公开(公告)号：KR100091106B1

公开(公告)日：1995-11-01

申请号：KR1019920023351

申请日：1992-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정희 ,  박성호 ,  이해권 ,  강진영 ,  이용택

IPC: H01L29/80

公开(公告)号：KR1019940016950A

公开(公告)日：1994-07-25

申请号：KR1019920023351

申请日：1992-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정희 ,  박성호 ,  이해권 ,  강진영 ,  이용택

IPC: H01L29/80

Abstract: 본 발명은 갈륨비소 화합물 불순물의 분자선 에피성장(Molecular Beam Epitaxy : MBE), MESA 식각과 선택식각(Selective Etch)에 기초를 둔 이종접합 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transitor : HBT) 등의 이종접합 소자의 제조방법에 관한 것으로서 반절연 GaAs 기판(8)상에 통상의 이종접합 트랜지스터를 형성하기 위해 GaAs 부콜렉터층(7), GaAs 콜렉터층(6), GaAs 베이스층(5) AlGaAs 에미터층(4) 및 GaAs 오믹접촉층(3)을 순차 형성하는 공정과, 상기 GaAs 오믹접촉층(3)상에 AlAs 선택식각층(2)과 GaAs 보호층(1)을 순차 형성하는 공정과, 에미터 영역을 정의하기 위해, 습식메사 식각방법을 이용하여 상기 GaAs 보호층(1), AlAs 선택식각층(2), GaAs 오믹접촉층(3) 및 AlGaAs 에미터층(4)을 식각하여 역메사 구조를 갖는 공정과, 상기 노출된 AlGaAs 에미터층(4) 상에 베이스 오믹접촉층(9)을 형성하는 공정 , 상기 역메사 구조의 GaAs 보호층(1)과 AlAs 선택식각층(2)을 제거한 다음 실리콘 산화막(10)을 도포하는 공정과, 상기 GaAs 부콜렉터층(7)의 일부가 노출되도록 그 위에 적층된 층들을 식각하여 제거하는 공정과, 상기 노출된 부콜렉터층(7)과 상기 역메사 구조의 GaAs 오믹접촉층(3)상에 에미터/콜렉터 오믹접촉 금속층(11)을 형성하는 공정과, 상기 베이스 오믹접촉층(9)상에 베이스 오믹접촉 금속층(12)을 형성하는 공정 및, 상기 기판상에 모두 실리콘 질화막(13)을 피복하되, 상기 오믹접촉 금속층(11), (12)상에 금속층(14)을 형성하는 공정을 포함하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019950008253B1

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019920023351

申请日：1992-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정희 ,  박성호 ,  이해권 ,  강진영 ,  이용택

IPC: H01L29/80

Abstract: forming GaAs quasi-collector layer (7), GaAs collector layer (6), GaAs base layer (5), AlGaAs emitter layer (4), and GaAs ohmic contact layer (3) sequentailly; forming AlAs selective etching layer (2) and GaAs guiding layer (1) on the GaAs ohmic contact layer sequentially; etching the GaAs guiding layer, the AlAs selective etching layer, the GaAs ohmic contact layer, and AlGaAs emitter layer (4) to form inverse mesa structure; forming base ohmic contact layer (9) on the AlGaAs emitter layer; removing the GaAs guiding layer and the AlAs selective etching layer of the inverse mesa structure and spreading silicon oxide layer (10); forming emitter and collector ohmic contact metal layer (11) on the exposed quasi-collector layer and the GaAs ohmic contact layer; forming base ohmic contact metal layer (12) on the base ohmic contact layer; and forming metal layer (14) on the ohmic contact metal layers.

Abstract translation: 形成GaAs准集电极层（7），GaAs集电极层（6），GaAs基极层（5），AlGaAs发射极层（4）和GaAs欧姆接触层（3）; 在GaAs欧姆接触层上依次形成AlAs选择性蚀刻层（2）和GaAs引导层（1）; 蚀刻GaAs引导层，AlAs选择性蚀刻层，GaAs欧姆接触层和AlGaAs发射极层（4）以形成逆台面结构; 在AlGaAs发射极层上形成基极欧姆接触层（9）; 去除反向台面结构的GaAs引导层和AlAs选择性蚀刻层，并扩展氧化硅层（10）; 在暴露的准集电极层和GaAs欧姆接触层上形成发射极和集电极欧姆接触金属层（11）; 在基极欧姆接触层上形成基极欧姆接触金属层（12）; 以及在欧姆接触金属层上形成金属层（14）。