公开(公告)号：KR101006488B1

公开(公告)日：2011-01-07

申请号：KR1020090021574

申请日：2009-03-13

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 윤완수 ,  김강현 ,  우병칠

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 그래핀의 전기적 특성을 제어하는 방법에 관한 것으로, 특징적으로 그래핀에 구조적 결함을 생성하여 그래핀의 전기적 특성을 제어하는 방법이며, 보다 특징적으로, 산소플라즈마를 이용하여 상기 그래핀에 구조적 결함을 생성하여 그래핀의 전체적인 모양은 변화시키지 않으며, 그래핀의 전기적 특성을 제어하고, 산소플라즈마 상태 및 산소플라즈마 인가시간과 그래핀의 전도도의 관계식을 제공하여, 매우 정밀하고 재현성 있게 그래핀의 전기적 특성을 제어할 수 있으며, 그래핀의 일부 영역의 전기적 특성만을 선택적으로 제어할 수 있으며, 그 제어 범위가 매우 넓어 전도성 내지 비전도성(절연성)까지 그래핀의 전기적 특성을 제어할 수 있는 특징이 있다.
그래핀, 전도도, 결함, 트랜지스터, 저항, 배선, 메모리,

公开(公告)号：KR1020100103124A

公开(公告)日：2010-09-27

申请号：KR1020090021574

申请日：2009-03-13

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 윤완수 ,  김강현 ,  우병칠

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: An electrical characteristic control method of a grapheme is provided to be easily adopted to a conventional semiconductor manufacturing process without changing an expensive device and a process. CONSTITUTION: An electrical characteristic of a grapheme is controlled by generating the structural defect of a graphene. A peak is formed in the location of 1300 or 1400cm^-1 in a Raman spectroscopy in the defect. The defect is generated by the heating of the grapheme, the contact with gas which is chemically reacted with the grapheme, optical irradiation including ultraviolet ray, the application of ultrasound wave, or the contact with plasma.

Abstract translation: 目的：提供一种字形的电气特征控制方法，以便在不改变昂贵的装置和工艺的情况下容易地采用传统的半导体制造工艺。 构成：通过产生石墨烯的结构缺陷来控制图形的电特性。 在缺陷中的拉曼光谱中，在1300或1400cm ^ -1的位置形成峰。 该缺陷是通过加热图形，与与图形化学反应的气体的接触，包括紫外线的光照射，超声波的应用或与等离子体的接触而产生的。