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Patent Agency Ranking1.发明申请
公开(公告)号：WO2012039580A2
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：PCT/KR2011/006949
申请日：2011-09-20
IPC: C08G61/12 , C08G73/00 , C08L65/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0566 , C08G61/127 , C08G64/12 , C08G73/024 , C08G73/0253 , C08G73/026 , C08G73/028 , C08G2261/3442 , C08G2261/45 , H01L51/0004
Abstract: 본 발명은 본 명세서에서 화학식 1로 표시되는 트리아릴아민 작용기를 포함 하는 고분자의 제조 및 이의 반도체 조성물과 광중합성 조성물로 제조되는 유기 절 연막을 이용하여 제조되는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고분자 화합물은 결정성이 높은 유기 반도체 물질과 잘 혼합이 되며 박막 형성 시 유기 반도체 물질의 결정 배향을 적절하게 유지할 수 있어 유기 반도 체 재료 원래의 높은 전하 이동도를 거의 그대로 구현할 수 있다. 특히, 본 발명의 고분자 화합물을 바인더로 이용하여 제조한 유기 반도체 조성물은 스핀코팅이나 인 쇄 공정 시, 공정에 적합한 점도를 부여할 수 있어 신뢰도가 높은 박막 트랜지스터 를 제조할 수 있다. 특히 기존의 CYTOP과 같은 불소기를 포함하는 절연막을 사용하 지 않고 일반적인 광경화성 박막을 게이트 절연박막으로 사용하여 특성을 구현할 수 있기 때문에 실제적인 공정에 적용하기가 용이하다.
Abstract translation:
本发明是使用的生产和与有机部分烟幕其半导体组合物制造的有机薄膜是由含有由下式表示的三芳基胺基团的聚合物的光聚合性组合物（1）在此 一种制造晶体管的方法。 根据本发明的聚合物化合物是一种具有高有机半导体材料充分混合后形成的薄膜可以是几乎可以充分地维持有机半导体材料的晶体取向也实现有机半导体材料原来的高的电荷转移晶体 。 特别地，该有机半导体组合物使用本发明的高分子化合物作为粘合剂可用于旋涂或印刷法的时候，就可以赋予适合于处理高可靠性的薄膜晶体管的粘度来制备制备。 特别是，由于它可以通过使用普通的可光固化薄膜作为栅极绝缘薄膜而不使用像现有的CYTOP那样的含氟基绝缘薄膜而实现特性，所以很容易应用于实际工艺。
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公开(公告)号：WO2012141535A2
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/KR2012/002831
申请日：2012-04-13
IPC: H01L29/12 , H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02601 , H01L21/02628
Abstract: 본 발명은 무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막에 관한 것으로 상세하게는 산화아연 전구체 용액, 산화아연 나노입자 및 분산용매를 포함하고, 산화아연 전구체 용액에 대하여 산화아연 나노입자는 0.1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 무기 반도체 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 무기 반도체 잉크 조성물은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 산화아연 전구체 용액 및 산화아연 나노입자가 혼합되어 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있고, 이에 따라 신뢰도가 우수한 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及无机半导体油墨组合物和通过使用它们制造的无机半导体薄膜。 特别地，无机半导体油墨组合物包括氧化锌前体溶液，氧化锌纳米颗粒和分散溶剂，其特征在于，氧化锌纳米颗粒的量为基于0.1重量％至50重量％ 在氧化锌前体溶液上。 无机半导体油墨组合物可以用作晶体管器件的沟道材料，因此可以获得具有改进的性能的无机薄膜晶体管。 此外，由于组合物适用于液体工艺，因此制造薄膜容易，并且可以进行低温处理。 由于氧化锌前体溶液和氧化锌纳米颗粒混合，所以可以制造出紧凑且均匀的薄膜。 因此，可以获得具有良好可靠性的无机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：KR101165717B1
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：KR1020110035119
申请日：2011-04-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L29/66742
Abstract: PURPOSE: An inorganic semiconductor ink composite and an inorganic semiconductor thin film manufactured through the same are provided to reduce process costs by manufacturing an oxidation zinc thin film by using a solution process. CONSTITUTION: An inorganic semiconductor ink composite comprises a zinc oxide precursor solution, zinc oxide nano particle, and a dispersion solvent. The zinc oxide nano particle about the zinc oxide precursor solution is 0.1 to 50weight%. The size of the zinc oxide nano particle is 5nm to 20nm. The zinc oxide nano particle is dispersed into 0.1 to 10weight% about the dispersion solvent. The dispersion solvent is selected in a group consisting of ammonium hydroxide, isopropyl alcohol, ethanolamine, ethanol, and methanol.
