公开(公告)号：KR1020110111649A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：KR1020100030825

申请日：2010-04-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 함창우 ,  송기봉 ,  조정민

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 태양 전지의 형성 방법이 제공된다. 이 태양 전지의 형성방법은 하부 전극층에 다원소 화합물 반도체를 포함하는 박막층을 형성하고, 박막층에 수열 합성 반응을 수행하여서 나노 입자들의 배열이 치밀화된 광흡수층을 형성하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR101353618B1

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：KR1020100081632

申请日：2010-08-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조정민 ,  배은진 ,  함창우 ,  서정대 ,  정명애 ,  송기봉

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은, CuCl
2 , InCl
3 및 SeC(NH
2 )
2 전구체 용액들을 질소분위기 및 상온에서 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계; 상기 혼합용액을 스프레이 공정을 이용하여 기판 위에 분사시킨 후 건조시켜 박막을 제조하는 단계; 및 상기 박막을 Se 분위기에서 셀렌화하는 단계를 포함하는 스프레이 공정을 이용하여 광흡수층 박막을 제조하는 방법 및 유리기판 위에 스퍼터링 공정으로 하부전극층을 제조하는 단계; 상기 하부전극층 위에 상기 스프레이 고정을 이용하여 광흡수층을 제조하는 단계; 상기 광흡수층 위에 화학기상 증착법으로 버퍼층을 제조하는 단계; 상기 버퍼층 위에 스퍼터링 공정으로 윈도우층을 제조하는 단계; 및 상기 윈도우층 위에 상부전극층을 제조하는 단계를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101271753B1

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：KR1020090112414

申请日：2009-11-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서정대 ,  송기봉 ,  함창우 ,  정명애 ,  손승원

IPC: H01L31/0445

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 태양전지의 박막형 광 흡수층 제조 방법이 제공된다. 광 흡수층 제조 방법은, CIGS 결정 분말을 챔버의 증발원에 충전시키는 단계, CIGS 결정 분말을 동시에 증발시키는 단계 및 증발된 CIGS 결정 분말을 기판에 증착시켜 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함한다.
광 흡수층, CIGS, 결정 분말

公开(公告)号：KR1020110098598A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020100081632

申请日：2010-08-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조정민 ,  배은진 ,  함창우 ,  서정대 ,  정명애 ,  송기봉

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0216

Abstract: 본 발명은, CuCl
2 , InCl
3 및 SeC(NH
2 )
2 전구체 용액들을 질소분위기 및 상온에서 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계; 상기 혼합용액을 스프레이 공정을 이용하여 기판 위에 분사시킨 후 건조시켜 박막을 제조하는 단계; 및 상기 박막을 Se 분위기에서 셀렌화하는 단계를 포함하는 스프레이 공정을 이용하여 광흡수층 박막을 제조하는 방법 및 유리기판 위에 스퍼터링 공정으로 하부전극층을 제조하는 단계; 상기 하부전극층 위에 상기 스프레이 고정을 이용하여 광흡수층을 제조하는 단계; 상기 광흡수층 위에 화학기상 증착법으로 버퍼층을 제조하는 단계; 상기 버퍼층 위에 스퍼터링 공정으로 윈도우층을 제조하는 단계; 및 상기 윈도우층 위에 상부전극층을 제조하는 단계를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020110055830A

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：KR1020090112414

申请日：2009-11-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서정대 ,  송기봉 ,  함창우 ,  정명애 ,  손승원

IPC: H01L31/0445

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film type absorbing layer, a method for manufacturing a thin film solar battery using the same, and a thin film solar battery are provided to form a light absorbing layer by a heat evaporation deposition method, thereby forming a CIGS(Cu-In-Ga-Se) thin film type light absorbing layer with high quality. CONSTITUTION: An evaporation source of a chamber is charged by CIGS crystalline powder(S10). The CIGS crystalline powder has the diameter of 10 nano meters ~ 2 micro meters. The CIGS crystalline powder is simultaneously evaporated(S20). The evaporated CIGS crystalline powder is evaporate on the substrate to form a thin CIGS film(S30). A selenization process is performed to enhance the features of the thin CIGS film(S40).

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜型吸收层的制造方法，使用其的薄膜太阳能电池的制造方法以及薄膜太阳能电池，通过热蒸镀法形成光吸收层，形成 CIGS（Cu-In-Ga-Se）薄膜型光吸收层。 构成：室内蒸发源由CIGS结晶粉末（S10）充电。 CIGS结晶粉末的直径为10纳米〜2微米。 CIGS结晶粉末同时蒸发（S20）。 蒸发的CIGS结晶粉末在衬底上蒸发以形成薄CIGS膜（S30）。 执行硒化处理以增强薄CIGS膜的特征（S40）。