公开(公告)号：KR101302592B1

公开(公告)日：2013-08-30

申请号：KR1020110019943

申请日：2011-03-07

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 강상우 ,  윤주영 ,  하홍식 ,  염호영 ,  최정현

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  C23C16/04

Abstract: 본 발명은 실리콘 화합물을 이용한 원자층 증착공정을 수행하여 실리콘 화합물 박막을 형성하는 방법으로서, HSi(isopropyl)
3 를 소스로 이용하여 실리콘 화합물 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 의하면, 낮은 온도에서도 높은 증착률을 가지고, 불필요한 입자 발생이 없는 우수한 물리적 특성과 균일성을 가지는 실리콘 화합물 박막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120101865A

公开(公告)日：2012-09-17

申请号：KR1020110019943

申请日：2011-03-07

Applicant: 한국표준과학연구원

Inventor： 강상우 ,  윤주영 ,  하홍식 ,  염호영 ,  최정현

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  C23C16/04

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon compound thin film is provided to obtain a high deposition rate, uniformity, and less impurities even at low temperatures by using an atomic layer deposition method. CONSTITUTION: A method for forming a silicon compound thin film comprises the steps of: supplying HSi(isopropyl)3 to a substrate as source gas and supplying an oxidizing agent or nitriding agent to the HSi(isopropyl)3, wherein the HSi(isopropyl)3 and the oxidizing or nitriding agent is supplied as being plasma. [Reference numerals] (AA) TIPSH injection; (BB, DD) Purge; (CC) O2 injection; (EE, FF, GG, HH) 3 seconds; (II, JJ) Plasma on(50W)

Abstract translation: 目的：提供一种形成硅化合物薄膜的方法，通过使用原子层沉积方法即使在低温下也能获得高的沉积速率，均匀性和较少的杂质。 构成：形成硅化合物薄膜的方法包括以下步骤：将HSi（异丙基）3作为源气体供给到基底，向HSi（异丙基）3供给氧化剂或氮化剂，其中HSi（异丙基） 3，氧化或氮化剂作为等离子体供给。 （附图标记）（AA）TIPSH注射; （BB，DD）清洗; （CC）O2注射; （EE，FF，GG，HH）3秒; （II，JJ）等离子体（50W）