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公开(公告)号：WO2020017739A1
公开(公告)日：2020-01-23
申请号：PCT/KR2019/004803
申请日：2019-04-22
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07C255/41 , H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/42 , H01L51/50
Abstract: 본 발명은 신규 캐소드 버퍼층 소재 및 이를 포함하는 유기 또는 유/무기 하이브리드 광전소자에 관한 것으로, 본 발명의 신규 화합물을 유기 광전소자, 예를 들어 유기태양전지, 유기포토다이오드, 콜로이드상 양자점 태양전지 및 페로브스카이트 태양전지 등의 캐소드 버퍼층에 적용할 경우, 상기 신규 화합물의 높은 쌍극자모멘트를 통해 전자 수송층의 표면 특성을 개선하여, 광활성층으로부터 캐소드 전극으로의 전자 추출이 용이하게 되고, 직렬 저항(series resistance) 및 누설 전류(leakage current)를 감소시키는 효과를 나타내어, 제작되는 유기 또는 유/무기 하이브리드 광전소자(유기태양전지, 유기포토다이오드, 콜로이드상 양자점 태양전지 및 페로브스카이트 태양전지 등)의 성능을 현저히 향상시킬 수 있는 바, 산업적으로 유용한 효과가 있다.
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公开(公告)号：WO2023063603A1
公开(公告)日：2023-04-20
申请号：PCT/KR2022/014000
申请日：2022-09-20
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명의 목적은 QD-LED 소자를 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 QD-LED 소자를 제조하는 방법을 제공하는데 있다. 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 투명 캐소드 전극층; 상기 투명 캐소드 전극층 상에 배치되고, 상기 유기화합물 1 또는 상기 유기화합물 2를 포함하는 표면개질층; 상기 표면개질층 상에 배치되는 전자수송층; 상기 전자수송층 상에 배치되는 퀀텀닷 발광층; 상기 퀀텀닷 발광층 상에 배치되는 정공수송층; 상기 정공수송층 상에 배치되는 정공주입층; 및 상기 정공주입층 상에 배치되는 에노드 전극층을 포함하는 QD-LED 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, QD-LED 소자의 투명 캐소드 전극층과 전자수송층 사이에 표면개질층이 포함되어, 소자의 전기적 및 광학적 특성이 크게 개선되는 효과가 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2019045269A1
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：PCT/KR2018/008084
申请日：2018-07-17
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07D471/06 , H01L51/00 , H01L51/42 , H01L31/0256
CPC classification number: C07D471/06 , H01L31/0256 , H01L51/00 , H01L51/42
Abstract: 본 발명은 신규 캐소드 버퍼층 소재 및 이를 포함하는 유기광전소자에 관한 것으로, 본 발명의 신규 화합물을 유기광전소자, 예를 들어 유기태양전지 또는 유기포토다이오드의 캐소드 버퍼층에 적용할 경우, 상기 신규 화합물의 높은 쌍극자모멘트를 통해 전자 수송층의 표면 특성을 개선하여, 광활성층으로부터 캐소드 전극으로의 전자 추출이 용이하게 되고, 직렬 저항(series resistance) 및 누설 전류(leakage current)를 감소시키는 효과를 나타내어, 제작되는 유기광전소자(유기태양전지, 유기포토다이오드 등)의 성능을 현저히 향상시킬 수 있는 바, 산업적으로 유용한 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR101964093B1
公开(公告)日：2019-04-01
申请号：KR1020170108921
申请日：2017-08-28
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07D471/06 , H01L51/00 , H01L51/42 , H01L31/0256
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公开(公告)号：KR101845867B1
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：KR1020170071424
申请日：2017-06-08
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C08G61/126 , C08G2261/3223 , C08G2261/3229 , C08G2261/94 , H01L31/08
Abstract: 본발명은신규고분자화합물및 이를포함하는광 검출기에관한것으로, 본발명에따른디플루오로벤젠-함유 PFBT2OBT 고분자는뚜렷한층상구조로강한엣지-온(edge-on) 배향을나타냄에따라 PCBM과블렌딩한 후에도전극표면에절연성알킬측쇄를정렬시켜 PFBT2OBT:PCBM 장치의누설전류를효과적으로감소시켜 -2V에서 10Jones 이상, 0.28 A/W의최상의응답성을나타내는현저한효과가있다.
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