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公开(公告)号：WO2014088252A1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：PCT/KR2013/010768
申请日：2013-11-26
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01M4/1391 , C25D3/38 , H01M4/48 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/1391 , C25D9/08 , C25D9/10 , H01M4/0452 , H01M4/131 , H01M4/485
Abstract: 본 발명은 주형 없이 경제적으로 기판 상에 구리산화물 나노 구조체를 제조할 수 있으면서 그 나노 구조체를 리튬이온 이차전지에 이용시 그 용량과 수명을 향상시키기 위하여 음극집전체를 구리 이온을 포함하는 전해용액에 침지시키는 단계 및 상기 전해용액에 침지된 상기 음극집전체 상에 전해도금법으로 구리산화물 나노 구조체를 성장시켜 음극 활물질을 형성하는 단계를 포함하는, 리튬이온 이차전지용 음극의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种制备锂离子二次电池的阳极的方法，以便在没有模板的基板上经济地制备氧化铜纳米结构，并且当使用纳米结构时提高锂离子二次电池的容量和寿命 所述锂离子二次电池包括以下步骤：将阳极集电体浸渍在含有铜离子的电解液中; 并通过电镀生长阳极活性材料，该阳极活性材料通过电镀生长在阳极集电体上沉积在电解质溶液中的氧化铜纳米结构。
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公开(公告)号：WO2015190637A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/KR2014/005645
申请日：2014-06-25
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01L29/0676 , B82B3/00 , B82B3/0014 , B82B3/0019 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/30612 , H01L21/30635 , H01L21/3086 , H01L29/20 , Y10S977/762 , Y10S977/819 , Y10S977/888
Abstract: 본 발명은 하향식 방식으로 GaAs 반도체 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 메쉬형태의 금속박막을 대면적으로 제작하는 경제적인 방법을 통해 만들어진 금속박막을 양극 (anode)으로 이용하여 외부로부터 전압 및 전류를 인가하여 갈륨비소 기판에 정공 (h + )을 주입시킴으로써 습식 에칭공정을 지속적으로 유도하여 수직 정렬된 갈륨비소 반도체 나노선 어레이를 대면적으로 제작하는 방법과 관련이 있다. 얻어지는 대면적의 수직 정렬된 갈륨비소 반도체 나노선은 태양전지, 트랜지스터, 발광다이오드 등 나노소자 제작에 응용될 수 있다. 본 발명에서 갈륨비소 반도체 나노선의 직경은 금속박막의 메쉬 크기의 제어를 통해 조절이 가능하며, 나노선의 길이는 에칭시간, 인가전압 및 인가전류 제어를 통해 자유롭게 조절될 뿐 아니라 다른 I I I-V 반도체 나노선 어레이의 제조에 응용될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种自底向上的GaAs半导体纳米线的制造方法，更具体地说，涉及通过施加电压和电流从大面积制造垂直取向的砷化镓半导体纳米线阵列的方法 外部使用通过以大面积制造网状金属薄膜的经济方法制造的金属薄膜作为阳极，使得空穴（h +）注入到砷化镓衬底中，从而诱导 湿法蚀刻工艺不断。 所获得的大面积的垂直取向的砷化镓半导体纳米线可用于制造诸如太阳能电池，晶体管和发光二极管的纳米元件。 根据本发明，可以通过控制金属薄膜的网孔尺寸来调整砷化镓半导体纳米线的直径，并且不仅可以通过控制蚀刻时间自由调节纳米线的长度，施加的电压 和施加的电流，但是也可以应用于制造不同的III-V族半导体纳米线阵列。
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公开(公告)号：KR101511984B1
公开(公告)日：2015-04-14
申请号：KR1020120141006
申请日：2012-12-06
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01M4/1391 , C25D3/38 , H01M4/48 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/1391 , C25D9/08 , C25D9/10 , H01M4/0452 , H01M4/131 , H01M4/485
Abstract: 본발명은주형없이경제적으로기판상에구리산화물나노구조체를제조할수 있으면서그 나노구조체를리튬이온이차전지에이용시그 용량과수명을향상시키기위하여음극집전체를구리이온을포함하는전해용액에침지시키는단계및 상기전해용액에침지된상기음극집전체상에전해도금법으로구리산화물나노구조체를성장시켜음극활물질을형성하는단계를포함하는, 리튬이온이차전지용음극의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种制备锂离子二次电池的阳极的方法，以便在没有模板的基板上经济地制备氧化铜纳米结构，并且当使用纳米结构时提高锂离子二次电池的容量和寿命 所述锂离子二次电池包括以下步骤：将阳极集电体浸渍在含有铜离子的电解液中; 并通过电镀生长阳极活性材料，该阳极活性材料通过电镀生长在阳极集电体上沉积在电解质溶液中的氧化铜纳米结构。
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公开(公告)号：KR101298128B1
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：KR1020110110911
申请日：2011-10-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01M4/139 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M10/052
Abstract: 본 발명은 주석-주석산화물 하이브리드 나노구조물이 금속기판 위에 직접 생성되는 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 기판위에 직접 형성된 주석-주석산화물 하이브리드 나노구조물을 합성시 저온에서 합성이 가능하며, 종래의 합성법과는 달리 촉매 또는 첨가제를 첨가하지 않고도 제조가 가능하다.
