구리산화물 나노 구조체의 제조방법 및 리튬이온 이차전지용 음극의 제조방법
    1.
    发明申请
    구리산화물 나노 구조체의 제조방법 및 리튬이온 이차전지용 음극의 제조방법 审中-公开
    制备氧化铜纳米结构的方法及其制备锂离子二次电池阳极的方法

    公开(公告)号:WO2014088252A1

    公开(公告)日:2014-06-12

    申请号:PCT/KR2013/010768

    申请日:2013-11-26

    Abstract: 본 발명은 주형 없이 경제적으로 기판 상에 구리산화물 나노 구조체를 제조할 수 있으면서 그 나노 구조체를 리튬이온 이차전지에 이용시 그 용량과 수명을 향상시키기 위하여 음극집전체를 구리 이온을 포함하는 전해용액에 침지시키는 단계 및 상기 전해용액에 침지된 상기 음극집전체 상에 전해도금법으로 구리산화물 나노 구조체를 성장시켜 음극 활물질을 형성하는 단계를 포함하는, 리튬이온 이차전지용 음극의 제조방법을 제공한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种制备锂离子二次电池的阳极的方法,以便在没有模板的基板上经济地制备氧化铜纳米结构,并且当使用纳米结构时提高锂离子二次电池的容量和寿命 所述锂离子二次电池包括以下步骤:将阳极集电体浸渍在含有铜离子的电解液中; 并通过电镀生长阳极活性材料,该阳极活性材料通过电镀生长在阳极集电体上沉积在电解质溶液中的氧化铜纳米结构。

    흑린의 형성방법
    3.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021025318A1

    公开(公告)日:2021-02-11

    申请号:PCT/KR2020/009304

    申请日:2020-07-15

    Abstract: 본 발명은 적린(Red Phosphorous)에 대하여 밀링 공정 및 소결 공정을 수행하여 흑린(Black Phosphorous)을 형성하는 과정에 주석을 첨가하는 것을 특징으로 하는, 흑린의 형성방법을 제공한다.

    수직 정렬 나노선을 포함하는 이방성 투명 전기전도성 가요성 박막 구조체 및 그 제조 방법
    5.
    发明申请
    수직 정렬 나노선을 포함하는 이방성 투명 전기전도성 가요성 박막 구조체 및 그 제조 방법 审中-公开
    各向异性,透明,电导和柔性薄膜结构,包括垂直对准的纳米粒子及其制备方法

    公开(公告)号:WO2014084562A1

    公开(公告)日:2014-06-05

    申请号:PCT/KR2013/010764

    申请日:2013-11-26

    Abstract: 본 발명은, 이방성, 투명성, 전기전도성, 가요성의 특징을 가지는 박막 구조체의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 박막 구조체의 제조 방법은, 성장 기판을 제공하는 단계; 상기 성장 기판 상에 피뢰침 효과를 이용하여 은 나노선들을 성장시키는 단계; 상기 은 나노선들을 폴리머를 이용하여 몰딩하는 단계; 및 상기 폴리머로 몰딩된 상기 은 나노선들을 상기 성장 기판에서 분리하여 프리스탠딩 이방성 투명 전기전도성 가요성 박막을 형성하는 단계;를 포함한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种制备具有各向异性,透明,导电和柔性的薄膜结构的方法。 根据本发明实施例的制备薄膜结构的方法包括以下步骤:提供生长衬底; 通过使用避雷针作用在生长衬底上生长银纳米脂; 通过使用聚合物成型银纳米脂; 以及将由聚合物模制的银纳米粒子与生长衬底分离以形成独立的,各向异性的,透明的,导电的和柔性的薄膜。

    나노 구조체 및 그 제조 방법
    7.
    发明申请
    나노 구조체 및 그 제조 방법 审中-公开
    纳米结构及其制造方法

    公开(公告)号:WO2014003338A1

    公开(公告)日:2014-01-03

    申请号:PCT/KR2013/005166

    申请日:2013-06-12

    CPC classification number: C25D3/38 C25D3/46 C25D3/48 C25D3/58 C25D5/18 C25D7/12

    Abstract: 본 발명은, 템플릿이나 계면활성제를 사용하지 않고 기판 상에 수직 성장된 나노 구조체의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 나노 구조체의 제조 방법은, 나노 구조체 형성 대상 물질을 포함하는 초희석 전해 용액을 제공하는 단계; 초희석 전해 용액 내에 전도성 기판을 침지하는 단계; 나노 구조체 형성 대상 물질을 전도성 기판에 증착시켜 나노 구조체를 형성하도록, 전도성 기판에 전자를 제공하는 환원 전압을 인가하는 단계; 및 전도성 기판에 증착된 나노 구조체의 적어도 일부를 용해시키도록, 전도성 기판에 전자를 제거하는 산화 전압을 인가하는 단계;를 포함한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种在不使用模板或表面活性剂的情况下制造在晶片上垂直生长的纳米结构的方法。 根据本发明的一个实施方案的制造纳米结构的方法包括以下步骤:提供包括用于形成纳米结构的材料的超稀释电解质; 将导电晶片浸入超稀释电解质中; 提供向导电晶片提供电子的还原电压,以便通过在导电晶片上沉积用于形成纳米结构的材料而形成纳米结构; 以及提供从导电晶片去除电子的氧化电压,以便溶解沉积在导电晶片上的纳米结构的至少一部分。

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