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公开(公告)号：WO2016010218A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/KR2015/000458
申请日：2015-01-16
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G11B5/02 , H01L27/105 , G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0808 , G11B5/02 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0816 , G11C19/085 , H01L27/105
Abstract: 본 발명은 다수의 자구 및 상기 자구 사이에 개재된 자구벽을 구비하는 자성 구조체에, 상기 자구벽의 자화방향에 나란한 제 1 방향으로 제 1 자기장 및 상기 자구의 자화방향에 나란한 제 2 방향으로 제 2 자기장을 인가하는 제 1 단계; 및 상기 자성 구조체에 상기 제 1 방향의 역방향으로 제 3 자기장 및 상기 제 2 방향의 역방향으로 제 4 자기장을 인가하는 제 2 단계;를 포함하여 수행함으로써, 상기 자구벽을 상기 자구벽의 자화방향 또는 상기 자구의 자화방향과 나란한 방향으로 균일하게 이동시킬 수 있으며, 다수의 자구 및 상기 자구 사이에 개재된 자구벽을 구비하는 자성 구조체에, 상기 자구벽의 자화방향 및 상기 자구의 자화방향과 각각 나란하지 않은 자기장을 인가하는 제 1 단계; 및 상기 자성 구조체에 상기 자기장 방향의 역방향으로 또 다른 자기장을 인가하는 제 2 단계;를 포함하여 수행함으로써, 상기 자구벽을 상기 자구벽의 자화방향 또는 상기 자구의 자화방향과 나란한 방향으로 균일하게 이동시킬 수 있는 자성 구조체의 자구벽 제어 방법 및 상기 제어 방법에 따른 상기 자성 구조체를 포함하는 자기 메모리 소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种用于控制磁结构的磁畴壁的方法和包括根据控制方法的磁结构的磁存储器件。 控制方法包括：第一步骤，用于将第一和第二磁场施加到磁性结构，所述磁性结构包括插入在所述磁畴之间的多个磁畴和磁畴壁，其中所述第一磁场沿平行于所述磁畴的第一方向施加 磁畴壁的磁化方向，第二磁场沿平行于磁畴的磁化方向的第二方向施加; 以及第二步骤，分别在与第一和第二方向相反的方向上将磁场结构施加第三和第四磁场，从而使磁畴壁沿与磁畴壁的磁化方向平行的方向均匀地移动 或磁畴的磁化方向。 此外，控制方法包括：第一步骤，用于向包括多个磁畴的磁性结构和磁畴壁之间插入的磁畴施加磁场，其中磁场不平行于磁畴的磁化方向 磁畴壁和磁畴的磁化方向; 以及第二步骤，在与磁场相反的方向上向磁性结构施加另一磁场，从而使磁畴壁沿与磁畴壁的磁化方向平行的方向或磁化方向均匀地移动 的磁畴。
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公开(公告)号：WO2015102318A1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：PCT/KR2014/012902
申请日：2014-12-26
Applicant: 한국표준과학연구원
Inventor： 황찬용
CPC classification number: C30B1/08 , C01B32/186 , C01B32/194 , C01B2204/20 , C23C16/26 , C30B29/02
Abstract: 본 발명은 웨이퍼 스케일의 절연체 기판 상에 단결정과 같이 한 방향으로 정렬된 그래핀막을 성장시키기 위하여, 기판 상에 탄화수소 가스를 이용하여 다결정 그래핀을 형성하는 단계, 상기 다결정 그래핀 상에 촉매를 형성하는 단계, 상기 다결정 그래핀 및 상기 촉매를 열처리함으로써 상기 다결정 그래핀을 단결정 그래핀으로 재결정화하는 단계를 포함하는 단결정 그래핀막의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造单晶石墨烯薄膜的方法，包括以下步骤：通过使用烃气体在基板上形成多晶石墨烯，以在单晶方向上生长在晶片级绝缘体基板上排列的石墨烯膜; 在多晶石墨烯上形成催化剂; 并通过热处理多晶石墨烯和催化剂将多晶石墨烯再结晶成单晶石墨烯。
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公开(公告)号：KR101797182B1
公开(公告)日：2017-11-13
申请号：KR1020160032312
申请日：2016-03-17
Applicant: 한국표준과학연구원
Inventor： 황찬용
IPC: C01B21/064 , C01B31/04 , C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C30B25/186 , C30B23/02 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B25/165 , C30B25/18 , C30B29/38 , C30B29/403
Abstract: 본발명은화학기상증착장치에서 (111) 면의단결정구리기판을준비하는단계; 상기 (111) 면의단결정구리기판의불순물을제거하는단계; 불순물이제거된단결정구리기판의표면에암모니아보레인(ammonia borane) 기화물또는보라진(borazine) 기화물을증착하여복수개의 hBN 결정체시드를형성하는단계및 각각의 hBN 결정체시드간의상호결맞음으로성장하여대면적단결정단원자층 hBN을형성하는단계를포함하는대면적단결정단원자층 hBN의제조방법, 장치및 이를이용한단원자층자외선그래핀성장을위한기판을개시한다.
