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公开(公告)号：KR101865752B1
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：KR1020110130309
申请日：2011-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/1804 , G02B6/12004 , G02B6/131 , H01L31/02327 , H01L31/103 , H01L31/1037 , H01L31/109 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 광검출기의형성방법이제공된다. 본발명에따른광 검출기의형성방법은반도체층이제공된기판을준비하는것, 상기반도체층내에트렌치를형성하는것, 상기트렌치내에선택적단결정성장공정에의해서제1 단결정막및 제2 단결정막을형성하는것 및상기제1 단결정막, 상기제2 단결정막및 상기반도체층을패터닝하는것에의해서제1 단결정패턴, 제2 단결정패턴및 광도파로를형성하는것을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140025265A
公开(公告)日：2014-03-04
申请号：KR1020130033585
申请日：2013-03-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/10 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L31/035254 , H01L31/18
Abstract: The present invention discloses a photodetector and a method for manufacturing the same. The detector comprises: a substrate; a first contact layer on the substrate; an amplifying layer on the first contact layer; a second contact layer on the amplifying layer; and a light absorbing layer on the second contact layer. The amplifying layer, the second contact layer, and the light absorbing layer can comprise germanium.
Abstract translation: 本发明公开了一种光检测器及其制造方法。 检测器包括：基板; 基底上的第一接触层; 第一接触层上的放大层; 放大层上的第二接触层; 和在第二接触层上的光吸收层。 放大层，第二接触层和光吸收层可以包括锗。
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公开(公告)号：KR101361058B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020090121654
申请日：2009-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
CPC classification number: G02B6/136 , G02B6/132 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2203/15 , H01L27/1203
Abstract: 광 소자를 포함하는 반도체 장치의 형성 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 반도체 기판을 준비하고, 상기 제1 영역의 반도체 기판 내에 제1 매몰 산화막을 형성하되, 제1 매몰 산화막 상 및 상기 제1 영역 내에 제1 반도체층이 정의된다. 제2 영역의 반도체 기판에 트렌치를 형성하여 활성부를 정의하고, 활성부의 측벽의 윗부분 및 상면 상에 캐핑 반도체 패턴을 형성한다. 이때, 활성부의 측벽의 아랫부분을 노출시킨다. 산화 공정을 수행하여 상기 활성부의 아랫부분 및 상기 캐핑 반도체 패턴을 산화시켜 산화막을 형성한다. 제1 반도체층에 제1 광 소자를 형성한다. 활성부의 미 산화된 부분은 광신호가 통과하는 코어이고, 코어의 일 단은 제1 광 소자에 연결된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101287196B1
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：KR1020090119308
申请日：2009-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B2006/12176 , G02B2006/12188 , H01L31/105 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 광 검출기의 제조방법 및 이에 의해 형성된 광 검출기를 제공한다. 이 광 검출기의 제조방법은, 제1 단결정 반도체층 및 제1 단결정 반도체층으로부터 돌출된 광 도파로를 형성하는 것, 제1 단결정 반도체층 상에 광 도파로를 덮는 절연막을 형성하는 것, 절연막을 식각하여 광 도파로의 상부면을 노출시키는 오프닝을 형성하는 것, 노출된 광 도파로의 상부면으로부터 제2 단결정 반도체층을 형성하는 것, 제2 단결정 반도체층의 상부면으로부터 도펀트들로 도핑된 다결정 반도체층을 선택적으로 형성하는 것을 포함할 수 있다.
광 검출기, 광 도파로, 선택적 성장-
公开(公告)号：KR1020130063767A
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：KR1020110130309
申请日：2011-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/1804 , G02B6/12004 , G02B6/131 , H01L31/02327 , H01L31/103 , H01L31/1037 , H01L31/109 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A method for forming photodetectors is provided to simplify a manufacturing process by forming an optical waveguide, a first single crystal pattern, and a second single crystal pattern at the same time. CONSTITUTION: A buried insulating layer(110) and a semiconductor layer are formed on a substrate(100). A trench is formed in the semiconductor layer. A doping region(123) is formed in a part of the semiconductor layer. A first single crystal layer and a second single crystal layer are formed in the trench. The first single crystal layer, the second single crystal layer, and the semiconductor layer are patterned to form a first single crystal pattern(145), a second single crystal pattern(155), and an optical waveguide(125).
