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公开(公告)号：KR1020140063253A
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020120130403
申请日：2012-11-16
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/2463 , B82Y10/00 , H01L45/06 , Y10S977/762
Abstract: Disclosed are a phase change memory cell array and a method of manufacturing the same. The phase change memory cell array includes a first carbon nanotube array which is arranged on an insulator substrate in a first direction and includes a phase change material deposited by a self-alignment method, and a second carbon nanotube array which intersects with the first carbon nanotube array and is arranged in a second direction.
Abstract translation: 公开了相变存储单元阵列及其制造方法。 相变存储单元阵列包括：第一碳纳米管阵列，其沿第一方向布置在绝缘体基板上，并且包括通过自对准方法沉积的相变材料;以及第二碳纳米管阵列，其与第一碳纳米管 阵列并且布置在第二方向上。
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公开(公告)号：KR100927634B1
公开(公告)日：2009-11-20
申请号：KR1020070090987
申请日：2007-09-07
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336 , H01L29/78 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 멀티 게이트 나노튜브 소자의 제조 방법 및 그 소자에 관한 것으로, 특히 도핑된 폴리 게이트들에 전기장을 인가하는 방법을 통해 신뢰성이 있으며 재현 가능한 터널링 장벽 형성이 가능할 뿐만 아니라, 종래의 CMOS기술을 접목하여 기존 생산 공정의 획기적 변화 없이도 고집적 대량생산이 가능한 멀티 게이트 나노튜브 소자의 제조 방법 및 그 소자에 관한 것이다.
이를 실현하기 위한 본 발명은 (a) 실리콘 웨이퍼를 정렬 공정(align-key) 후에 그 위에 도핑된 폴리실리콘을 적층한 뒤에 적어도 3개의 제1, 제2, 및 제3 게이트를 형성하는 단계; (b) 상기 각 게이트와 탄소 나노튜브와의 전기적 절연을 위해 웨이퍼 상에 층간 절연막을 형성하는 단계; (c) 상기 게이트와 수직 방향의 양단 또는 한쪽에 탄소 나노튜브의 원재료와 촉매를 기판상에 적층하는 준비 단계; (d) 원재료와 촉매의 반응에 의해 상기 원재료를 성장시켜 각 게이트와 교차되도록 탄소 나노튜브를 형성시켜 주는 단계; (e) 상기 탄소 나노튜브의 양단에 각각 소스와 드레인을 형성하는 단계; (f) 상기 소스와 드레인 그리고 각각의 게이트에 외부와 연결하기 위한 금속 패드를 형성하는 단계; 및 (g) 금속 패드를 형성한 뒤에 금속화 공정을 진행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
탄소 나노튜브, 다중 게이트, 양자점, 단전자 소자, 전류표준, 양자전산, 큐빗, 카본 나노튜브, 퀀텀 게이트Abstract translation: 本发明提供一种多栅极碳纳米管器件的制造方法，使得采用现有标准或碳纳米管导电沟道的栅极器件易于集成，并具有可靠性和重现性。 一种多栅碳纳米管器件的制造方法，包括以下步骤：对齐硅晶片，层叠掺杂多晶硅（14）并形成第一，第二和第三栅极（11,12,13）; 在晶片上形成层间绝缘膜（20） 将碳纳米管（40）的原材料（30）层压在基板上; 通过使原料生长以与每个浇口交叉而形成碳纳米管; 在碳纳米管的两端形成源极（50）和漏极（60）; 形成用于将源极，漏极和每个栅极连接到外部的金属焊盘（70）; 并形成金属焊盘并进行金属化工艺。
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公开(公告)号：KR101502556B1
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：KR1020130113913
申请日：2013-09-25
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: B01J19/2415 , C01B32/184
Abstract: 그래핀 식각장치가 개시된다. 이 그래핀 식각장치는 진공챔버; 상기 진공챔버 내부에 배치되고 그래핀 패턴 층이 안착되는 스테이지; 및 상기 그래핀 패턴 층에 전원을 인가하기 위한 전원공급부를 포함한다.
Abstract translation: 在本发明中，公开了一种包括真空室的石墨烯蚀刻装置; 安装在真空室中并具有石墨烯图案层的阶段，其中石墨烯图案层就座; 以及向石墨烯图案分配电力的供电部。 在本发明中，提供了一种石墨烯蚀刻装置，其能够防止根据能量消耗的降低而连接到石墨烯图案层的电极的修改，以及使用该方法的蚀刻方法。
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公开(公告)号：KR101414131B1
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020130006508
申请日：2013-01-21
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L27/02
Abstract: An electric current device includes a substrate, a first insulating layer which is formed on the substrate, a graphene layer which is formed on the first insulating layer, a second insulating layer which is formed on the graphene layer, and multiple gate electrodes which are formed on the second insulating layer. The graphene layer includes quantum dots which are formed by multiple gate voltages applied to the gate electrodes. Electrons are pumped to one side of the graphene layer by a microwave applied to at least one pair among the gate electrodes.
