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公开(公告)号：KR1019970048647A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950051473
申请日：1995-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용되는 수동부품을 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하고 광회로를 구현하기 위한 유리막 형성방법에서 실리콘 기판위에 저손실의 실리카 도파로를 제조하기 위하여 화염의 저온화와 안정한 화염 발생을 위한 저온 화염가수분해증착장치의 가스조절 시스템에 관한 것으로 기존의 FHD방법에서 고온화염으로 인한 문제는 첫째로는 기판과 화염이 직접 접촉하는 공정으로 상온의 기판에 일부분을 접촉하기 때문에 열분포의 불균형이 발생할 수 있고, 둘째로는 화염의 온도가 산화물 미립자의 녹는 온도와 유사하여 버너에 구성되어 있는 석영관 내부에 유리녹음현상이 발생되어 공기중의 이물질과 접촉하여 미립자증착층에 치명적인 오염을 유발시킬 수 있다.
이와 같은 문제점을 개선하기 위하여 본 발명에서는 종래의 FHD방법에서 발생되는 복굴절, 기판의 휨(Bowing)현상과 이러한 결함에 의한 손실문제를 근본적인 개선하여 향후 광통신망에서 사용될 도파로형 광수동부품의 질적 향상을 이룰 수 있도록 하며, 또한 FHD법에서 사용되는 액체원료와 화염형성 연료가스를 저온화에 중점을 두고 고온 화염에서 발생되는 열불균형과 석영관내 증착등의 상기한 문제점을 극복하고 극저손실 실리카 도파로를 제조하도록 하는 저온 화염가수분해증착장치의 가스 조절 시스템에 관한 것임.-
公开(公告)号：KR1019970048646A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950050103
申请日：1995-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용되는 수동부품을 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하고 광회로를 구현하기 위한 저온화염가수분해증착장치의 반응토치에 관한 것으로 종래의 FHD 방법은 첫째 기판과 화염이 직접 접촉하는 공정으로 상온의 기판에 일부분을 접촉하기 때문에 열분포의 불균형이 발생할 수 있고, 둘째, 화염의 온도가 산화물 미립자의 녹는 온도와 유사하여 토치에 구성되어 있는 석영관내부에 유리녹음현상이 발생되어 공기중의 이물질과 접촉하여 미립자 증착층에 치명적인 오염을 유발시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 종래의 FHD 방법에서 발생되는 손실문제를 근본적으로 개선하고, 향후 광통신망에서 사용될 도파로형 광수동부품의 질적향상을 위한 것으로 도파로형 광부품을 제조하기 위한 FHD 반응시스템에서 화염을 일으키며 화염의 형성점과 종방향의 균일한 성막을 위하여 앵글회전과 상하좌우 이동이 가능하도록 Step Moter에 의해 구동되며 석영관을 정밀 가공된 테프론 홀더블럭에 구성하여 오염여부나 동축형성의 불일치를 실시간에 보수 및 보정하도록 하고, 반응가스의 정밀한 제어와 더불어 중요한 역할을 하며, 원료의 반응온도를 낮추는 기능을 갖도록 한 No Shield 구조로 구성된 저온 화염가수분해증착장치의 반응토치에 관한 것임.-
公开(公告)号：KR1019990052206A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970071655
申请日：1997-12-22
Abstract: 본 발명은 실리카(Quartz,유리), 단결정 실리콘 기판위에 언도우프트(Undoped)코아층과 에르븀(Er)-도우프트 코아층을 선택적으로 형성하여 광증폭기를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명은 단일 기판상에 언도우프트 코아층과 에르븀 코아층을 동일한 평면상에 형성하고, 이를 패터닝하여 입출력측의 도파로를 언도우프트 코아층으로 형성하고, 광증폭영역의 도파로를 에르븀-도우프트 코아층으로 형성하여 광증폭 특성을 향상시키고, 광섬유와의 접속손실과 도파로의 전송손실을 감소시켰다.-
公开(公告)号：KR100170195B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019950049257
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/10
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용되는 수동부품을 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하고 광회로를 구현하는 유리막을 용이하게 형성하기 위한 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정 및 그 장치에 관한 것으로 통상 화염가수분해법은 광섬유의 제조법인 VAD법에서 파생된 방법으로 상압, 고온의 토치내에 원료를 반응시켜 산화물 미립자를 형성하여 열처리로 고밀화된 유리막을 얻는 방법으로서 종래의 방법은 화염온도가 1200∼1250℃의 고온토치반응이라는 점과 미립자의 녹임공정온도가 1250∼1380℃로 높은 이유 때문에 발생하는 복굴절, 균열등의 문제가 완전히 배제되지 못하며 또한 동일한 고밀화 공정온도에서 점도의 조절이 용이하지 않아 오버 클래드막 증착후 평탄성이 열악한 문제가 있었다.
