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公开(公告)号:KR100544350B1
公开(公告)日:2006-01-23
申请号:KR1020020081156
申请日:2002-12-18
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08J5/18
Abstract: 본 발명은 반도체 및 전자산업에 사용되는 절연물질인 폴리이미드 필름의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따라 폴리이미드 필름에 직접 불소화 처리를 함으로써 불소 함유 폴리이미드 필름을 제조하면 종래의 폴리이미드 합성시 불소기를 도입하여 일정한 불소함량을 갖는 폴리이미드를 제조하는 방법에 비하여 불소가스의 농도에 따라 폴리이미드에 도입되는 불소함량을 조절함으로써 유전율을 쉽게 조절할 수 있을 뿐 아니라 폴리이미드의 우수한 기계적·열적 특성에는 영향을 미치지 않고 유전율을 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020040054846A
公开(公告)日:2004-06-26
申请号:KR1020020081156
申请日:2002-12-18
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C08J5/18
Abstract: PURPOSE: A method for preparing a fluorine-containing polyimide film for insulation is provided, to allow dielectric constant to be controlled easily by controlling the content of fluorine introduced into polyimide according to the concentration of a fluorine gas. CONSTITUTION: The method comprises the step of contacting a polyimide film with a fluorine gas at a temperature of 0-100 deg.C and a pressure of 0.005-0.5 MPa for 1-100 min. Preferably the polyimide film has a thickness of 10-50 micrometers; and the content of fluorine in the polyimide film is 0.1-40 atom%.
Abstract translation: 目的:提供一种用于制备用于绝缘的含氟聚酰亚胺膜的方法,通过根据氟气的浓度控制引入聚酰亚胺的氟含量来容易地控制介电常数。 方案:该方法包括在0-100℃的温度和0.005-0.5MPa的压力下使聚酰亚胺膜与氟气接触1-100分钟的步骤。 优选地,聚酰亚胺膜的厚度为10-50微米; 并且聚酰亚胺膜中的氟含量为0.1-40原子%。
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