90% to 70 about the total thickness of the top oxide layer.
Abstract translation: 目的:提供改善恒定电阻的不含铟透明氧化物导电性的多层电气部件,以通过形成低电阻透明氧化物导电性来防止由高层间接触电阻引起的电气成分的劣化。 构成:在器件中,在透明氧化物导电(200)中,在衬底(100)上层叠n个氧化物层和n-1个氧化物层。 在透明氧化物导电上形成上层功能层(300)。 与功能层接触的透明氧化物的上氧化物层(30)具有0-10nm的接触厚度。 触点是手指形状。 上部氧化物层包括第一顶部氧化物层和第二顶部氧化物层。 第一顶部氧化物层的厚度相对于顶部氧化物层的总厚度为90%至70。
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