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公开(公告)号：KR1020090067905A
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：KR1020070135728
申请日：2007-12-21
Applicant: 한국지질자원연구원
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26586 , H01L21/26506
Abstract: A method for distributing a film uniformly in a longitudinal direction of an atom is provided to reduce ion implantation time by implementing uniform distribution through a single process. A desired thickness for ion implantation is selected. Ion beam energy and incident angle are calculated in accordance with the selected thickness for ion implantation. Irradiation dose requested for ion etching in implanting the calculated ion beam energy at the incident angle is calculated. Element composition for ion implantation is determined through electronic simulation of ion implantation and ion etching.
Abstract translation: 提供了在原子的纵向方向上均匀分布膜的方法，以通过通过单一工艺实现均匀分布来减少离子注入时间。 选择用于离子注入的期望厚度。 根据所选择的离子注入厚度计算离子束能量和入射角。 计算在入射角度下植入计算出的离子束能量时所需的离子蚀刻的照射剂量。 通过离子注入和离子蚀刻的电子模拟确定离子注入的元素组成。
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公开(公告)号：KR1020110124868A
公开(公告)日：2011-11-18
申请号：KR1020100044296
申请日：2010-05-12
Applicant: 한국지질자원연구원
Abstract: PURPOSE: A nondestructive analyzing method of hexavalent chromium is provided to increase an analyzing time by omitting a pre-processing step which extracts chromium from a sample. CONSTITUTION: A nondestructive analyzing method of hexavalent chromium is as follows. The hexavalent chromium Raman intensity of an analysis object sample is obtained using by using a Raman spectroscopy method. The Raman spectroscopy is proceed by radiating wavelength laser, 532nm of 10~30mW, to the sample. If the hexavalent chromium content value is 120 mg/kg~1400 mg/kg, a contained quantity value according to the relational expression regards with an absolute value of hexavalent chromium contained in the analysis object sample.
Abstract translation: 目的：提供六价铬的非破坏性分析方法，通过省略从样品中提取铬的预处理步骤来增加分析时间。 构成：六价铬的非破坏性分析方法如下。 使用拉曼光谱法获得分析对象样品的六价铬拉曼强度。 拉曼光谱法通过向样品辐射波长为532nm的波长激光器（10〜30mW）进行。 如果六价铬含量值为120mg / kg〜1400mg / kg，则根据关系式的含量与分析对象样品中含有的六价铬的绝对值相关。
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公开(公告)号：KR100908653B1
公开(公告)日：2009-07-21
申请号：KR1020070135728
申请日：2007-12-21
Applicant: 한국지질자원연구원
IPC: H01L21/265
Abstract: 본 발명은 기울임 이온주입에 의한 원자의 깊이방향 균일 분포 방법에 관한 것으로, 저에너지의 이온을 기판의 표면에 대해 경사지게 주입하여 단일 공정으로도 비정거리까지 균일한 분포로 원소를 주입할 수 있도록 함을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 기울임 이온주입에 의한 원자의 깊이방향 균일 분포 방법으로, 표면으로부터 원하는 두께(x)까지 균일한 분포의 이온을 주입하려면 x = R
p /cos(θ
in )의 관계를 가지는 비정거리(R
p )에 해당하는 에너지와 입사각을 선택한다. 여기서 비정거리 로 계산되며 는 저지능(stopping power)이고 는 이온빔의 초기에너지이다. 이어서, 상기 공정에서 결정된 이온빔의 조건으로 이온주입하였을 때, R
p 만큼의 이온식각(ion sputtering)되는 조사량이며 이온식각률은 SRIM 등의 전산프로그램으로 수치 계산하여 얻을 수 있다. 전술한 공정조건으로 이온주입과 이온식각이 동시에 작용하는 동적이온주입(dynamic ion implantation)상황을 전산모사(computer simulation)하여 이온주입 원소의 함량 결정한다.
이온주입, 기울임 입사, 웨이퍼, 에너지Abstract translation: 提供了一种沿原子的纵向均匀分布膜的方法，以通过单一工艺实现均匀分布来减少离子注入时间。 选择离子注入的期望厚度。 根据选定的离子注入厚度计算离子束能量和入射角。 计算在入射角处注入计算的离子束能量时所要求的用于离子蚀刻的照射剂量。 通过离子注入和离子蚀刻的电子模拟确定用于离子注入的元素组成。
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