이와 같은 문제점을 해소하기 위하여 안출된 본 발명은 양질의 유리막을 형성하여 광부품의 손실을 근본적으로 개선하고 향후 광통신에서 사용될 각종 광부품의 질적향상을 위하여 고밀화 공정 최적화를 위한 공정방법 및 시스템으로서 실리콘기판과 유리막의 열팽창 계수의 차이에 따른 복굴절, 균열등의 문제를 해소하고 실리콘, 석영등의 기판위에 광회로를 구성하여 극저손실의 광수동부품을 제조할 수 있도록 FHD(화염 가수분해 증착)법을 이용하여 실리콘 기판위에 저손실의 실리카 도파로를 제조하기 위한 입자상의 실리카를 용융, 균일화하는 것이다.
본 발명은 저온화염으로 형성된 실리카 미립자의 고밀화를 기존의 방법보다 저온에서 공정하여 복굴절, 균열등의 문제를 감소시켜 FHD방법에서 가장 문제시 되는 기판의 크기를 증가시킬 수 있고, 또한 기존의 수평형으로 사용되던 고밀화 전기로를 수직형으로 설계하여 고온에서 석영 튜브의 휨현상을 제거 하였으며 좁은 가열 영역에서도 대량의 기판을 공정할 수 있게 함을 특징으로 하는 것임.-
公开(公告)号：KR100170194B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019950050103
申请日：1995-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용되는 수동부품을 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하고 광회로를 구현하기 위한 저온화염가수분해증착장치의 반응토치에 관한 것으로 종래의 FHD 방법은 첫째 기판과 화염이 직접 접촉하는 공정으로 상온의 기판에 일부분을 접촉하기 때문에 열분포의 불균형이 발생할 수 있고, 둘째, 화염의 온도가 산화물 미립자의 녹는 온도와 유사하여 토치에 구성되어 있는 석영관내부에 유리녹음현상이 발생되어 공기중의 이물질과 접촉하여 미립자 증착층에 치명적인 오염을 유발시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 종래의 FHD 방법에서 발생되는 손실문제를 근본적으로 개선하고, 향후 광통신망에서 사용될 도파로형 광수동부품의 질적향상을 위한 것으로 도파로형 광부품을 제조하기 위한 FHD 반응시스템에서 화염을 일으키며 화염의 형성점과 종방향의 균일한 성막을 위하여 앵글회전과 상하좌우 이동이 가능하도록 Step Moter에 의해 구동되며 석영관을 정밀 가공된 테프론 홀더블럭에 구성하여 오염여부나 동축형성의 불일치를 실시간에 보수 및 보정하도록 하고, 반응가스의 정밀한 제어와 더불어 중요한 역할을 하며, 원료의 반응온도를 낮추는 기능을 갖도록 한 No Shield 구조로 구성된 저온 화염가수분해증착장치의 반응토치에 관한 것임.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980050935A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069783
申请日：1996-12-21
IPC: G02B6/13
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 수직형 자기 정렬 화염가수분해(FHD) 반응토치
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 FHD의 기존 토치의 앵글증착(40∼50도)에서 수직하향과 수직상향을 동시에 수용하므로써 안정한 화염형성, 반응길이의 증가로 기존의 문제점인 불안정한 화염과 기판과의 특정한 각도를 유지해야 하는 원료의 비효율성등과 시스템 구성의 제한등을 해소한 화염 가수분해 반응토치를 제공함에 그목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 기판상에 실리카 미립자를 증착할 수 있도록 길이가 차별화된 다수의 동심원 관을 구비하여 반응원료 및 가스를 가수분해 반응시키는 버너를 포함하되, 상기 길이가 차별화된 동심원 관에 의해 방사되는 토치화염과 기판과의 접촉길이를 소정길이만큼 길게하여 상대적으로 저온화시켜 고균질의 실리카막을 기판에 증착하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
화염가수분해 토치의 화염을 기판과의 접촉길이를 늘려 상대적으로 저온화시켜 실리카막을 증착할 수 있도록 한 것임.-
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公开(公告)号：KR1019970006775B1
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019940032945
申请日：1994-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B7/185