상기 주석-주석산화물 하이브리드 나노구조물을 포함하는 리튬배터리용 음극를 제공할 수 있다.
또한 상기 음극을 포함하는 리튬이온배터리를 제공할 수 있다.
본 발명에 의해서 제조된 주석-주석산화물 하이브리드 나노구조물을 음극으로 사용한 리튬배터리는 충방전시 리튬이온이 음극 내부로 삽입 또는 외부로 탈리되는 과정에서 유발되는 부피팽창을 감소시켜 음극재의 기계적인 균열을 줄이고, 배터리의 수명을 길게 연장 할 수 있다.Abstract translation: 目的：提供一种锡 - 锡氧化物杂化纳米结构的制造方法，以在不加入催化剂或添加剂的情况下，在低温下合成形成在基板上的锡 - 锡氧化物杂化纳米结构。 构成：锡 - 锡氧化物杂化纳米结构体的制造方法包括分离金属基材和含锡的前体材料的步骤; 加热前体材料和金属基材的步骤; 在含氧转移气体从前驱体材料流入金属基板的气氛中进行热处理的工序，在金属基板上形成锡 - 锡氧化物混合纳米结构体。 转移气体包括惰性气体和氧气。 惰性气体与氧气的摩尔比为90-99：1-10。
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公开(公告)号：KR101230062B1
公开(公告)日：2013-02-05
申请号：KR1020100110210
申请日：2010-11-08
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 금속산화물의 나노구조물 제조방법 및 나노구조의 금속산화물 박막을 개시하는바, 가열 반응로 내에서, 고온의 상태인 금속산화물 박막 상에, 박막을 구성하고 있는 금속보다 산화력이 큰 원소로 되는 기체를 공급하여 금속산화물을 구성하는 금속이온을 환원시키고 반응속도론적 비평형상태를 유도함으로써 금속산화물의 나노구조물을 제조하여, 금속산화물 박막 및 금속산화물 박막 상에 형성되며, 금속산화물 박막과 동일한 조성을 갖는 나노구조물을 포함하고, 금속산화물 박막과 나노구조물의 계면에 전기적 장벽이 형성되지 않은 나노구조의 금속산화물 박막이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120048826A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：KR1020100110210
申请日：2010-11-08
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nano structure of metal oxide and a nano-structured metal oxide thin film are provided to control the density or size of an ITO nano structure according to deposition time by adjusting the speed of reaction occurring on an ITO thin film. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nano structure of metal oxide comprises the steps of: supplying gas composed of elements having larger oxidizing potential than metal elements of a high-temperature metal oxide thin film in order to reduce metal ion of metal oxide and obtain a nonequilibrium state in reaction rate, heating the metal oxide thin film, and supplying gas composed of elements having larger oxidizing potential than metal elements of the thin film to the heated thin film.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造金属氧化物和纳米结构金属氧化物薄膜的纳米结构的方法，以通过调节在ITO薄膜上发生的反应速度来控制ITO纳米结构的沉积时间的密度或尺寸 。 构成：金属氧化物纳米结构体的制造方法，其特征在于，为了降低金属氧化物的金属离子，提供由比高温金属氧化物薄膜的金属元素高的氧化电位的元素构成的气体， 反应速度的非平衡状态，加热金属氧化物薄膜，以及将由氧化电位大的元素构成的气体与由薄膜的金属元素组成的气体供应到被加热的薄膜。
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公开(公告)号：KR101588577B1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：KR1020140070745
申请日：2014-06-11
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: H01L29/0676 , B82B3/00 , B82B3/0014 , B82B3/0019 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/30612 , H01L21/30635 , H01L21/3086 , H01L29/20 , Y10S977/762 , Y10S977/819 , Y10S977/888
Abstract: 본발명은하향식방식으로 GaAs 반도체나노선을제조하는방법에관한것으로, 메쉬형태의금속박막을대면적으로제작하는경제적인방법을통해만들어진금속박막을양극(anode)으로이용하여외부로부터전압및 전류를인가하여갈륨비소기판에정공(h)을주입시킴으로써습식에칭공정을지속적으로유도하여수직정렬된갈륨비소반도체나노선어레이를대면적으로제작하는방법과관련이있다. 얻어지는대면적의수직정렬된갈륨비소반도체나노선은태양전지, 트랜지스터, 발광다이오드등 나노소자제작에응용될수 있다. 본발명에서갈륨비소반도체나노선의직경은금속박막의메쉬크기의제어를통해조절이가능하며, 나노선의길이는에칭시간, 인가전압및 인가전류제어를통해자유롭게조절될뿐 아니라다른 III-V 반도체나노선어레이의제조에응용될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130046486A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：KR1020110110911
申请日：2011-10-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01M4/139 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M10/052
CPC classification number: C01G19/00 , C01G19/02 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01M4/362 , H01M4/387 , H01M4/48 , H01M4/661 , H01M10/0525 , Y02E60/122
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a Tin-tin oxide hybrid nanostructure is provided to synthesize a tin-tin oxide hybrid nanostructure formed on a substrate at a low temperature without adding a catalyst or additives. CONSTITUTION: A manufacturing method of a tin-tin oxide hybrid nanostructure comprises a step of separating a metal substrate and a precursor material containing tin; a step of heating each of the precursor material and the metal substrate; a step of heat-treating the same in atmosphere that oxygen-containing transfer gas flows to the metal substrate from the precursor material, to form the tin-tin oxide hybrid nanostructure on the metal substrate. The transfer gas includes inert gas and oxygen. The molar ratio of the inert gas to oxygen is 90-99:1-10.
