-
公开(公告)号：WO2015119418A1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：PCT/KR2015/001125
申请日：2015-02-04
Applicant: 주식회사 레이언스 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14692 , H01L27/14609
Abstract: 본 발명은 산화물반도체의 손상을 방지하여 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 방안을 제공하는 데 과제가 있다. 본 발명은 소스전극 및 드레인전극과; 상기 소스전극 및 드레인전극과 접촉하는 산화물반도체층과; 상기 산화물반도체층 상에 형성된 게이트절연막과; 상기 게이트절연막 상에 형성된 게이트전극과; 상기 드레인전극과 연결되는 포토다이오드를 포함하는 이미지센서를 제공한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于防止对氧化物半导体的任何损坏从而改善电气特性的方案。 本发明提供了一种图像传感器，包括：源电极和漏电极; 与源电极和漏电极接触的氧化物半导体层; 形成在所述氧化物半导体层上的栅极绝缘膜; 形成在栅极绝缘膜上的栅电极; 以及连接到漏电极的光电二极管。
-
公开(公告)号：WO2015160152A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/KR2015/003662
申请日：2015-04-13
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/861
Abstract: 정류 다이오드 및 그 제조방법을 제공한다. 이러한 정류 다이오드는 절연체 물질을 포함하는 절연체층 및 상기 절연체층 상에 위치하고, n형 ZnO 계열 산화물 반도체를 포함하는 반도체층을 포함하고, 상기 절연체층과 상기 반도체층 사이에서 정류특성을 갖는 것을 특징으로 한다. 따라서, 향상된 전기적 특성을 갖는 정류 다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 기존 산화물 다이오드와 비교하였을 때 많은 제약을 받는 P-type 산화물 반도체를 절연체층으로 대체함에 따라, 재료선택의 폭이 보다 넓어질 수 있다. 따라서, 전기적 특성 변화의 조절 범위 또한 넓힐 수 있다.
Abstract translation: 提供一种整流二极管及其制造方法。 整流二极管包括：绝缘体层，包括绝缘体材料; 以及位于绝缘体层上并包括n型ZnO基氧化物半导体的半导体层，其中在绝缘体层和半导体层之间呈现整流特性。 因此，可以提供具有改进的电特性的整流二极管。 此外，与传统的氧化物二极管相比，本发明提供了更广泛的材料选择，因为具有许多限制的P型氧化物半导体被绝缘体层代替。 因此，也可以扩大调整电气特性变化的范围。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160021328A
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：KR1020140105774
申请日：2014-08-14
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L31/09 , H01L31/103 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L31/1032 , H01L31/1864
Abstract: UV 센서및 그제조방법을제공한다. UV 센서는기판, 상기기판상에위치하는제1 전극, 상기제1 전극상에위치하되, 절연체물질을포함하는절연체층, 상기절연체층상에위치하되, 산화물반도체를포함하는산화물반도체층및 상기산화물반도체층상에위치하는제2 전극을포함하고, 상기절연체층과상기산화물반도체층사이에서정류특성을갖고, UV 조사에따른제1 전극및 제2 전극사이의광전류변화를이용한다. 따라서, 산화물반도체와절연체층사이에일어나는정류효과를이용하여, UV 센서의 off-current를낮출수 있다.
Abstract translation: 提供一种紫外线（UV）传感器及其制造方法。 UV传感器包括：基板; 位于所述基板上的第一电极; 绝缘体层，其位于所述第一电极上并且包括绝缘材料; 位于所述绝缘体层上且包含氧化物半导体的氧化物半导体层; 以及位于所述氧化物半导体上的第二电极。 UV传感器在绝缘体层和氧化物半导体层之间具有整流特性，并且使用由UV照射引起的第一和第二电极之间的光电流变化。 因此，本发明可以通过使用在氧化物半导体层和绝缘体层之间产生的整流效应来减少UV传感器的截止电流。
-
公开(公告)号：KR101665863B1
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：KR1020150048938
申请日：2015-04-07
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/28
Abstract: 정류다이오드및 그제조방법을제공한다. 이러한정류다이오드는절연체물질을포함하는절연체층및 상기절연체층상에위치하고, n형 ZnO 계열산화물반도체를포함하는반도체층을포함하고, 상기절연체층과상기반도체층사이에서정류특성을갖는것을특징으로한다. 따라서, 향상된전기적특성을갖는정류다이오드를제공할수 있다. 또한, 기존산화물다이오드와비교하였을때 많은제약을받는 P-type 산화물반도체를절연체층으로대체함에따라, 재료선택의폭이보다넓어질수 있다. 따라서, 전기적특성변화의조절범위또한넓힐수 있다.
