公开(公告)号：KR1020150092991A

公开(公告)日：2015-08-17

申请号：KR1020140013696

申请日：2014-02-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 위재형 ,  조대형 ,  이우정 ,  한원석 ,  정용덕

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04

Abstract: 본 발명은 태양전지를 개시한다. 태양전지는, 기판 상의 하부 전극 층과, 상기 하부 전극 층 상에 배치되고 제 1 에너지 밴드 갭을 갖는 광 흡수 층과, 상기 광 흡수 층 상에 배치되고 상기 제 1 에너지 밴드 갭보다 높은 제 2 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 전극 층과, 상기 상부 전극 층과 상기 광 흡수 층 사이에 배치된 버퍼 층을 포함한다. 여기서, 상기 버퍼 층은 상기 제 1 에너지 밴드 갭과 제 2 에너지 밴드 갭 사이에서 연속적으로 변화되는 가변 에너지 밴드 갭을 갖는 ZnO
1
-
x S
x 를 포함하고, 상기 x의 값은 0.15 내지 0.9일 수 있다.

Abstract translation: 在本发明中，公开了一种太阳能电池。 太阳能电池包括设置在基板上的下电极层; 光吸收层，其设置在下电极层上，具有第一能带隙; 布置在所述光吸收层上并具有比所述第一能带隙高的第二能带隙的上电极层; 以及布置在上电极层和光吸收层之间的缓冲层。 这里，缓冲层包括在第一能带隙和第二能带间隙之间连续变化的可变能带隙的ZnO_（1-x）S_x，其中x的值为0.15〜0.9。

公开(公告)号：KR1020160017602A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：KR1020150074205

申请日：2015-05-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정용덕 ,  조대형 ,  이우정 ,  한원석

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/285

Abstract: 전이금속칼코겐화합물박막의제조방법은전이금속막이제공된기판을제공하고, 칼코겐소스를증발시켜서제2 분자구조의칼코겐물질을형성하고, 제2 분자구조의칼코겐물질을분해하여서제2 분자구조보다상대적으로적은원자들을포함하는분자구조인제1 분자구조의칼코겐물질을형성하고, 전이금속막상에제1 분자구조의칼코겐물질을제공하는것을포함한다.

Abstract translation: 制造过渡金属硫族化物薄膜的方法包括：向基板提供过渡金属膜的步骤; 通过蒸发硫族元素源形成第二分子结构的硫族元素材料的步骤; 通过溶解第二分子结构的硫族元素材料形成包含比第二分子结构少的原子的第一分子结构的硫族元素材料的步骤; 以及向过渡金属膜提供第一分子结构的硫族元素材料的步骤。

公开(公告)号：KR1020170100078A

公开(公告)日：2017-09-04

申请号：KR1020160021640

申请日：2016-02-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 위재형 ,  정용덕 ,  이우정 ,  조대형 ,  한원석

IPC: H01L31/046 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0392

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

Abstract: 본발명의실시예들에따른태양전지는, 기판상의후면전극, 상기후면전극상의, 갈륨(Ga)과인(In)을포함하는제 1 광흡수층, 상기제 1 광흡수층상의제 1 버퍼층, 상기제 1 버퍼층상의제 1 윈도우층, 상기제 1 윈도우층상의, 갈륨(Ga)을포함하는제 2 광흡수층, 상기제 2 흡수층상의제 2 버퍼층및 상기제 2 버퍼층상의제 2 윈도우층을포함하되, 상기제 1 광흡수층의 (Ga)/(Ga+In)의조성비는상기제 2 광흡수층의그것보다작다.

Abstract translation: 根据本发明，背电极，光吸收层上的第一缓冲层的实施例中的太阳能电池，在基板上，其包括在背电极上的镓（Ga）过磷酸钙（In）的所述第一光吸收层，其特征在于 第一窗口层，所述第一缓冲层上的第一窗口的层，包括在所述第二缓冲层和第二光吸收层上的第二缓冲层上的第二窗口层，包括镓（Ga）的第二吸收层，该 第一光吸收层的（Ga）/（Ga + In）的组成比小于第二光吸收层的组成比。