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    지르코늄 산화물 박막 제조 방법
    1.
    发明公开
    지르코늄 산화물 박막 제조 방법 失效
    制备氧化锆薄膜的方法

    公开(公告)号：KR1020060130976A

    公开(公告)日：2006-12-20

    申请号：KR1020050050745

    申请日：2005-06-14

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  양택승 ,  조원태

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02271

    Abstract: A method for manufacturing a ZrO thin film is provided to prevent carbon contamination and to restrain the generation of a silicon oxide layer by using Zr alone without an additional supply of oxygen source. A ZrO thin film is formed by performing an MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) using Zr compound as a precursor material. The predetermined Zr compound is represented by a predetermined chemical formula. The predetermined Zr compound is used for forming the ZrO thin film without an additional oxygen source. The predetermined Zr compound is kept in a predetermined temperature range of room temperature to 90 ‹C.

    Abstract translation: 提供一种制造ZrO薄膜的方法，以防止碳污染，并且通过单独使用Zr而不需要额外的氧源供应来抑制氧化硅层的产生。 通过使用Zr化合物作为前体材料进行MOCVD（金属有机化学气相沉积）来形成ZrO薄膜。 预定的Zr化合物由预定的化学式表示。 预定的Zr化合物用于形成不含附加氧源的ZrO薄膜。 将预定的Zr化合物保持在室温至90℃的预定温度范围内。

    원자층 침착법을 이용한 비휘발성 ＲＲＡＭ 소자용 니켈산화물 박막의 제조 방법
    3.
    发明授权
    원자층 침착법을 이용한 비휘발성 ＲＲＡＭ 소자용 니켈산화물 박막의 제조 방법 失效
    用原子层沉积法制备非易失性RRAM器件用氧化镍薄膜

    公开(公告)号：KR100627633B1

    公开(公告)日：2006-09-25

    申请号：KR1020050058349

    申请日：2005-06-30

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  조원태

    IPC: H01L21/20

    Abstract: 본 발명은 니켈 산화물 박막을 원자층 침착법으로 제조하여 차세대 비휘발성 메모리 소자인 RRAM의 니켈 산화막 층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따르면 기존의 물리적 침착 방법으로 제조하는 니켈 산화물 박막에 비하여 우수한 박막 특성과 저항 전환(resistance switching) 현상을 보이는 품질이 좋은 니켈 산화물 박막을 얻을 수 있어 이를 RRAM 소자로 잘 응용할 수 있다.
    니켈 산화막, RRAM, 원자층 침착법

    Abstract translation: 本发明已经制备，氧化镍薄膜的原子层沉积方法的方法用于形成RRAM，下一代的非易失性存储器件的氧化镍层，根据本发明的方法中，通过常规的物理沉积方法制备的氧化镍薄膜 可以获得表现出优异的薄膜特性和电阻切换现象并且可以很好地应用于RRAM器件的优质氧化镍薄膜。

    티타늄 산화물 선구 물질 및 그 제조 방법
    4.
    发明授权
    티타늄 산화물 선구 물질 및 그 제조 방법 失效
    氧化钛前驱体及其制备方法

    公开(公告)号：KR100584200B1

    公开(公告)日：2006-05-29

    申请号：KR1020040009484

    申请日：2004-02-13

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  김인정

    IPC: C07F7/28

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 티타늄 산화물 선구 물질 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 합성하는 티타늄 산화물 선구 물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 개선되어 티타늄 산화물 박막 제조에 유리하게 사용할 수 있다.

    상기 식에서,
    2개의 R은 서로 독립적으로 C
    1 -C
    4 의 선형 또는 분지형 알킬기이고,
    2개의 R'은 서로 독립적으로 C
    1 -C
    4 의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 CR"
    2 CH
    2 NR
    *
    2 (여기에서, R" 및 R
    * 는 C
    1 -C
    4 의 선형 또는 분지형 알킬기이다) 이다.

    탄탈럼 질화물 선구 물질 및 그 제조 방법
    6.
    发明授权
    탄탈럼 질화물 선구 물질 및 그 제조 방법 失效
    氮化钽前体及其制造方法

    公开(公告)号：KR100554524B1

    公开(公告)日：2006-03-03

    申请号：KR1020040048917

    申请日：2004-06-28

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  장홍석 ,  김인정 ,  김현진

    IPC: C07F9/00 ,  H01L21/20

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시한 탄탈럼 질화물 선구 물질과 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 탄탈럼 질화물 선구 물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 높아 양질의 탄탈럼 질화물 박막을 제조하는 데 유리하게 이용할 수 있다.

