페로브스카이트 복합체
    2.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022270878A1

    公开(公告)日:2022-12-29

    申请号:PCT/KR2022/008809

    申请日:2022-06-21

    Abstract: 본 개시의 일 실시예에 따른 페로브스카이트 복합체는, 유기 양이온(A), 금속 양이온(M), 및 할로겐 음이온(X)을 함유하는 페로브스카이트(AMX3), 및 MACl(메틸암모늄염화물, CH3NH3Cl)을 포함하고, X는 Br- 및 Br- 이외의 할로겐 음이온을 포함하고, 화학정량적으로 Br-은 Br- 이외의 할로겐 음이온 대비 1% 이하에 해당한다.

    보호층을 가지는 광소자
    5.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022019618A1

    公开(公告)日:2022-01-27

    申请号:PCT/KR2021/009348

    申请日:2021-07-20

    Abstract: 본 개시의 일 실시예에 따른 광소자는, 제1 전극, 제1 전극 상에 형성된 제1 전하수송층, 제1 전하수송층 상에 형성되는 페로브스카이트층, 페로브스카이트층 상에 형성된 제2 전하수송층, 제2 전하수송층 상에 형성된 제2 전극, 제2 전하수송층 및 제2 전극을 덮는 제1 보호층, 및 제1 보호층 상에 형성된 제2 보호층을 포함하고, 제1 보호층 및 제2 보호층은 서로 다른 재질을 포함한다.

    BASNO3 박막 및 이의 저온 제조 방법
    9.
    发明申请
    BASNO3 박막 및 이의 저온 제조 방법 审中-公开
    BASNO3薄膜及其低温生产方法

    公开(公告)号:WO2017176038A1

    公开(公告)日:2017-10-12

    申请号:PCT/KR2017/003702

    申请日:2017-04-04

    Abstract: 본 발명은 a) 바륨염, 주석염, 과산화수소수 및 유기산을 포함하는 혼합용액에 알칼리 수용액을 첨가하여 비정질 침전물을 침전시키는 단계; b) 상기 비정질 침전물이 포함된 혼합용액을 예열처리하여 결정질 BaSnO 3 전구체 물질을 제조하는 단계; c) 상기 결정질 BaSnO 3 전구체 물질을 극성 유기용매에 분산시켜 분산액을 제조하는 단계; d) 상기 분산액을 기판 상에 도포하는 단계; 및 e) 상기 기판 상에 도포된 분산액을 열처리하여 페로브스카이트 구조의 BaSnO 3 박막을 제조하는 단계;를 포함하는 BaSnO 3 박막의 저온 제조 방법에 관한 것이다.

    Abstract translation:

    本发明)向碱水溶液含有钡盐,锡盐,过氧化氢和有机酸,以沉淀的无定形沉淀物的混合溶液的步骤; b)预热含有无定形沉淀物的混合溶液以制备晶体BaSnO 3子前体材料; c)将晶体BaSnO 3子前体材料分散在极性有机溶剂中以制备分散体; d)将分散体施加到基底上; 并且e)热处理施加在基材上的分散体以产生钙钛矿BaSnO 3薄膜,其中BaSnO 3薄膜包括: 方法。

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