-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110124868A
公开(公告)日：2011-11-18
申请号：KR1020100044296
申请日：2010-05-12
Applicant: 한국지질자원연구원
Abstract: PURPOSE: A nondestructive analyzing method of hexavalent chromium is provided to increase an analyzing time by omitting a pre-processing step which extracts chromium from a sample. CONSTITUTION: A nondestructive analyzing method of hexavalent chromium is as follows. The hexavalent chromium Raman intensity of an analysis object sample is obtained using by using a Raman spectroscopy method. The Raman spectroscopy is proceed by radiating wavelength laser, 532nm of 10~30mW, to the sample. If the hexavalent chromium content value is 120 mg/kg~1400 mg/kg, a contained quantity value according to the relational expression regards with an absolute value of hexavalent chromium contained in the analysis object sample.
Abstract translation: 目的：提供六价铬的非破坏性分析方法，通过省略从样品中提取铬的预处理步骤来增加分析时间。 构成：六价铬的非破坏性分析方法如下。 使用拉曼光谱法获得分析对象样品的六价铬拉曼强度。 拉曼光谱法通过向样品辐射波长为532nm的波长激光器（10〜30mW）进行。 如果六价铬含量值为120mg / kg〜1400mg / kg，则根据关系式的含量与分析对象样品中含有的六价铬的绝对值相关。
-
公开(公告)号：KR1020090043109A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：KR1020070108777
申请日：2007-10-29
Applicant: 한국지질자원연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 본 발명은 이온 주입에 의한 ion-cut 기술 및 웨이퍼 접합 기술을 이용한 실리콘 웨이퍼 상의 단결정 GaAs 박막 제조 방법에 관한 것으로, 그 목적은 이온 주입에 의한 ion-cut 기술과 웨이퍼 접합 기술을 이용하여 실리콘 웨이퍼와 결합된 격자 결함이 거의 없는 GaAs 단결정 박막을 제조하는 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 구성은 실리콘 웨이퍼 상에 단결정 GaAs 박막을 형성하는 방법에 있어서, GaAs 웨이퍼의 박리를 위해 이온을 GaAs 웨이퍼에 조사하는 이온 주입단계와; 이온 주입단계 전 또는 후에 GaAs 웨이퍼에 실리콘 웨이퍼와의 버퍼 층으로 사용될 산화실리콘층을 형성하는 단계와, 이후 GaAs 웨이퍼와 실리콘 웨이퍼를 세정하는 단계와, 이후 GaAs 웨이퍼와 실리콘 웨이퍼를 서로 맞붙여 놓고 중앙에 압력을 가하여 접합하는 단계로 이루어진 웨이퍼 접합단계와; 접합된 GaAs 웨이퍼와 실리콘 웨이퍼를 열처리하여 이온 조사된 GaAs 웨이퍼를 박리시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입에 의한 ion-cut 기술 및 웨이퍼 접합 기술을 이용한 실리콘 웨이퍼 상의 단결정 GaAs 박막 제조 방법을 그 기술적 사상의 특징으로 한다.
Ion-cut, 이온 주입, 웨이퍼 접합, GaAs 박막-
公开(公告)号：KR1020080062632A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020060138649
申请日：2006-12-29
Applicant: 한국지질자원연구원
CPC classification number: G01T1/2942 , G01T1/08
Abstract: A proton beam profile monitoring device using proton induced X-ray and a dosimetric film is provided to measure the dose and uniformity of proton beam by reading the dosimetric film developed using specific X-ray. A proton beam profile monitoring device using proton induced X-ray and a dosimetric film includes a pylorytic graphite plate(20) and a dosimetric film(30). The pylorytic graphite plate is 500mum thick and includes a metal thin film made of nickel. The metal thin film, 5mum thick, is deposited on the pylorytic graphite plate. Proton beam of 1~3 MeV is projected onto the metal thin film and generates proton induced X-ray. The proton induced X-ray is projected onto the dosimetric film so that the dosimetric film develops images of configuration and light absorption change for showing the dose of the proton beam.
Abstract translation: 提供使用质子诱导X射线和剂量测定膜的质子束分布监测装置，通过读取使用特定X射线显影的剂量测定膜来测量质子束的剂量和均匀性。 使用质子诱导的X射线和剂量测定膜的质子束分布监测装置包括一个解析石墨板（20）和剂量测定膜（30）。 透镜石墨板厚度为500μm，包括由镍制成的金属薄膜。 将5μm厚的金属薄膜沉积在图形石墨板上。 1〜3 MeV的质子束投射到金属薄膜上，产生质子诱导的X射线。 质子诱导的X射线被投射到剂量测定膜上，使得剂量测定膜显示出配置和光吸收变化的图像，以显示质子束的剂量。
-
公开(公告)号：KR1020050110446A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：KR1020040035461
申请日：2004-05-19
Applicant: 한국지질자원연구원
CPC classification number: C01B33/021 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/64
Abstract: 본 발명은 인의 첨가에 의해 발광효율 및 열적 내구성이 향상된 규소나노결정립 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 규소나노결정립은 과포화규소층이 형성된 절연모재의 내부에 수소 대신 인(phosphorus)을 주입하여 규소결정 표면의 비결합전자손을 마감하고, 불활성 기체분위기에서 1100℃, 2시간동안 열처리하는 단계를 포함함으로서 이루어진다.
본 발명에 따른 인의 첨가에 의해 발광효율 및 열적 내구성이 향상된 규소나노결정립은 결정립이 형성되는 모재에 과포화규소층과 더불어 인을 첨가함으로서 미세구조 규사 결정립의 발광효율을 향상시키는 효과가 있다.
그리고, 인에 의한 비전자결합손의 마감이 규소나노결정립의 형성과 마찬가지로 1100℃의 고온에서 이루어짐으로서 발광 효율의 향상효과가 후속 열처리과정에서도 감소되지 않는 열적 내구성이 제고된다.-
公开(公告)号：KR100586181B1
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1020040035461
申请日：2004-05-19
Applicant: 한국지질자원연구원
Abstract: 본 발명은 인의 첨가에 의해 발광효율 및 열적 내구성이 향상된 규소나노결정립 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 규소나노결정립은 과포화규소층이 형성된 절연모재의 내부에 수소 대신 인(phosphorus)을 주입하여 규소결정 표면의 비결합전자손을 마감하고, 불활성 기체분위기에서 1100℃, 2시간동안 열처리하는 단계를 포함함으로서 이루어진다.
본 발명에 따른 인의 첨가에 의해 발광효율 및 열적 내구성이 향상된 규소나노결정립은 결정립이 형성되는 모재에 과포화규소층과 더불어 인을 첨가함으로서 미세구조 규사 결정립의 발광효율을 향상시키는 효과가 있다.
그리고, 인에 의한 비전자결합손의 마감이 규소나노결정립의 형성과 마찬가지로 1100℃의 고온에서 이루어짐으로서 발광 효율의 향상효과가 후속 열처리과정에서도 감소되지 않는 열적 내구성이 제고된다.
규소, 규소나노결정립, 발광효율, 열적내구성, 광발광
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.018 seconds)