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成光电检测器的方法，以通过同时形成光波导，第一单晶图案和第二单晶图案来简化制造过程。 构成：在基板（100）上形成掩埋绝缘层（110）和半导体层。 在半导体层中形成沟槽。 掺杂区域（123）形成在半导体层的一部分中。 在沟槽中形成第一单晶层和第二单晶层。 将第一单晶层，第二单晶层和半导体层图案化以形成第一单晶图案（145），第二单晶图案（155）和光波导（125）。
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公开(公告)号：KR1020110064885A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090121654
申请日：2009-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/04
CPC classification number: G02B6/136 , G02B6/132 , G02F1/2257 , G02F2001/212 , G02F2203/15 , H01L27/1203
Abstract: PURPOSE: A method for forming a semiconductor device with an optical device is provided to surround a core using an oxide film by a trench oxidation process, thereby making an optical waveguide with superior reliability. CONSTITUTION: A first buried oxide film(205a) is formed in a substrate of a first area(190). A trench is formed on a substrate of a second area(193) to define an active part. A capping semiconductor pattern is formed on the top of the active part. First optical devices(250,350) are formed on a first semiconductor layer. A part of the active part which is not oxidized is a core(220a) through which an optical signal passes.
Abstract translation: 目的：提供一种利用光学器件形成半导体器件的方法，通过沟槽氧化处理使用氧化膜包围芯，由此制造具有优异可靠性的光波导。 构成：第一掩埋氧化膜（205a）形成在第一区域（190）的衬底中。 在第二区域（193）的基板上形成沟槽以限定有源部分。 在有源部分的顶部形成封盖半导体图形。 第一光学器件（250,350）形成在第一半导体层上。 未被氧化的有源部分的一部分是光信号通过的芯（220a）。
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公开(公告)号：KR1020110062547A
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090119308
申请日：2009-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B2006/12176 , G02B2006/12188 , H01L31/105 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: An optical detector and a manufacturing method thereof are provided to simplify the process of forming a polycrystalline semiconductor layer, by growing the polycrystalline semiconductor layer from a single-crystalline semiconductor layer selectively. CONSTITUTION: A first single-crystalline semiconductor layer(121) and an optical waveguide(123) are formed. The optical waveguide is projected from the first single-crystalline semiconductor layer. An insulation layer(130,140) is formed on the first single-crystalline semiconductor layer. The insulation layer covers the optical waveguide. An opening(131) is formed by etching the insulation layer. The opening reveals the top surface of the optical waveguide. A second single-crystalline semiconductor layer(132) is formed in the opening. A polycrystalline semiconductor layer(133) doped with dopants is selectively formed, from the top surface of the second single-crystalline semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：通过选择性地从单晶半导体层生长多晶半导体层，提供光学检测器及其制造方法，以简化形成多晶半导体层的工艺。 构成：形成第一单晶半导体层（121）和光波导（123）。 光波导从第一单晶半导体层突出。 在第一单晶半导体层上形成绝缘层（130,140）。 绝缘层覆盖光波导。 通过蚀刻绝缘层形成开口（131）。 开口显示光波导的顶表面。 在开口中形成第二单晶半导体层（132）。 从第二单晶半导体层的顶表面选择性地形成掺杂有掺杂剂的多晶半导体层（133）。
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公开(公告)号：KR1020100072609A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131060
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/76251
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device is provided to improve reliability through controlling thickness of an upper layer by forming an insulating layer without the loss of the thickness of an upper layer by using an inhibiting oxidation layer. CONSTITUTION: A first and second layers(110,130) are formed on the top of a substrate. An ion implantation layer(120) is formed between the first and second layers. An inhibiting oxidation layer(150) is formed on the second layer. By performing an annealing process, the loss of the second layer is controlled with the oxidation stop layer. An insulating layer is formed between the first and second layers. The oxidation stop layer comprises a poly-silicon or a crystalline silicon.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件的制造方法，通过使用抑制氧化层，通过形成绝缘层而不损失上层的厚度来控制上层的厚度来提高可靠性。 构成：在衬底的顶部上形成第一和第二层（110,130）。 在第一和第二层之间形成离子注入层（120）。 在第二层上形成抑制氧化层（150）。 通过进行退火处理，用氧化停止层控制第二层的损失。 在第一和第二层之间形成绝缘层。 氧化停止层包括多晶硅或结晶硅。
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