정공 수송/주입 능력이 있는 화합물과 이를 포함하는분자자기조립막을 갖춘 유기 전기발광 소자
    1.
    发明公开
    정공 수송/주입 능력이 있는 화합물과 이를 포함하는분자자기조립막을 갖춘 유기 전기발광 소자 失效
    具有包含其自组装层的孔的转移/注入能力和有机电致发光元件的化合物

    公开(公告)号:KR1020030021674A

    公开(公告)日:2003-03-15

    申请号:KR1020010055046

    申请日:2001-09-07

    CPC classification number: B82Y30/00 B82Y10/00 Y10S428/917

    Abstract: PURPOSE: Provided are a compound having hole transfer/injection ability, which is excellent in adhesive ability, heat-stability, and time-stability, and an organic electroluminescent element having a self-assembled layer containing the compound, which is excellent in electrical properties and optical properties. CONSTITUTION: The compound having the hole transfer/injection ability is represented by the formula: Ar-R-SiX3 and the organic electroluminescent element contains a cathode, a hole transfer/injection layer, an organic luminescent layer, an electron transfer/injection layer, an anode, and the self-assembled layer placed between the cathode and the hole transfer/injection layer and comprising the compound represented by the formula: Ar-R-SiX3. In the formula, Ar is a functional group having the hole transfer/injection ability, wherein R1-R3 are identically or differently hydrogen atom, two aryl groups, or amine group having substituted aryl, or C1-C22 alkyl or alkoxy group, R is C1-C22 alkyl group, and X is alkoxy or halogen.

    Abstract translation: 目的:提供具有优异的粘合性,热稳定性和时间稳定性的具有空穴转移/注射能力的化合物,以及具有含有该化合物的自组装层的有机电致发光元件,其电性能优异 和光学性质。 构成:具有空穴转移/注入能力的化合物由下式表示:Ar-R-SiX 3,有机电致发光元件含有阴极,空穴转移/注入层,有机发光层,电子转移/注入层, 阳极,以及置于阴极和空穴传输/注入层之间的自组装层,并且包含由下式表示的化合物:Ar-R-SiX 3。 在该式中,Ar是具有空穴转移/注入能力的官能团,其中R1-R3相同或不同,氢原子,两个芳基或具有取代芳基的胺基或C1-C22烷基或烷氧基,R是 C1-C22烷基,X是烷氧基或卤素。

    임베드된 패턴 구조체를 갖는 몰드 및 도금을 이용하여 나노 금속 패턴의 전사 방법 및 이를 통해 제조된 기판
    7.
    发明授权
    임베드된 패턴 구조체를 갖는 몰드 및 도금을 이용하여 나노 금속 패턴의 전사 방법 및 이를 통해 제조된 기판 有权
    使用具有类似结构和电镀的模具以及由其制造的基板来转移纳米金属图案的方法

    公开(公告)号:KR101522283B1

    公开(公告)日:2015-05-21

    申请号:KR1020140032129

    申请日:2014-03-19

    Abstract: 본발명에따른금속패턴전사방법은패턴구조체(13)가임베드(imbed)된몰드기판(10)을준비하는단계, 상기몰드기판(10)의임베드된패턴구조체(13) 상에타겟금속패턴(22)을공급하는단계, 상기몰드기판(10)에타겟기판(20)을결합하여상기타겟금속패턴(22)을상기타겟기판(20) 상에전사하는단계, 및상기타겟기판(20)을상기몰드기판(10)으로부터분리하는단계를포함하고, 상기타겟금속패턴(22)을상기임베드된패턴구조체(13) 상에공급하는것은도금방식으로수행된다.

    Abstract translation: 根据本发明的用于转移纳米金属图案的方法包括制备埋设有图案结构(13)的模具基板(10)的步骤,在嵌入图案结构(13)上提供目标金属图案(22)的步骤 ),将所述模具基板(10)与目标基板(20)组合并将所述目标金属图案(22)转印到所述目标基板(20)上的步骤,以及将所述目标基板 基板(20)到模具基板(10)。 执行将目标金属图案(22)供应到嵌入图案结构(13)上的电镀方法。

    은 나노와이어 제조방법
    8.
    发明公开
    은 나노와이어 제조방법 审中-实审
    银纳米线的制造方法

    公开(公告)号:KR1020150020452A

    公开(公告)日:2015-02-26

    申请号:KR1020130096902

    申请日:2013-08-14

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 은 나노와이어 제조방법은, 폴리올에 분산안정제를 첨가하고 교반하여 제1 용액을 형성하는 단계; 폴리올에 분산 안정제, 은 전구체, 할로겐 이온 공여체 및 초순수(deionized water)를 첨가하여 제2 용액을 형성하는 단계; 상기 제1 용액에 상기 제2 용액을 첨가하여 제3 용액을 형성하고, 상기 제3 용액을 제1 온도에서 제2 온도로 승온시키는 단계; 및 상기 제2 온도에서 상기 제3 용액을 반응시켜 은 나노와이어를 형성하는 단계;를 제공할 수 있다.