Abstract translation: 目的：提供一种锡 - 锡氧化物杂化纳米结构的制造方法，以在不加入催化剂或添加剂的情况下，在低温下合成形成在基板上的锡 - 锡氧化物杂化纳米结构。 构成：锡 - 锡氧化物杂化纳米结构体的制造方法包括分离金属基材和含锡的前体材料的步骤; 加热前体材料和金属基材的步骤; 在含氧转移气体从前驱体材料流入金属基板的气氛中进行热处理的工序，在金属基板上形成锡 - 锡氧化物混合纳米结构体。 转移气体包括惰性气体和氧气。 惰性气体与氧气的摩尔比为90-99：1-10。
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公开(公告)号：KR1020150142266A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020140070745
申请日：2014-06-11
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: H01L29/0676 , B82B3/00 , B82B3/0014 , B82B3/0019 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/30612 , H01L21/30635 , H01L21/3086 , H01L29/20 , Y10S977/762 , Y10S977/819 , Y10S977/888 , B82B3/0095
Abstract: 본발명은하향식방식으로 GaAs 반도체나노선을제조하는방법에관한것으로, 메쉬형태의금속박막을대면적으로제작하는경제적인방법을통해만들어진금속박막을양극(anode)으로이용하여외부로부터전압및 전류를인가하여갈륨비소기판에정공(h)을주입시킴으로써습식에칭공정을지속적으로유도하여수직정렬된갈륨비소반도체나노선어레이를대면적으로제작하는방법과관련이있다. 얻어지는대면적의수직정렬된갈륨비소반도체나노선은태양전지, 트랜지스터, 발광다이오드등 나노소자제작에응용될수 있다. 본발명에서갈륨비소반도체나노선의직경은금속박막의메쉬크기의제어를통해조절이가능하며, 나노선의길이는에칭시간, 인가전압및 인가전류제어를통해자유롭게조절될뿐 아니라다른 III-V 반도체나노선어레이의제조에응용될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过自上而下的方法制造GaAs半导体纳米线的制造方法，更具体而言，涉及通过施加电压或电压的方式在大面积上的垂直排列的GaAs半导体纳米线阵列的制造方法 电流从外部以金属薄膜作为阳极，将空穴（h ^ +）注入GaAs衬底中，从而连续诱导湿法蚀刻工艺，其中金属薄膜是通过成本有效的方法 制造网状大面积金属薄膜。 通过制造方法获得的大面积垂直排列的GaAs半导体纳米线可以应用于太阳能电池，晶体管，发光二极管等纳米元件的制造。GaAs半导体纳米线的直径 可以通过改变金属薄膜的网格尺寸来调整，并且可以通过改变蚀刻时间，施加电压和施加的电流来自由地调整纳米线的长度。 此外，该制造方法可以用于制造其他III-V族半导体纳米线阵列。
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公开(公告)号：KR1020140073168A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：KR1020120141006
申请日：2012-12-06
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01M4/1391 , C25D3/38 , H01M4/48 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/1391 , C25D9/08 , C25D9/10 , H01M4/0452 , H01M4/131 , H01M4/485
Abstract: The present invention provides a manufacturing method of an anode for a lithium ion secondary battery, which can economically manufacture a copper oxide nano-structure without a mold, and comprises a step of immersing an anode current collector in an electrolyte solution including copper ions, and a step of forming an anode active material by growing the copper oxide nano-structure on the anode current collector immersed in the electrolyte solution in an electroplating method, in order to improve the capacity and the lifespan of a lithium ion secondary battery when using the nano-structure in the lithium ion secondary battery.
Abstract translation: 本发明提供一种锂离子二次电池用阳极的制造方法，其能够经济地制造没有模具的氧化铜纳米结构体，并且包括将阳极集电体浸渍在包含铜离子的电解液中的工序，以及 通过以电镀法浸渍在电解液中的阳极集电体上生长氧化铜纳米结构来形成负极活性物质的步骤，以便在使用纳米颗粒时提高锂离子二次电池的容量和寿命 锂离子二次电池中的结构。
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