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公开(公告)号：KR1020090025842A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020070090987
申请日：2007-09-07
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336 , H01L29/78 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L21/02606 , H01L29/7831 , H01L51/0048
Abstract: A manufacturing method of multi-gate carbon nanotube device is provided to integrate easily gate device using a current standard or a carbon nanotube conductive channel and to have reliability and reproducibility. A manufacturing method of multi-gate carbon nanotube device comprises steps of: aligning silicon wafer, laminating doped polysilicon(14) and forming the first, the second and third gates(11,12,13); forming an interlayer insulating film(20) on the wafer; laminating raw material(30) of the carbon nanotube(40) on the substrate; forming the carbon nanotube by growing the raw material in order to be crossed with each gate; forming source(50) and drain(60) in both ends of the carbon nanotube; forming a metal pad(70) for connecting source, drain and each gate to outside; and forming metal pad and progressing a metallization process.
Abstract translation: 提供多栅极碳纳米管器件的制造方法，以容易地使用电流标准或碳纳米管导电通道的栅极器件集成并具有可靠性和再现性。 多栅极碳纳米管器件的制造方法包括以下步骤：对准硅晶片，层叠掺杂多晶硅（14）并形成第一，第二和第三栅极（11,12,13）; 在晶片上形成层间绝缘膜（20）; 将碳纳米管（40）的原料（30）层压在基板上; 通过生长原料以形成碳纳米管，以便与每个栅极交叉; 在碳纳米管的两端形成源极（50）和漏极（60）; 形成用于将源极，漏极和每个栅极连接到外部的金属焊盘（70） 并形成金属垫并进行金属化处理。
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公开(公告)号：KR100927634B1
公开(公告)日：2009-11-20
申请号：KR1020070090987
申请日：2007-09-07
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336 , H01L29/78 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 멀티 게이트 나노튜브 소자의 제조 방법 및 그 소자에 관한 것으로, 특히 도핑된 폴리 게이트들에 전기장을 인가하는 방법을 통해 신뢰성이 있으며 재현 가능한 터널링 장벽 형성이 가능할 뿐만 아니라, 종래의 CMOS기술을 접목하여 기존 생산 공정의 획기적 변화 없이도 고집적 대량생산이 가능한 멀티 게이트 나노튜브 소자의 제조 방법 및 그 소자에 관한 것이다.
이를 실현하기 위한 본 발명은 (a) 실리콘 웨이퍼를 정렬 공정(align-key) 후에 그 위에 도핑된 폴리실리콘을 적층한 뒤에 적어도 3개의 제1, 제2, 및 제3 게이트를 형성하는 단계; (b) 상기 각 게이트와 탄소 나노튜브와의 전기적 절연을 위해 웨이퍼 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; (c) 상기 게이트와 수직 방향의 양단 또는 한쪽에 탄소 나노튜브의 원재료와 촉매를 기판상에 적층하는 준비 단계; (d) 원재료와 촉매의 반응에 의해 상기 원재료를 성장시켜 각 게이트와 교차되도록 탄소 나노튜브를 형성시켜 주는 단계; (e) 상기 탄소 나노튜브의 양단에 각각 소스와 드레인을 형성하는 단계; (f) 상기 소스와 드레인 그리고 각각의 게이트에 외부와 연결하기 위한 금속 패드를 형성하는 단계; 및 (g) 금속 패드를 형성한 뒤에 금속화 공정을 진행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
탄소 나노튜브, 다중 게이트, 양자점, 단전자 소자, 전류표준, 양자전산, 큐빗, 카본 나노튜브, 퀀텀 게이트Abstract translation: 本发明提供一种多栅极碳纳米管器件的制造方法，使得采用现有标准或碳纳米管导电沟道的栅极器件易于集成，并具有可靠性和重现性。 一种多栅碳纳米管器件的制造方法，包括以下步骤：对齐硅晶片，层叠掺杂多晶硅（14）并形成第一，第二和第三栅极（11,12,13）; 在晶片上形成层间绝缘膜（20） 将碳纳米管（40）的原材料（30）层压在基板上; 通过使原料生长以与每个浇口交叉而形成碳纳米管; 在碳纳米管的两端形成源极（50）和漏极（60）; 形成用于将源极，漏极和每个栅极连接到外部的金属焊盘（70）; 并形成金属焊盘并进行金属化工艺。
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公开(公告)号：KR100616733B1
公开(公告)日：2006-08-28
申请号：KR1020040058413
申请日：2004-07-26
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 산화 아연에 전형 금속 이온이 첨가된 산화 아연계 나노선으로 이루어지는 산화 아연계 나노 구조체 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 전형 금속 이온이 산화 아연의 격자 내에 침입 또는 치환되어 있으며, 산화 아연계 나노선(nano-wire) 또는 나노 튜브(nano-tube)의 구조로 이루어지는 산화 아연계 나노 구조체를 제공하는 것을 특징으로 한다.
