公开(公告)号：KR101902261B1

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：KR1020170088870

申请日：2017-07-13

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 윤정범 ,  문경웅 ,  황찬용

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 본발명은스커미온메모리소자및 그동작방법을제공한다. 이스커미온메모리소자는, 도전층과상기도전층상에적층되고수직자기이방성및 DMI를가지는자성층을포함하고상기자성층에스커미온을저장하는스커미온라인들; 상기스커미온라인들을가로지르도록배치되고상기스커미온라인들과전기적으로절연되고일정한간격으로배치된복수의전압조절도전라인들; 상기스커미온라인들각각의일단에배치되어상기스커미온라인들각각에스커미온을생성하는제1 자기터널접합소자들; 상기스커미온라인들각각의타단에배치되어상기스커미온라인들각각의스커미온의상태를독출하는제2 자기터널접합소자들; 상기전압조절도전라인들에각각연결된제1 스트링트렌지스터들; 및상기전압조절도전라인들에각각연결된제2 스트링트렌지스터들을포함한다.