公开(公告)号：KR101622634B1

公开(公告)日：2016-05-20

申请号：KR1020140126627

申请日：2014-09-23

Applicant: 한국항공대학교산학협력단

Inventor： 김승원 ,  서종현

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: 박막트랜지스터제조방법이개시되며, 상기박막트랜지스터제조방법은, 기판상에반도체층및 배선층을형성하는단계; 상기반도체층및 배선층을패터닝하는단계; 상기배선층을에칭하여채널부를형성하는단계; 및상기반도체층의표면을유체와접촉시킨상태에서, 상기반도체층의표면에광을조사하는단계를포함하되, 상기광을조사하는단계에서, 상기유체는수분(H₂O)을포함한다.

公开(公告)号：KR1020160035267A

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：KR1020140126627

申请日：2014-09-23

Applicant: 한국항공대학교산학협력단

Inventor： 김승원 ,  서종현

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

Abstract: 박막트랜지스터제조방법이개시되며, 상기박막트랜지스터제조방법은, 기판상에반도체층및 배선층을형성하는단계; 상기반도체층및 배선층을패터닝하는단계; 상기배선층을에칭하여채널부를형성하는단계; 및상기반도체층의표면을유체와접촉시킨상태에서, 상기반도체층의표면에광을조사하는단계를포함하되, 상기광을조사하는단계에서, 상기유체는수분(H₂O)을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种薄膜晶体管的制造方法。 更具体地说，本发明是提供一种制造薄膜晶体管的方法，该薄膜晶体管在最小时间内激活氧化物半导体，同时防止其性能恶化。 制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤：在衬底上形成半导体层和布线层; 图案化半导体层和布线层; 通过蚀刻布线层形成沟道部分; 并且在半导体层的表面与流体接触的同时用光照射半导体层的表面。 在照射光的步骤中，流体含有水分（H_2O）。