    RN=Ta(NR'
    2 )
    n (OCR"
    2 CH
    2 NR
    *
    2 )
    3-n
    상기 식에서, R은 이소프로필기거나 t-부틸기고, R'은 메틸, 에틸, 이소프로필, t-부틸 또는 알킬실릴 기고, R"은 C
    1 -C
    4 선형 또는 분지형 알킬기고, R
    ＊ 는 C
    1 -C
    4 선형 또는 분지형 알킬 또는 알킬실릴 기고, n은 0, 1 또는 2다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种玻璃，以获得氮化钽前体和作为其涉及用于制备过程中，氮化钽前体是热稳定的，并增加了根据由下式表示的本发明的质量氮化钽薄膜的挥发性（1） 可以用来制作。

    기질 위에 수산화 기의 단층을 형성하는 방법
    7.
    发明授权
    기질 위에 수산화 기의 단층을 형성하는 방법 失效
    在基材表面形成羟基单体的方法

    公开(公告)号：KR100551323B1

    公开(公告)日：2006-02-13

    申请号：KR1020030046357

    申请日：2003-07-09

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 김윤수 ,  이선숙 ,  안기석 ,  백재윤

    IPC: H01L21/20

    Abstract: 본 발명은 기질 위에 수산화 기 단층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 반도체 또는 금속 표면에 할로겐 원소를 흡착시킨 후 물을 이용하여 수산화 기 단층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
    본 발명에 따르면, 반도체 또는 금속 표면에 수산화 기 단층을 형성할 수 있고, 박막 침착 공정에서 별도로 반도체 또는 금속 표면에 산화막을 형성할 필요가 없으며 특히 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD) 공정 초기의 부화 기간 (incubation period)을 줄일 수 있는 장점이 있다.
    본 발명에 따른 수산화 기 단층을 형성한 반도체 및 금속의 표면은 표면 과학의 새로운 연구 대상이 될 수 있고 또한 이들을 기질로 하여 분자 단층 (molecular monolayer)을 입힐 수 있다.

    휘발성 니켈 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조 방법 및이를 이용한 니켈 박막의 형성 방법
    8.
    发明公开
    휘발성 니켈 아미노알콕사이드 화합물, 이의 제조 방법 및이를 이용한 니켈 박막의 형성 방법 有权
    挥发性镍类氨基氧化物复合物及其制备方法及使用其形成镍薄膜的方法

    公开(公告)号：KR1020050033737A

    公开(公告)日：2005-04-13

    申请号：KR1020030069585

    申请日：2003-10-07

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  유승호 ,  성기환 ,  정영숙 ,  한기철

    IPC: C07F15/04

    CPC classification number: C07F15/045 ,  C23C16/18

    Abstract: Volatile nickel aminoalkoxide complexes, a preparation method thereof and a process for formation of a nickel thin film by using the same compounds are provided, which compounds have high volatility and sufficient thermal stability, and are reduced to nickel by self-pyrolysis without a reducing agent. so that the compounds are useful as a MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) precursor for formation of the nickel thin film. The volatile nickel aminoalkoxide complexes represented by formula (1) are provided, wherein m is an integer of 1 to 3; and R and R' are C1-C4 linear or branched alkyl. The volatile nickel aminoalkoxide complexes represented by formula (2) are provided, wherein m is an integer of 1 to 3; n is an integer of 2 to 4; and R and R' are C1-C4 linear or branched alkyl. The method for preparing the volatile nickel aminoalkoxide complexes of formula (1) or (2) comprises a halogenized hexamine nickel compound of Ni(NH3)6X2 with an alkali metal salt of aminoalkoxide of MOCR'2(CH2)mNR2 or MOCR'2(CH2)mO(CH2)nNR2, wherein X is Cl, Br or I; and M is Li or Na. The process for formation of the nickel thin film comprises growing the nickel thin film by using the volatile nickel aminoalkoxide complexes of formula (1) or (2) as a precursor at 250 to 350 deg. C.