Abstract translation: 目的：提供一种通过其制造的无机半导体油墨复合物和无机半导体薄膜，以通过使用溶液法制造氧化锌薄膜来降低工艺成本。 构成：无机半导体油墨复合体包含氧化锌前体溶液，氧化锌纳米颗粒和分散溶剂。 氧化锌前体溶液的氧化锌纳米粒子为0.1〜50重量％。 氧化锌纳米颗粒的尺寸为5nm至20nm。 氧化锌纳米粒子分散在分散溶剂的0.1〜10重量％左右。 分散溶剂选自氢氧化铵，异丙醇，乙醇胺，乙醇和甲醇组成的组。
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公开(公告)号：KR101192187B1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：KR1020100092466
申请日：2010-09-20
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08G61/12 , C08G73/00 , C08L65/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0566 , C08G61/127 , C08G64/12 , C08G73/024 , C08G73/0253 , C08G73/026 , C08G73/028 , C08G2261/3442 , C08G2261/45 , H01L51/0004
Abstract: 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 트리아릴아민 작용기를 포함하는 고분자의 제조 및 이의 반도체 조성물과 광중합성 조성물로 제조되는 유기 절연막을 이용하여 제조되는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고분자 화합물은 결정성이 높은 유기 반도체 물질과 잘 혼합이 되며 박막 형성 시 유기 반도체 물질의 결정 배향을 적절하게 유지할 수 있어 유기 반도체 재료 원래의 높은 전하 이동도를 거의 그대로 구현할 수 있다. 특히 본 발명의 고분자 화합물을 바인더로 이용하여 제조한 유기 반도체 조성물은 스핀코팅이나 인쇄 공정 시, 공정에 적합한 점도를 부여할 수 있어 신뢰도가 높은 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 특히 기존의 CYTOP과 같은 불소기를 포함하는 절연막을 사용하지 않고 일반적인 광경화성 박막을 게이트 절연박막으로 사용하여 특성을 구현할 수 있기 때문에 실제적인 공정에 적용하기가 용이하다:
상기 화학식에서 Ar
1 , Ar
2 , Ar
3 , A, B 및 n은 명세서에 정의한 바와 같다.-
公开(公告)号：KR1020120030751A
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020100092466
申请日：2010-09-20
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08G61/12 , C08G73/00 , C08L65/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0566 , C08G61/127 , C08G64/12 , C08G73/024 , C08G73/0253 , C08G73/026 , C08G73/028 , C08G2261/3442 , C08G2261/45 , H01L51/0004 , H01L51/0035
Abstract: PURPOSE: A polymer compound is provided to have excellent miscibility with organic semiconductor material with high crystallinity, to maintain the crystal orientation of the organic semiconductor material moderately at forming a thin film, and to have high charge mobility. CONSTITUTION: A polymer compound is in chemical formula 1. In chemical formula 1, Ar^1, Ar^2 and AR^3 is a substituted or non-substituted monocyclic aromatic or heterocyclic aromatic, or substituted or non-substituted monocyclic aromatic or heterocyclic aromatic respectively, A is O(C=O)O, oxygen, sulfur, NH, N-CH3 or a chemical bond, B is substituted or non-substituted C1-3alkyl or Ar^1-R^1-Ar^2(R^1 is a chemical bond, CO, SO2, SO, oxygen, sulfur, NH, is substituted or non-substituted C1-3alkyl or R^2(C)R^3, and R^2 and R^3 is respectively respective chemical bond, CF3, hydrogen, halogen, substituted or non-substituted C1-12 alkyl or substituted or non-substituted C3-7 cycloaliphatic hydrocarbon), and n is the integer of 10-5,000.
Abstract translation: 目的：提供高分子化合物以与具有高结晶度的有机半导体材料具有优异的混溶性，以在形成薄膜时适度地保持有机半导体材料的晶体取向，并具有高的电荷迁移率。 构成：化学式1中的高分子化合物。在化学式1中，Ar 1，Ar 2和AR 3是取代或未取代的单环芳族或杂环芳族或取代或未取代的单环芳族或杂环 芳基，A是O（C = O）O，氧，硫，NH，N-CH 3或化学键，B是取代或未取代的C 1-3烷基或Ar 1 -R 1 -Ar 2（ R 1是化学键，CO，SO 2，SO，氧，硫，NH，是取代或未取代的C 1-3烷基或R 2（C）R 3，R 2和R 9分别是 各自的化学键，CF 3，氢，卤素，取代或未取代的C 1-12烷基或取代或未取代的C 3-7脂环族烃），n为10-5,000的整数。
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