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公开(公告)号：KR1020170013111A
公开(公告)日：2017-02-06
申请号：KR1020150106124
申请日：2015-07-27
Applicant: 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 , 한국기계연구원 , 한국표준과학연구원 , 세종대학교산학협력단
IPC: G11C11/16 , G11C13/06 , H03K19/168 , H01F1/40
Abstract: 본발명의일 실시예는복수개의스커미온이형성된자성박막; 상기자성박막의적어도일 측에형성되며서로나란하게형성되는제1 도선및 제2 도선; 상기제1 도선및 제2 도선에전류를공급하는전원; 및상기복수개의스커미온측으로생성된스핀파를전달하는전선;을포함하는스핀파전달제어소자를개시한다.
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公开(公告)号：KR1020140022489A
公开(公告)日：2014-02-25
申请号：KR1020120088126
申请日：2012-08-13
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: C23C16/26 , H01L21/205
Abstract: A graphene transfer method is provided. The graphene transfer method comprises: a step of annealing a grapheme thin film in a levitated state using an electromagnetic levitation method; and a step of transferring by making a substrate be in contact with the granphene thin film in a levitated state.
Abstract translation: 提供石墨烯转移方法。 石墨烯转移方法包括：使用电磁悬浮法使悬浮状态的图形薄膜退火的步骤; 以及通过使基板在悬浮状态下与该颗粒状薄膜接触的转印步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120055804A
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：KR1020100117206
申请日：2010-11-24
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: C01B32/184 , B01J19/12 , C23C16/26 , C23C16/50
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing graphene, an apparatus for manufacturing the graphene, and the graphene are provided to utilize a specimen coated with the graphene for various purposes. CONSTITUTION: A specimen is arranged in a treating container(130). The specimen is floated. Graphene is grown on the entire surface of the floated specimen. A method for growing the graphene on the entire surface of the floated specimen includes either a process, in which operational gas containing hydrogen and carbon is plasma-treated and is supplied into the treating container, or a process in which the specimen is heated to form the graphene. A catalyst layer containing transition metals or carbonized metals is formed on the surface of the specimen.
Abstract translation: 目的：提供用于制造石墨烯的方法，用于制造石墨烯的装置和石墨烯，以利用涂覆有石墨烯的样品用于各种目的。 构成：将样品设置在处理容器（130）中。 标本浮起来 石墨烯在漂浮样品的整个表面上生长。 在浮选试样的整个表面上生长石墨烯的方法包括一种方法，其中将含有氢和碳的操作气体经等离子体处理并供入处理容器中，或将样品加热形成 石墨烯。 在样品的表面上形成含有过渡金属或碳化金属的催化剂层。
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公开(公告)号：KR1020060009563A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：KR1020040058197
申请日：2004-07-26
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 나노프로브(nano-probe)를 이용하여 기판 위에 있는 나노구조물(nano-structure)을 이동시키는 방법에 관한 것으로서, 특히 나노프로브와 나노구조물 사이에 작용하는 정전기력(electrostatic force)을 이용하여 신속하고 정확하며 단 한차례의 작업으로 손쉽게 나노구조물을 목표 지점으로 이동시킬 수 있는 나노프로브를 이용한 나노구조물의 이동 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이동 방법은 상기 나노프로브에 전압을 인가하는 단계와, 상기 전압이 인가된 나노프로브를 상기 나노구조물 근방으로 이동시켜 상기 나노프로브에 나노구조물을 부착시키는 단계와, 상기 나노구조물이 부착된 나노프로브를 상기 기판 위의 목표 지점으로 이동시키는 단계와, 상기 목표 지점에서 상기 나노프로브에 인가된 전압을 끊어 상기 나노프로브에 부착된 나노구조물을 탈리시키는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 通过使用静电力（静电力）之间作用很快本发明涉及一种方法，用于使用纳米探针（纳米探针）在上基板移动所述纳米结构（纳米结构），尤其是纳米探针和纳米结构 准确和涉及使用纳米探针可以容易地移动纳米结构到目标点到仅一次工作移动纳米结构的方法。 其中连接根据本发明的通过移动到纳米探针的施加电压来移动过程中的纳米结构，在纳米结构包括在所述纳米探针安装的纳米结构的步骤的附近施加至纳米探针上的电压， 在纳米探针移动到目标点的步骤在所述基底和所述目标点包括的切断施加至纳米探针帐簿纳米结构附着于纳米探针上的电压的步骤。