Abstract: The present invention relates to a large-sized panel assembling stand that can be controlled in angle of the panel to precisely assemble various components for satellite communications to the aluminum panel of more than 1m without deformation. The inventive stand includes a panel adapter (4) fixedly assembling a panel (1) and installed on a rotary shaft (6) for smooth rotation; and a stand frame (2) supporting the rotary shaft (6) of the panel adapter (4) and having fixed plates (5) on both ends.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够以面板的角度进行控制的大尺寸面板组装台，以精确地组装用于卫星通信的各种部件，其中铝板不超过1m而不变形。 本发明的支架包括固定地组装面板（1）并安装在旋转轴（6）上以平滑旋转的面板适配器（4） 以及支撑所述面板适配器（4）的旋转轴（6）并且在两端具有固定板（5）的支架（2）。
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公开(公告)号：KR100211048B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019960069783
申请日：1996-12-21
IPC: G02B6/13
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
수직형 자기 정렬 화염가수분해(FHD) 반응토치.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
본 발명은 FHD의 기존 토치의 앵글증착(40∼50도)에서 수직하향과 수직상향을 동시에 수용하므로써 안정한 화염형성, 반응길이의 증가로 기존의 문제점인 불안정한 화염과 기판과의 특정한 각도를 유지해야 하는 원료의 비효율성등과 시스템 구성의 제한등을 해소한 화염 가수분해 반응토치를 제공함에 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 기판상에 실리카 미립자를 증착할 수 있도록 길이가 차별화된 다수의 동심원 관을 구비하여 반응원료 및 가스를 가수분해반응시키는 버너를 포함하되, 상기 길이가 차별화된 동심원 관에 의해 방사되는 토치화염과 기판과의 접촉길이를 소정길이만큼 길게하여 상대적으로 저온화시켜 고균질의 실리카막을 기판에 증착하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
화염가수분해 토치의 화염을 기판과의 접촉길이를 늘려 상대적으로 저온화시켜 실리카막을 증착할 수 있도록 한 것임.-
公开(公告)号：KR1019970048650A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950049257
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/10
Abstract: 본 발명은 광통신에 사용되는 수동부품을 별도의 기판위에 도파로를 형성하여 광신호의 흐름을 구성하고 광회로를 구현하는 유리막을 용이하게 형성하기 위한 실리카 미립자의 저온 고밀화 공정 및 그 장치에 관한 것으로 통상 화염가수분해법은 광섬유의 제조법인 VAD법에서 파생된 방법으로 상압, 고온의 토치내에 원료를 반응시켜 산화물 미립자를 형성하여 열처리로 고밀화된 유리막을 얻는 방법으로서 종래의 방법은 화염온도가 1200∼1250℃의 고온토치반응이라는 점과 미립자의 녹임공정온도가 1250∼1380℃로 높은 이유 때문에 발생하는 복굴절, 균열등의 문제가 완전히 배제되지 못하며 또한 동일한 고밀화 공정온도에서 점도의 조절이 용이하지 않아 오버 클래드막 증착후 평탄성이 열악한 문제가 있었다.
이와 같은 문제점을 해소하기 위하여 안출된 본 발명은 양질의 유리막을 형성하여 광부품의 손실을 근본적으로 개선하고 향후 광통신에서 사용될 각종 광부품의 질적향상을 위하여 고밀화 공정 최적화를 위한 공정방법 및 시스템으로서 실리콘기판과 유리막의 열팽창 계수의 차이에 따른 복굴절, 균열등의 문제를 해소하고 실리콘, 석영등의 기판위에 광회로를 구성하여 극저손실의 광수동부품을 제조할 수 있도록 FHD(화염 가수분해 증착)법을 이용하여 실리콘 기판위에 저손실의 실리카 도파로를 제조하기 위한 입자상의 실리카를 용융, 균일화하는 것이다.
본 발명은 저온화염으로 형성된 실리카 미립자의 고밀화를 기존의 방법보다 저온에서 공정하여 복굴절, 균열등의 문제를 감소시켜 FHD방법에서 가장 문제시 되는 기판의 크기를 증가시킬 수 있고, 또한 기존의 수평형으로 사용되던 고밀화 전기로를 수직형으로 설계하여 고온에서 석영 튜브의 휨현상을 제거 하였으며 좁은 가열 영역에서도 대량의 기판을 공정할 수 있게 함을 특징으로 하는 것임.
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