산화 아연, 전형 금속, 나노 구조체-
公开(公告)号：KR101907728B1
公开(公告)日：2018-10-15
申请号：KR1020150010452
申请日：2015-01-22
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L51/56 , H01L21/683
Abstract: 본발명은증착장치에사용되는척을가공하는방법및 가공하는장치에관한것이다. 본발명의일예와관련된척 가공방법은척이사용되는공정의온도환경및 상기척의물성을이용하는유한요소법(FEM, Finite Elements Method)에따라상기척의변형을예측하는제 1 단계; 상기예측된변형의역변형형태를상기척의가공형태인제 1 형태로결정하는제 2 단계; 및상기제 1 형태에따라상기척을가공하는제 3 단계;를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100108632A
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020090026737
申请日：2009-03-30
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: B82B3/0038 , B01J13/02 , B82Y5/00 , B82Y40/00 , C23F1/32
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a porous hollow capsule is provided to control the size of pores in the porous hollow capsule using a silica template with the various pore size using radial protrusions. CONSTITUTION: A manufacturing method of a porous hollow capsule comprises the following steps: producing an encapsulated type silica composite by forming a metal or metal oxide layer on a silica template including a silica particle and radial protrusions formed on the surface of the silica particle; and selectively removing the silica template from the encapsulated type silica composite using a wet etching method.
Abstract translation: 目的：提供一种多孔中空胶囊的制造方法，以使用具有各种孔径的二氧化硅模板使用径向突起来控制多孔中空胶囊中的孔的尺寸。 构成：多孔中空胶囊的制造方法包括以下步骤：通过在二氧化硅颗粒和形成在二氧化硅颗粒的表面上的径向突起的二氧化硅模板上形成金属或金属氧化物层来制造包封型二氧化硅复合物; 并使用湿蚀刻方法从包封型二氧化硅复合物中选择性除去二氧化硅模板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060009734A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：KR1020040058413
申请日：2004-07-26
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 산화 아연에 전형 금속 이온이 첨가된 산화 아연계 나노선으로 이루어지는 산화 아연계 나노 구조체 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 전형 금속 이온이 산화 아연의 격자 내에 침입 또는 치환되어 있으며, 산화 아연계 나노선(nano-wire) 또는 나노 튜브(nano-tube)의 구조로 이루어지는 산화 아연계 나노 구조체를 제공하는 것을 특징으로 한다.