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公开(公告)号：KR1020170135095A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160066465
申请日：2016-05-30
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: G11C19/0833 , G11B5/012 , G11B5/82 , G11B5/865 , G11C11/02 , G11C11/14 , G11C11/48 , H01F10/06 , H01F13/003 , G11C19/0808 , H01L43/08
Abstract: 본발명은서로다른자화상태를갖는제 1 자성구조체와제 2 자성구조체가서로인접하도록이동시키는단계; 및상기제 1 자성구조체와상기제 2 자성구조체가인접하면, 상기제 1 자성구조체의자화상태또는상기제 2 자성구조체의자화상태가변화되는단계;를포함하고, 상기제 1 자성구조체의자화상태또는상기제 2 자성구조체의자화상태가변화되는단계는, 상기제 1 자성구조체와상기제 2 자성구조체중 어느하나의자화상태에서발생한자기장에의해다른어느하나의자화상태가정렬되는단계인임프린팅방식을이용한자화상태제어방법을제공한다.
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9.发明公开
公开(公告)号：KR1020170108429A
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020160032312
申请日：2016-03-17
Applicant: 한국표준과학연구원
Inventor： 황찬용
IPC: C01B21/064 , C01B31/04 , C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C30B25/186 , C30B23/02 , C30B25/08 , C30B25/14 , C30B25/165 , C30B25/18 , C30B29/38 , C30B29/403
Abstract: 본발명은화학기상증착장치에서 (111) 면의단결정구리기판을준비하는단계; 상기 (111) 면의단결정구리기판의불순물을제거하는단계; 불순물이제거된단결정구리기판의표면에암모니아보레인(ammonia borane) 기화물또는보라진(borazine) 기화물을증착하여복수개의 hBN 결정체시드를형성하는단계및 각각의 hBN 결정체시드간의상호결맞음으로성장하여대면적단결정단원자층 hBN을형성하는단계를포함하는대면적단결정단원자층 hBN의제조방법, 장치및 이를이용한단원자층자외선그래핀성장을위한기판을개시한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种制造化学气相沉积设备的方法，包括：制备（111）面单晶铜衬底; 去除（111）面单晶铜基板的杂质; 杂质的生长步骤被沉积以除去氨铜基板硼烷（硼烷氨）组货物和环硼氮烷的表面上的单晶（环硼氮烷）基团货物形成多个六方氮化硼晶体，每个六方氮化硼晶体，种子之间种子和互相关的 到公开了一种用于部分jacheung用紫外线石墨烯生长大面积的单晶衬底jacheung部和形成的单晶的hBN haneundae区域部jacheung六方氮化硼的制造方法，和装置它。
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公开(公告)号：KR101642478B1
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：KR1020140089300
申请日：2014-07-15
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G11B5/02 , H01L27/105 , G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0808 , G11B5/02 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0816 , G11C19/085 , H01L27/105
Abstract: 본발명은다수의자구및 상기자구사이에개재된자구벽을구비하는자성구조체에, 상기자구벽의자화방향에나란한제 1 방향으로제 1 자기장및 상기자구의자화방향에나란한제 2 방향으로제 2 자기장을인가하는제 1 단계; 및상기자성구조체에상기제 1 방향의역방향으로제 3 자기장및 상기제 2 방향의역방향으로제 4 자기장을인가하는제 2 단계;를포함하여수행함으로써, 상기자구벽을상기자구벽의자화방향또는상기자구의자화방향과나란한방향으로균일하게이동시킬수 있으며, 다수의자구및 상기자구사이에개재된자구벽을구비하는자성구조체에, 상기자구벽의자화방향및 상기자구의자화방향과각각나란하지않은자기장을인가하는제 1 단계; 및상기자성구조체에상기자기장방향의역방향으로또 다른자기장을인가하는제 2 단계;를포함하여수행함으로써, 상기자구벽을상기자구벽의자화방향또는상기자구의자화방향과나란한방향으로균일하게이동시킬수 있는자성구조체의자구벽제어방법및 상기제어방법에따른상기자성구조체를포함하는자기메모리소자를제공한다.
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