公开(公告)号：KR100818632B1

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：KR1020050067857

申请日：2005-07-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김경옥 ,  김인규 ,  이기중 ,  이철균

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/3402 ,  B82Y20/00

Abstract: 본 발명은 부밴드 천이 반도체 레이저(intersubband transition semiconductor laser)에 관한 것으로, 부밴드 간의 방사천이(radiative transition)가 일어나는 활성영역층들 사이의 에너지 완화 영역에 캐리어(carrier) 증배가 일어나는 PIN 형의 증배층(miltiplication layer)을 포함하는 아발란치 이득구조층과 증배된 캐리어들을 인접한 활성영역층의 천이 레벨로 주입시키는 캐리어 가이드층(carrier guide layer)이 포함된다. 캐리어 증배 구조를 포함시켜 레이저 발진-준위로 주입되는 캐리어 수를 높여 단순 구조에서 고출력을 가능케 하는 구조로, 레이저 발진-준위로의 캐리어 주입 효율을 높여 활성영역층의 레이저 천이 준위들 간의 고밀도 반전이 이루어지도록 함으로써 기존의 양자 캐스케이드 레이저에서와 같이 고출력을 얻기 위해 많은 적층(stacking)이 필요하지 않으며, 단순한 컴팩트(compact) 구조로 고출력을 얻을 수 있다.
반도체 레이저, 부밴드 천이, 캐리어 증배, 캐리어 가이드, 활성영역

公开(公告)号：KR1020070013503A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：KR1020050067857

申请日：2005-07-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김경옥 ,  김인규 ,  이기중 ,  이철균

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/3402 ,  B82Y20/00

Abstract: An intersubband transition semiconductor laser is provided to obtain a high output by entering a plurality of multiplied carriers to a laser transition level of an active area to perform a high-density based population inversion. In an intersubband transition semiconductor laser, a first cladding layer(10), an active layer, and a second cladding layer(20) are formed on an upper face of a semiconductor substrate(10). The active layer multiplies a carrier in a gain structure layer. The carrier is injected to an active area layer so as to occur a laser transition. A combination of the gain structure layer and the active area layer is laminated repeatedly.

Abstract translation: 提供跨带间跃迁半导体激光器以通过将多个乘法载波输入到有源区域的激光转换电平来获得高输出，以执行基于高密度的总体反演。 在子带间过渡半导体激光器中，在半导体衬底（10）的上表面上形成第一覆层（10），有源层和第二覆层（20）。 有源层将增益结构层中的载波相乘。 载体被注入有源区域层以发生激光转变。 增益结构层和有源区域层的组合反复层叠。