公开(公告)号：WO2014178686A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：PCT/KR2014/003959

申请日：2014-05-02

Applicant: 한국화학연구원 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  성명모 ,  한규석

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/305 ,  H01G9/2022 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02612 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 a) 증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계; b) 상기 기판 상에 원자층 증착법으로 화학식 1로 표시되는 니켈 전구체를 흡착하는 단계; c) 상기 흡착된 니켈 전구체를 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계; d) 상기 증착 챔버 내로 황 원을 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 니켈전구체와 교환 반응시켜 상기 기판 상에 황화 니켈 박막을 형성하는 단계; 및 e) 상기 황화 니켈 박막을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계;를 포함하는 원자층 증착법을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 의하여 황화 니켈 박막을 제조하는 경우, 금속층 두께의 조절이 용이하면서도 균일한 금속층을 형성하고, 기판 상에 금속층을 형성하는 온도를 상대적으로 낮출 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积方法制造硫化镍薄膜的方法，包括以下步骤：a）将衬底装载到沉积室中; b）通过原子层沉积法在基板上吸收由化学式1表示的镍前体; c）除去吸附在基材上的镍前体除去副产物; d）将硫源引入沉积室，并使硫源与吸收在衬底上的镍前体进行交换反应，以在衬底上形成硫化镍薄膜; 和e）除去除了硫化镍薄膜之外的副产物。 在利用本发明的原子层沉积方法制造硫化镍薄膜的方法制造硫化镍薄膜的情况下，可以形成均匀的金属层，其厚度可以容易地调整 并且相对降低在基板上形成金属层的温度。

公开(公告)号：KR101521800B1

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：KR1020130050315

申请日：2013-05-03

Applicant: 한국화학연구원 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  성명모 ,  한규석

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/305 ,  H01G9/2022 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02612 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 본발명은 a) 증착챔버내로기판을도입하는단계; b) 상기기판상에원자층증착법으로하기화학식 1로표시되는니켈전구체를흡착하는단계; c) 상기흡착된니켈전구체를제외한나머지부산물을제거하는단계; d) 상기증착챔버내로황 원을유입시켜, 상기기판에흡착된상기니켈전구체와교환반응시켜상기기판상에황화니켈박막을형성하는단계; 및 e) 상기황화니켈박막을제외한나머지부산물을제거하는단계;를포함하는원자층증착법을이용한황화니켈박막의제조방법에관한것이다. [화학식 1]본발명의원자층증착법(Atomic Layer Deposition)을이용한황화니켈박막의제조방법에의하여황화니켈박막을제조하는경우, 금속층두께의조절이용이하면서도균일한금속층을형성하고, 기판상에금속층을형성하는온도를상대적으로낮출수 있다.

公开(公告)号：KR1020140131474A

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：KR1020130050315

申请日：2013-05-03

Applicant: 한국화학연구원 ,  한양대학교 산학협력단

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  성명모 ,  한규석

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/305 ,  H01G9/2022 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02612 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 a) 증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계; b) 상기 기판 상에 원자층 증착법으로 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 전구체를 흡착하는 단계; c) 상기 흡착된 니켈 전구체를 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계; d) 상기 증착 챔버 내로 황 원을 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 니켈전구체와 교환 반응시켜 상기 기판 상에 황화 니켈 박막을 형성하는 단계; 및 e) 상기 황화 니켈 박막을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계;를 포함하는 원자층 증착법을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

본 발명의 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용한 황화 니켈 박막의 제조 방법에 의하여 황화 니켈 박막을 제조하는 경우, 금속층 두께의 조절이 용이하면서도 균일한 금속층을 형성하고, 기판 상에 금속층을 형성하는 온도를 상대적으로 낮출 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积制造硫化镍薄膜的方法，包括：将基板插入沉积室的步骤（a）; 步骤（b）通过原子层沉积在基底上吸收由下列化学式1表示的镍前体; 步骤（c）除去除了吸收的镍前体之外的副产物的剩余部分; 步骤（d）通过与吸附在基板上的镍前体进行交换反应而在基板上形成硫化镍薄膜，将硫插入沉积室; 和除去硫化镍薄膜以外的副产物的其余部分的工序（e）。 [化学式1]通过使用原子层沉积的硫化镍薄膜的制造方法制造硫化镍薄膜时，形成均匀的金属层，容易控制金属层的厚度， 在基板上形成金属层相对降低。

公开(公告)号：KR100186948B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019960032329

申请日：1996-08-02

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  고원용 ,  성명모 ,  김현숙

IPC: C09K9/02 ,  G02F1/15

Abstract: 본 발명은 일반식 (I)의 2,4'-디피리딜 유도체를 포함하는 전기 변색 용액 및 이를 이용한 전기 변색 장치에 관한 것이다:

상기식에서 R
21 , R
22 는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 치환 또는 비치환 페닐기, 치환 또는 비치환 벤질기, 치환 또는 비치환 펜에틸기이고, X
23
- , X
24
- 는 Cl
- , Br
- , I
- , BF
4
- , PF
6
- , AsF
6
- , ClO
4
- , 또는 NO
3
- 이다.

公开(公告)号：KR1019980013722A

公开(公告)日：1998-05-15

申请号：KR1019960032329

申请日：1996-08-02

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  고원용 ,  성명모 ,  김현숙

IPC: C09K9/02 ,  G02F1/15

Abstract: 본 발명은 일반식 (I)의 2,4'-디피리딜 유도체를 포함하는 전기 변색 용액 및 이를 이용한 전기 변색 장치에 관한 것이다:
[화학식 1]

상기식에서 R
2l , R
22 는 탄소수 1 내지 l0의 알킬기, 치환 또는 비치환 페닐기, 치환 또는 비치환 벤질기, 치환 또는 비치환 펜에틸기이고,
X
23
- , X
24
- 는 Cl
- , Br
- ,I
- , BF
4
- , PF
6
- , AsF
6
- , ClO
4
- , 또는 NO
3
- 이다.