-
公开(公告)号：KR101683341B1
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020140105774
申请日：2014-08-14
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L31/09 , H01L31/103 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: UV 센서및 그제조방법을제공한다. UV 센서는기판, 상기기판상에위치하는제1 전극, 상기제1 전극상에위치하되, 절연체물질을포함하는절연체층, 상기절연체층상에위치하되, 산화물반도체를포함하는산화물반도체층및 상기산화물반도체층상에위치하는제2 전극을포함하고, 상기절연체층과상기산화물반도체층사이에서정류특성을갖고, UV 조사에따른제1 전극및 제2 전극사이의광전류변화를이용한다. 따라서, 산화물반도체와절연체층사이에일어나는정류효과를이용하여, UV 센서의 off-current를낮출수 있다.
Abstract translation: 提供一种紫外线（UV）传感器及其制造方法。 UV传感器包括：基板; 位于所述基板上的第一电极; 绝缘体层，其位于所述第一电极上并且包括绝缘材料; 位于所述绝缘体层上且包含氧化物半导体的氧化物半导体层; 以及位于所述氧化物半导体上的第二电极。 UV传感器在绝缘体层和氧化物半导体层之间具有整流特性，并且使用由UV照射引起的第一和第二电极之间的光电流变化。 因此，本发明可以通过使用在氧化物半导体层和绝缘体层之间产生的整流效应来减少UV传感器的截止电流。
-
公开(公告)号：KR1020150126994A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：KR1020150048938
申请日：2015-04-07
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/28
Abstract: 정류다이오드및 그제조방법을제공한다. 이러한정류다이오드는절연체물질을포함하는절연체층및 상기절연체층상에위치하고, n형 ZnO 계열산화물반도체를포함하는반도체층을포함하고, 상기절연체층과상기반도체층사이에서정류특성을갖는것을특징으로한다. 따라서, 향상된전기적특성을갖는정류다이오드를제공할수 있다. 또한, 기존산화물다이오드와비교하였을때 많은제약을받는 P-type 산화물반도체를절연체층으로대체함에따라, 재료선택의폭이보다넓어질수 있다. 따라서, 전기적특성변화의조절범위또한넓힐수 있다.
Abstract translation: 提供一种整流二极管及其制造方法。 整流二极管包括绝缘体层，其包括绝缘体材料和位于绝缘体层上并且包括n型ZnO基氧化物半导体并且具有在绝缘体层和半导体层之间的整流特性的半导体层。 因此，提供了具有改进的电气特性的整流二极管。 此外，与现有的氧化物二极管相比，通过用绝缘体层替代具有许多限制的P型氧化物半导体来扩展材料的选择。 因此，电气特性变化的控制范围变宽。
-
公开(公告)号：KR1020150091900A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020140012695
申请日：2014-02-04
Applicant: 주식회사 레이언스 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14692 , H01L27/14609
Abstract: 본 발명은 소스전극 및 드레인전극과; 상기 소스전극 및 드레인전극과 접촉하는 산화물반도체층과; 상기 산화물반도체층 상에 형성된 게이트절연막과; 상기 게이트절연막 상에 형성된 게이트전극과; 상기 드레인전극과 연결되는 포토다이오드를 포함하는 이미지센서를 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种图像传感器，其包括源电极，漏电极，与源电极和漏极接触的氧化物半导体层，形成在氧化物半导体层上的栅极绝缘层，栅电极 其形成在栅极绝缘层上，以及连接到漏电极的光电二极管。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.132 seconds)