    Abstract translation: 在本发明的一个实施方案中提供了一种制造具有高纵横比的银纳米线的方法。 本发明实施方式的银纳米线的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:通过向多元醇中加入分散稳定剂并搅拌形成第一溶液; 通过向多元醇中加入分散稳定剂,银前体,卤素离子供体和去离子水形成第二溶液; 通过将第二溶液添加到第一溶液中并将第三溶液的温度从第一温度升高到第二温度来形成第三溶液; 并通过在第二温度下使第三溶液反应形成银纳米线。

    시클로헥실 또는 페닐이 치환된 실릴기를 측쇄로 구비하는폴리(p-페닐렌비닐렌)유도체, 이를 포함한 전기발광소자및 동 유도체의 제조방법
    9.
    发明公开
    시클로헥실 또는 페닐이 치환된 실릴기를 측쇄로 구비하는폴리(p-페닐렌비닐렌)유도체, 이를 포함한 전기발광소자및 동 유도체의 제조방법 失效
    聚(对苯乙烯)衍生物含环己基或苯基取代的硅烷基作为侧链,含有它们的电致发光元件和生产衍生物的方法

    公开(公告)号:KR1020030009729A

    公开(公告)日:2003-02-05

    申请号:KR1020010044307

    申请日:2001-07-23

    Abstract: PURPOSE: Provided are a poly(p-phenylenevinylene) derivative containing a cyclohexyl- or phenyl-substituted silyl group as a side chain, which is excellent in thermal property and luminescent efficiency and used as a material of an electroluminescent element, and the electroluminescent element containing the derivative. CONSTITUTION: The poly(p-phenylenevinylene) derivative represented by the formula I is produced by polymerizing a monomer represented by the formula II. And the electroluminescent element contains a polymer luminescent layer formed by the derivative represented by the formula I. In the formula, R is a cyclohexyl- or phenyl substituted silyl group, m is an integer of 1-4, and A is a halogen atom, wherein the silyl contains C1-C20 linear or branched alkyl.

    Abstract translation: 目的:提供含有作为侧链的环己基或苯基取代的甲硅烷基的聚(对亚苯基亚乙烯基)衍生物,其热性质和发光效率优异,并且用作电致发光元件的材料,并且电致发光元件 含有衍生物。 构成:由式I表示的聚(对亚苯基亚乙烯基)衍生物通过聚合由式II表示的单体制备。 电致发光元件含有由式I表示的衍生物形成的高分子发光层。式中,R为环己基或苯基取代甲硅烷基,m为1-4的整数,A为卤素原子, 其中甲硅烷基含有C 1 -C 20直链或支链烷基。

    산화아연박막의 반사방지 처리방법 및 그를 이용한 태양전지 제조방법
    10.
    发明公开
    산화아연박막의 반사방지 처리방법 및 그를 이용한 태양전지 제조방법 有权
    用于处理氧化锌的反应方法和使用该氧化锌的太阳能电池制造方法

    公开(公告)号:KR1020110043402A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:KR1020100030874

    申请日:2010-04-05

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L21/3063 H01L31/04

    Abstract: PURPOSE: A method for processing the anti-reflection of a zinc oxide thin film and a method for manufacturing a solar cell using the same are provided to minimize the reflectivity of a polycrystalline zinc oxide thin film by etching the polycrystalline zinc oxide thin film formed on a substrate. CONSTITUTION: A polycrystalline zinc oxide thin film(20) is formed on a substrate(10). The surface of the polycrystalline zinc oxide thin film is roughly processed. The polycrystalline zinc oxide thin film formed on the substrate is wet-etched with etchant mixed with nitric acid and peroxide.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于处理氧化锌薄膜的抗反射的方法和使用其的太阳能电池的制造方法,以通过蚀刻形成在多晶氧化锌薄膜上的多晶氧化锌薄膜来最小化多晶氧化锌薄膜的反射率 底物。 构成:在基板(10)上形成多晶氧化锌薄膜(20)。 大致加工多晶氧化锌薄膜的表面。 将形成在基板上的多晶氧化锌薄膜用与硝酸和过氧化物混合的蚀刻剂进行湿式蚀刻。

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