    Abstract translation: 提供挥发性镍氨基醇氧化物络合物，其制备方法和通过使用相同化合物形成镍薄膜的方法，该化合物具有高挥发性和足够的热稳定性，并且通过自热解而不用还原剂还原成镍 。 使得这些化合物可用作用于形成镍薄膜的MOCVD（金属有机化学气相沉积）前体。 提供由式（1）表示的挥发性镍氨基醇氧化物络合物，其中m为1至3的整数; 并且R和R'是C 1 -C 4直链或支链烷基。 提供由式（2）表示的挥发性镍氨基醇盐络合物，其中m为1至3的整数; n为2〜4的整数， 并且R和R'是C 1 -C 4直链或支链烷基。 制备式（1）或（2）的挥发性镍氨基醇氧化物配合物的方法包括Ni（NH 3）6 X 2的卤化六甲基镍化合物与MOCR'2（CH2）mNR2或MOCR'2（CH2）mNR2的氨基醇盐的碱金属盐 CH2）mO（CH2）nNR2，其中X是Cl，Br或I; M为Li或Na。 形成镍薄膜的方法包括使用式（1）或（2）的挥发性镍氨基醇氧化物配合物作为前体在250至350℃下生长镍薄膜。 C。

    직접 액체 주입 금속 유기물 화학 증착법을 이용한티탄산바륨스트론튬 박막의 제조 방법
    9.
    发明公开
    직접 액체 주입 금속 유기물 화학 증착법을 이용한티탄산바륨스트론튬 박막의 제조 방법 失效
    通过直接液体注入制备钛酸钡薄膜的方法使用特定原材料在适当的工艺条件下进行金属有机化学气相沉积

    公开(公告)号：KR1020050019400A

    公开(公告)日：2005-03-03

    申请号：KR1020030057134

    申请日：2003-08-19

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 김윤수 ,  이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  오영우 ,  박정우 ,  권현구

    IPC: C23C16/00

    CPC classification number: C23C16/409 ,  C07F3/003 ,  C07F7/28 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/56 ,  Y10S261/65

    Abstract: PURPOSE: To provide a method for preparing stoichiometric barium strontium titanate thin films of high quality by direct liquid injection metal organic chemical vapor deposition under the milder conditions using organic complexes of Ba, Sr and Ti that are capable of being vaporized together as raw materials for mixing since they have similar thermal stability, decomposition characteristics and solubility. CONSTITUTION: In a method for preparing barium strontium titanate(BaxSr1-xTiO3) thin films by direct liquid injection metal organic chemical vapor deposition, the method is characterized in that a mixture of Ba(th)2(tmeea), Sr(thd)2(tmeea) and Ti(thd)2(O¬i Pr)2 $ûthd=2,2,6,6-tetramethylheptanedionate, tmeea=tris£2-(2-methoxyethoxy)ethyl|amine, O¬i Pr=isoproxy$ý is used as raw materials of barium, strontium and titanium, wherein the method comprises the steps of: dissolving the raw materials of barium, strontium and titanium into an organic solvent; transferring the solution to an instantaneous vaporizer heated to a temperature of 200 to 250 deg.C so that the solution is vaporized; and injecting the vaporized solution into a deposition container having pressure of 0.5 to 2.0 torr so that the vaporized solution is deposited on a matrix heated to a temperature of 300 to 500 deg.C, wherein the method further comprises a step of heat treating the deposited matrix in a temperature range of 600 to 800 deg.C, and wherein the raw materials of barium, strontium and titanium are mixed in a ratio of 1 ¢¦ 2:1:5 ¢¦ 10.

    Abstract translation: 目的：提供一种通过直接液体注入金属有机化学气相沉积在较温和的条件下制备化学计量的钛酸锶钛酸盐薄膜的方法，使用能够作为原料蒸发的Ba，Sr和Ti的有机络合物 因为它们具有相似的热稳定性，分解特性和溶解度。 构成：在通过直接液体注入金属有机化学气相沉积制备钛酸锶钡（BaxSr1-xTiO3）薄膜的方法中，该方法的特征在于Ba（th）2（tmeea），Sr（thd）2 （tmeea）和Ti（thd）2（OiI Pr）2 $ûth= 2,2,6,6-四甲基庚二酮，tmeea =三（2-甲氧基乙氧基）乙基|胺，O-Pr =异丙氧基 ý用作钡，锶和钛的原料，其中所述方法包括以下步骤：将钡，锶和钛的原料溶解在有机溶剂中; 将溶液转移到加热至200〜250℃的瞬时蒸发器，使溶液蒸发; 并将蒸发的溶液注入具有0.5至2.0托的压力的沉积容器中，使得蒸发的溶液沉积在加热至300至500℃的基质上，其中该方法还包括热沉处理沉积 基质在600〜800℃的温度范围内，其中钡，锶和钛的原料以1¢| 2：1：5¢| 10的比例混合。

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