公开(公告)号：KR101084685B1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：KR1020090036986

申请日：2009-04-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이창진 ,  임종선 ,  이재민 ,  최동훈 ,  김경환 ,  김규남

IPC: C07C15/56 ,  C07F7/08 ,  H01L29/786

Abstract: 본 발명은 유기 반도체 재료로서 용해도 특성이 우수한 폴리아센계 유도체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 유기물 반도체 화합물은 높은 홀 이동도를 발현하면서 열 안정성이 우수하고, 일반 용매에 대한 용해성 및 내산화성이 우수하여 용액공정으로 소자 제작이 가능한 신규 구조의 폴리아센계 유도체이다.
폴리아센, 유기박막트랜지스터, 용해, 유도체

公开(公告)号：KR1020100118253A

公开(公告)日：2010-11-05

申请号：KR1020090036986

申请日：2009-04-28

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이창진 ,  임종선 ,  이재민 ,  최동훈 ,  김경환 ,  김규남

IPC: C07C15/56 ,  C07F7/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: C07C15/56 ,  C07F7/08 ,  H01L51/0036

Abstract: PURPOSE: A polyacene derivative, and an organic thin film transistor using thereof are provided to secure the excellent thermal stability and the higher hall mobility than a conventional organic semiconductor material. CONSTITUTION: A polyacene derivative is marked with chemical formula 1. In the chemical formula 1, Ar1 is naphthalene, anthracene, tetracene, pentacene, anthradithiophene, or anthradithiophene including fluorine. Ar2 and Ar3 are C6~C30 arylene or C4~C30 heteroarylene, respectively. R1 and R2 are hydrogen, deuterium, halogen, C1~C30 alkyl, or tri(C1~C30)alkylsilyl. An organic thin film transistor includes a substrate a source-drain electrode, an organic semiconductor film, an insulating film, and a gate electrode. The organic semiconductor film is formed with more than one polyacene derivative.

Abstract translation: 目的：提供多并苯衍生物和使用其的有机薄膜晶体管，以确保优异的热稳定性和较高的霍尔迁移率，而不是传统的有机半导体材料。 组分：多氯苯衍生物用化学式1表示。在化学式1中，Ar 1是包括氟的萘，蒽，并四苯，并五苯，蒽二噻吩或蒽二噻吩。 Ar2和Ar3分别为C6〜C30亚芳基或C4〜C30亚杂芳基。 R 1和R 2是氢，氘，卤素，C 1 -C 30烷基或三（C 1〜C 30）烷基甲硅烷基。 有机薄膜晶体管包括基极，源极 - 漏极，有机半导体膜，绝缘膜和栅电极。 有机半导体膜由多于一种的多并苯衍生物形成。