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公开(公告)号：WO2023085547A1
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：PCT/KR2022/010184
申请日：2022-07-13
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L27/108
Abstract: 3차원 메모리 어레이 및 그 제조 방법이 개시된다. 보다 상세하게, 일 실시예에 따라, 수직 방향으로 교번하며 적층된 분리 절연층들 및 메모리 셀층들을 포함한 채 트랜지스터 및 커패시터를 개별적으로 구성하는 3차원 메모리 어레이는, 채널과 소스 및 드레인이 서로 다른 도핑 농도를 갖는 반도체 물질로 각기 형성되는 트랜지스터 및/또는 대향 면적을 증대시킨 커패시터 유전막을 포함하는 커패시터를 포함할 수 있다.
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