公开(公告)号：KR1020110064884A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：KR1020090121653

申请日：2009-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김인규 ,  박대서 ,  홍준택 ,  김경옥

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76264 ,  H01L29/0657

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and forming method thereof are provided to support a core semiconductor pattern by a semiconductor pattern, thereby minimizing the bending of the core semiconductor pattern. CONSTITUTION: A first buried oxide film(110a,110b) is formed in a semiconductor substrate(100). A support semiconductor pattern(140a,140b) contacts one sidewall of a core semiconductor pattern(130). The first buried oxide film is located under the core semiconductor pattern. The first buried oxide film is eliminated. The gap between the core semiconductor pattern and the semiconductor substrate is filled with a second buried oxide film.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其形成方法以通过半导体图案来支撑芯半导体图案，从而使芯半导体图案的弯曲最小化。 构成：在半导体衬底（100）中形成第一掩埋氧化膜（110a，110b）。 支撑半导体图案（140a，140b）接触芯半导体图案（130）的一个侧壁。 第一掩埋氧化膜位于芯半导体图案之下。 第一掩埋氧化膜被消除。 芯半导体图案和半导体衬底之间的间隙填充有第二掩埋氧化物膜。

公开(公告)号：KR101278611B1

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：KR1020090121653

申请日：2009-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김인규 ,  박대서 ,  홍준택 ,  김경옥

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76264 ,  H01L29/0657

Abstract: 반도체 장치 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 반도체 기판 내에 제1 매몰 산화막을 형성하고, 제1 매몰 산화막 상의 반도체층을 패터닝하여 코어 반도체 패턴 및 코어 반도체 패턴의 일측벽에 접촉된 서포트 반도체 패턴을 형성한다. 이어서, 코어 반도체 패턴 아래에 위치한 제1 매몰 산화막을 제거한다. 이어서, 코어 반도체 패턴 및 반도체 기판 사이를 채우는 제2 매몰 산화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR101361058B1

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：KR1020090121654

申请日：2009-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김인규 ,  박대서 ,  홍준택 ,  김경옥

IPC: H01L27/04

CPC classification number: G02B6/136 ,  G02B6/132 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02F2203/15 ,  H01L27/1203

Abstract: 광 소자를 포함하는 반도체 장치의 형성 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 반도체 기판을 준비하고, 상기 제1 영역의 반도체 기판 내에 제1 매몰 산화막을 형성하되, 제1 매몰 산화막 상 및 상기 제1 영역 내에 제1 반도체층이 정의된다. 제2 영역의 반도체 기판에 트렌치를 형성하여 활성부를 정의하고, 활성부의 측벽의 윗부분 및 상면 상에 캐핑 반도체 패턴을 형성한다. 이때, 활성부의 측벽의 아랫부분을 노출시킨다. 산화 공정을 수행하여 상기 활성부의 아랫부분 및 상기 캐핑 반도체 패턴을 산화시켜 산화막을 형성한다. 제1 반도체층에 제1 광 소자를 형성한다. 활성부의 미 산화된 부분은 광신호가 통과하는 코어이고, 코어의 일 단은 제1 광 소자에 연결된다.

公开(公告)号：KR1020110064885A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：KR1020090121654

申请日：2009-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김인규 ,  박대서 ,  홍준택 ,  김경옥

IPC: H01L27/04

CPC classification number: G02B6/136 ,  G02B6/132 ,  G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02F2203/15 ,  H01L27/1203

Abstract: PURPOSE: A method for forming a semiconductor device with an optical device is provided to surround a core using an oxide film by a trench oxidation process, thereby making an optical waveguide with superior reliability. CONSTITUTION: A first buried oxide film(205a) is formed in a substrate of a first area(190). A trench is formed on a substrate of a second area(193) to define an active part. A capping semiconductor pattern is formed on the top of the active part. First optical devices(250,350) are formed on a first semiconductor layer. A part of the active part which is not oxidized is a core(220a) through which an optical signal passes.

Abstract translation: 目的：提供一种利用光学器件形成半导体器件的方法，通过沟槽氧化处理使用氧化膜包围芯，由此制造具有优异可靠性的光波导。 构成：第一掩埋氧化膜（205a）形成在第一区域（190）的衬底中。 在第二区域（193）的基板上形成沟槽以限定有源部分。 在有源部分的顶部形成封盖半导体图形。 第一光学器件（250,350）形成在第一半导体层上。 未被氧化的有源部分的一部分是光信号通过的芯（220a）。