Abstract translation: 电流装置包括基板，形成在基板上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上的石墨烯层，形成在石墨烯层上的第二绝缘层，以及形成的多个栅电极 在第二绝缘层上。 石墨烯层包括由施加到栅极电极的多个栅极电压形成的量子点。 通过施加到栅电极中的至少一对的微波将电子泵送到石墨烯层的一侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090025842A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020070090987
申请日：2007-09-07
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336 , H01L29/78 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L21/02606 , H01L29/7831 , H01L51/0048
Abstract: A manufacturing method of multi-gate carbon nanotube device is provided to integrate easily gate device using a current standard or a carbon nanotube conductive channel and to have reliability and reproducibility. A manufacturing method of multi-gate carbon nanotube device comprises steps of: aligning silicon wafer, laminating doped polysilicon(14) and forming the first, the second and third gates(11,12,13); forming an interlayer insulating film(20) on the wafer; laminating raw material(30) of the carbon nanotube(40) on the substrate; forming the carbon nanotube by growing the raw material in order to be crossed with each gate; forming source(50) and drain(60) in both ends of the carbon nanotube; forming a metal pad(70) for connecting source, drain and each gate to outside; and forming metal pad and progressing a metallization process.
Abstract translation: 提供多栅极碳纳米管器件的制造方法，以容易地使用电流标准或碳纳米管导电通道的栅极器件集成并具有可靠性和再现性。 多栅极碳纳米管器件的制造方法包括以下步骤：对准硅晶片，层叠掺杂多晶硅（14）并形成第一，第二和第三栅极（11,12,13）; 在晶片上形成层间绝缘膜（20）; 将碳纳米管（40）的原料（30）层压在基板上; 通过生长原料以形成碳纳米管，以便与每个栅极交叉; 在碳纳米管的两端形成源极（50）和漏极（60）; 形成用于将源极，漏极和每个栅极连接到外部的金属焊盘（70） 并形成金属垫并进行金属化处理。
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公开(公告)号：KR101418337B1
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020120134503
申请日：2012-11-26
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L29/775 , H01L29/778
Abstract: 본 발명은 단전자 펌프에 관한 것으로 본 발명에 따른 단전자 펌프는 반도체 기판; 반도체 기판 상에서 제 1 방향을 따라 평행하게 제공되고, 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따라 서로 이격되어 제공되고, 소정의 갭을 갖는 제 1 내지 제 3 스플릿-게이트들; 제 2 방향을 따라 제 1 내지 제 3 스플릿-게이트들의 갭 상에 제공되는 중앙 게이트; 및 신호를 발생하고, 신호를 제 1 스플릿-게이트에 공급하는 신호 발생기를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140063254A
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020120130404
申请日：2012-11-16
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , B82Y10/00 , H01L45/141 , H01L45/144 , Y10S977/762
Abstract: Disclosed are a phase change memory device and a method of manufacturing the same. The phase change memory device includes an insulator substrate; a catalyst terminal which is formed on the insulator substrate; an electrode layer which includes carbon nanotubes, which are formed on the surface of a substrate from the catalyst terminal in a longitudinal direction and have a gap electrically isolated at a certain point, and a metal electrode fixed to both sides of the carbon nanotubes; and a phase change material which is formed in the gap by a self-alignment method and electrically touches the carbon nanotubes.
Abstract translation: 公开了一种相变存储器件及其制造方法。 相变存储器件包括绝缘体衬底; 形成在绝缘体基板上的催化剂端子; 包括碳纳米管的电极层，其形成在基板表面上，从催化剂端子沿长度方向形成，并且具有在某一点电隔离的间隙;以及固定在碳纳米管两侧的金属电极; 以及通过自对准方法形成在间隙中并相互电接触的碳纳米管的相变材料。
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公开(公告)号：KR101630797B1
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：KR1020150002665
申请日：2015-01-08
Applicant: 한국표준과학연구원 , 영남대학교 산학협력단
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/20
Abstract: 나노와이어어레이소자및 발광소자제조방법이개시된다. 상기나노와이어어레이소자제조방법은기판위에인듐나노와이어어레이를수직방향으로성장시키는제1단계; 상기기판상에절연층을형성하는제2단계; 상기인듐나노와이어어레이를제거하여상기절연층에관통홀을생성하는제3단계; 및상기관통홀을통하여 3-5족반도체화합물을나노와이어로성장시키는제4단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了纳米线阵列元件和制造发光元件的方法。 一种制造纳米线阵列元件的方法包括：在衬底上垂直生长铟纳米线阵列的第一步骤; 在所述基板上形成绝缘层的第二工序; 去除铟纳米线阵列并在绝缘层中产生通孔的第三步骤; 以及通过通孔生长作为纳米线的III-V族半导体化合物的第四步骤。
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公开(公告)号：KR101431684B1
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020120130404
申请日：2012-11-16
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 상 변화 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 상기 상 변화 메모리 소자는 절연체 기판; 상기 절연체 기판상에 형성되는 촉매단; 상기 촉매단으로부터 기판 표면에 길이방향으로 형성되며 임의의 지점에 전기적으로 절연된 간극이 형성된 복수개의 탄소나노튜브 및 상기 탄소나노튜브의 양단부에 고정되는 금속전극을 포함하는 전극층; 자가정렬 방식으로 상기 간극에 형성되며 상기 탄소나노튜브와 전기적으로 접촉하는 상 변화 물질을 포함한다.
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