산화 아연, 전형 금속, 나노 구조체-
公开(公告)号：KR1020160090934A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150010452
申请日：2015-01-22
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L51/56 , H01L21/683
CPC classification number: H01L51/56 , H01L21/6831 , H01L2224/75744
Abstract: 본발명은증착장치에사용되는척을가공하는방법및 가공하는장치에관한것이다. 본발명의일예와관련된척 가공방법은척이사용되는공정의온도환경및 상기척의물성을이용하는유한요소법(FEM, Finite Elements Method)에따라상기척의변형을예측하는제 1 단계; 상기예측된변형의역변형형태를상기척의가공형태인제 1 형태로결정하는제 2 단계; 및상기제 1 형태에따라상기척을가공하는제 3 단계;를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于处理用于沉积设备的卡盘的方法和设备，以便即使发生下垂也向用户提供平面形卡盘。 用于处理与本发明的实施例相关的卡盘的方法包括：第一步骤，使用使用卡盘的工艺的温度环境和材料来估计卡盘的修改根据有限元法（FEM） 卡盘的性质; 将所述估计修改的反向修改形式确定为作为所述卡盘的处理形式的第一形式的第二步骤; 以及根据第一形式处理卡盘的第三步骤。
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公开(公告)号：KR101011525B1
公开(公告)日：2011-01-31
申请号：KR1020090026737
申请日：2009-03-30
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 실리카 입자 및 상기 실리카 입자 표면에 방사형 돌기가 구비된 실리카 주형체에 금속 또는 금속산화물 층을 형성하여 캡슐형 실리카 복합체를 제조하고; 상기 캡슐형 실리카 복합체로부터 습식에칭에 의해 실리카 주형체를 선택적으로 제거하여 금속 또는 금속산화물의 다공성 중공 캡슐을 제조하는 것을 포함하는 다공성 중공 캡슐 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 다공성 중공 캡슐은 방사형 돌기로 인해 다양한 기공크기를 가지게 된 실리카 주형체를 이용하여 다양한 기공크기로 조절하여 제조할 수 있다.또한 본 발명에 의한 다공성 중공 캡슐은 생리활성물질, 촉매물질, 고분자물질을 담지 할 수 있다.
다공성, 중공 캡슐, 계면활성제-
公开(公告)号：KR101006488B1
公开(公告)日：2011-01-07
申请号：KR1020090021574
申请日：2009-03-13
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 그래핀의 전기적 특성을 제어하는 방법에 관한 것으로, 특징적으로 그래핀에 구조적 결함을 생성하여 그래핀의 전기적 특성을 제어하는 방법이며, 보다 특징적으로, 산소플라즈마를 이용하여 상기 그래핀에 구조적 결함을 생성하여 그래핀의 전체적인 모양은 변화시키지 않으며, 그래핀의 전기적 특성을 제어하고, 산소플라즈마 상태 및 산소플라즈마 인가시간과 그래핀의 전도도의 관계식을 제공하여, 매우 정밀하고 재현성 있게 그래핀의 전기적 특성을 제어할 수 있으며, 그래핀의 일부 영역의 전기적 특성만을 선택적으로 제어할 수 있으며, 그 제어 범위가 매우 넓어 전도성 내지 비전도성(절연성)까지 그래핀의 전기적 특성을 제어할 수 있는 특징이 있다.
그래핀, 전도도, 결함, 트랜지스터, 저항, 배선, 메모리,-
公开(公告)号：KR1020100103124A
公开(公告)日：2010-09-27
申请号：KR1020090021574
申请日：2009-03-13
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: An electrical characteristic control method of a grapheme is provided to be easily adopted to a conventional semiconductor manufacturing process without changing an expensive device and a process. CONSTITUTION: An electrical characteristic of a grapheme is controlled by generating the structural defect of a graphene. A peak is formed in the location of 1300 or 1400cm^-1 in a Raman spectroscopy in the defect. The defect is generated by the heating of the grapheme, the contact with gas which is chemically reacted with the grapheme, optical irradiation including ultraviolet ray, the application of ultrasound wave, or the contact with plasma.
Abstract translation: 目的：提供一种字形的电气特征控制方法，以便在不改变昂贵的装置和工艺的情况下容易地采用传统的半导体制造工艺。 构成：通过产生石墨烯的结构缺陷来控制图形的电特性。 在缺陷中的拉曼光谱中，在1300或1400cm ^ -1的位置形成峰。 该缺陷是通过加热图形，与与图形化学反应的气体的接触，包括紫外线的光照射，超声波的应用或与等离子体的接触而产生的。
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