公开(公告)号：WO2015160152A1

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：PCT/KR2015/003662

申请日：2015-04-13

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 최덕균 ,  최명재 ,  김명호 ,  권현민

IPC: H01L29/861

CPC classification number: H01L29/861

Abstract: 정류 다이오드 및 그 제조방법을 제공한다. 이러한 정류 다이오드는 절연체 물질을 포함하는 절연체층 및 상기 절연체층 상에 위치하고, n형 ZnO 계열 산화물 반도체를 포함하는 반도체층을 포함하고, 상기 절연체층과 상기 반도체층 사이에서 정류특성을 갖는 것을 특징으로 한다. 따라서, 향상된 전기적 특성을 갖는 정류 다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 기존 산화물 다이오드와 비교하였을 때 많은 제약을 받는 P-type 산화물 반도체를 절연체층으로 대체함에 따라, 재료선택의 폭이 보다 넓어질 수 있다. 따라서, 전기적 특성 변화의 조절 범위 또한 넓힐 수 있다.

Abstract translation: 提供一种整流二极管及其制造方法。 整流二极管包括：绝缘体层，包括绝缘体材料; 以及位于绝缘体层上并包括n型ZnO基氧化物半导体的半导体层，其中在绝缘体层和半导体层之间呈现整流特性。 因此，可以提供具有改进的电特性的整流二极管。 此外，与传统的氧化物二极管相比，本发明提供了更广泛的材料选择，因为具有许多限制的P型氧化物半导体被绝缘体层代替。 因此，也可以扩大调整电气特性变化的范围。

公开(公告)号：KR101665863B1

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：KR1020150048938

申请日：2015-04-07

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 최덕균 ,  최명재 ,  김명호 ,  권현민

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/28

Abstract: 정류다이오드및 그제조방법을제공한다. 이러한정류다이오드는절연체물질을포함하는절연체층및 상기절연체층상에위치하고, n형 ZnO 계열산화물반도체를포함하는반도체층을포함하고, 상기절연체층과상기반도체층사이에서정류특성을갖는것을특징으로한다. 따라서, 향상된전기적특성을갖는정류다이오드를제공할수 있다. 또한, 기존산화물다이오드와비교하였을때 많은제약을받는 P-type 산화물반도체를절연체층으로대체함에따라, 재료선택의폭이보다넓어질수 있다. 따라서, 전기적특성변화의조절범위또한넓힐수 있다.

公开(公告)号：KR1020150126994A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：KR1020150048938

申请日：2015-04-07

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 최덕균 ,  최명재 ,  김명호 ,  권현민

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/28

Abstract: 정류다이오드및 그제조방법을제공한다. 이러한정류다이오드는절연체물질을포함하는절연체층및 상기절연체층상에위치하고, n형 ZnO 계열산화물반도체를포함하는반도체층을포함하고, 상기절연체층과상기반도체층사이에서정류특성을갖는것을특징으로한다. 따라서, 향상된전기적특성을갖는정류다이오드를제공할수 있다. 또한, 기존산화물다이오드와비교하였을때 많은제약을받는 P-type 산화물반도체를절연체층으로대체함에따라, 재료선택의폭이보다넓어질수 있다. 따라서, 전기적특성변화의조절범위또한넓힐수 있다.

Abstract translation: 提供一种整流二极管及其制造方法。 整流二极管包括绝缘体层，其包括绝缘体材料和位于绝缘体层上并且包括n型ZnO基氧化物半导体并且具有在绝缘体层和半导体层之间的整流特性的半导体层。 因此，提供了具有改进的电气特性的整流二极管。 此外，与现有的氧化物二极管相比，通过用绝缘体层替代具有许多限制的P型氧化物半导体来扩展材料的选择。 因此，电气特性变化的控制范围变宽。