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公开(公告)号：KR102237572B1
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：KR1020190050819A
申请日：2019-04-30
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: G03F1/22 , G03F7/2004 , G03F7/70033
Abstract: EUV 리소그래피용 마스크가 제공된다. 상기 EUV 리소그래피용 마스크는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 복수의 단위막(unit layer)이 적층된 반사 구조체, 및 상기 반사 구조체 상에 배치되고, 제1 폭(width)을 갖는 제1 흡수층, 및 상기 제1 흡수층 상에 적층되고, 상기 제1 폭 보다 좁은 제2 폭을 갖는 제2 흡수층을 포함하는 흡수 구조체를 포함하되, 상기 제1 흡수층 및 상기 제2 흡수층의 폭 차이에 따라, 상기 흡수 구조체를 향해 입사된 광의 0차 회절광 및 1차 회절광 사이의 위상차가 제어되는 것을 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2023085547A1
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：PCT/KR2022/010184
申请日：2022-07-13
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L27/108
Abstract: 3차원 메모리 어레이 및 그 제조 방법이 개시된다. 보다 상세하게, 일 실시예에 따라, 수직 방향으로 교번하며 적층된 분리 절연층들 및 메모리 셀층들을 포함한 채 트랜지스터 및 커패시터를 개별적으로 구성하는 3차원 메모리 어레이는, 채널과 소스 및 드레인이 서로 다른 도핑 농도를 갖는 반도체 물질로 각기 형성되는 트랜지스터 및/또는 대향 면적을 증대시킨 커패시터 유전막을 포함하는 커패시터를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2020071817A1
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：PCT/KR2019/012966
申请日：2019-10-02
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 펠리클 식각 지그 및 펠리클 식각 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 펠리클 식각 지그는 설정 두께 및 설정 면적을 갖는 제1 지지판; 중앙 영역에 식각홀이 형성되고, 상기 제1 지지판의 상면에 결합 및 분리 가능하게 제공되는 제2 지지판; 및 설정 길이를 갖는 로드 형상을 가지고 일측 단부는 상기 제1 지지판에 연결되되, 길이 방향이 상기 제1 지지판 및 상기 제2 지지판의 넓이 방향에 대해 수직하게 제공되는 지지부를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2017122975A1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：PCT/KR2017/000262
申请日：2017-01-09
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/62 , G03F1/22 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/22 , G03F1/62 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 복수개의 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층 및 열방출층이 교대로 적층된 펠리클 멤브레인을 준비하는 단계, 및 상기 펠리클 멤브레인의 상기 열방출층이 노출된 가장자리 측면(sidewall) 상에 상기 펠리클 멤브레인으로부터 열을 흡수하는 냉각구조체를 배치하는 단계를 포함하는 EUV 펠리클 구조체의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Abstract translation:
多个EUV（极紫外）传送层和散热层的是制备交替层叠的薄膜的膜的步骤，曝光的薄膜的膜边缘侧的散热层（侧壁） 有关于制造包含EUV防护薄膜组件的结构的方法：将冷却结构用于从所述防护膜吸收热量可以提供
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公开(公告)号：WO2022059916A1
公开(公告)日：2022-03-24
申请号：PCT/KR2021/010473
申请日：2021-08-09
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 펠리클 열적 내구성 평가 장치가 제공된다. 상기 펠리클 열적 내구성 평가 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되고 펠리클이 안착되는 펠리클 홀더, 및 상기 펠리클 홀더에 안착된 상기 펠리클의 온도를 측정하는 온도 측정 모듈을 포함하는 내구성 측정부, 및 상기 펠리클 홀더에 안착된 상기 펠리클의 종류에 따라, 광의 강도(intensity)를 제어하여 상기 펠리클에 조사하는 광원부를 포함할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017183941A1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：PCT/KR2017/004287
申请日：2017-04-21
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층을 준비하는 단계, 상기 EUV 투과층 상에 그래핀층(graphene layer)을 형성하는 단계, 상기 그래핀층의 결함(defect) 상에 링킹 물질(linking material)을 제공하여 링킹 패턴(linking pattern)을 형성하는 단계, 및 상기 링킹 패턴 상에 열방출층을 형성하는 단계를 포함하는 펠리클 구조체의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Abstract translation: 制备EUV（极紫外）透射层，在EUV透射层上形成石墨烯层，在石墨烯层的缺陷上形成连接材料 提供连接材料以形成连接图案，并且在连接图案上形成热释放层。
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公开(公告)号：WO2016043536A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：PCT/KR2015/009761
申请日：2015-09-17
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/62
CPC classification number: G03F1/62
Abstract: 감광성 유리를 이용한 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법을 제공한다. EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법은 감광성 유리 단일층의 제1 영역을 노광 및 어닐링하는 단계, 상기 감광성 유리 단일층의 하부에 씨드층을 형성하는 단계, 상기 씨드층의 하부에 멤브레인을 형성하는 단계 및 상기 제1 영역 및 상기 제1 영역의 하부에 위치하는 씨드층 영역인 제2 영역을 식각하여 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 감광성 유리(photosensitive glass)가 자외선 조사 여부에 따라 HF 식각용액에 대한 식각 선택비가 크게 차이 난다는 점을 이용하여, 공정의 단순화 및 재현성이 확보된 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 提供一种使用感光玻璃制造EUV光刻胶薄膜的方法。 用于制造EUV光刻防伪薄膜的方法可以包括以下步骤：对感光玻璃的单层的第一区域进行曝光和退火; 在感光玻璃的单层的下部形成种子层; 在种子层的下部形成膜; 以及蚀刻和去除第一区域，以及作为位于第一区域的下部的种子层区域的第二区域。 因此，可以提供一种用于制造EUV光刻防伪薄片的方法，其通过使用感光玻璃相对于HF蚀刻溶液的蚀刻选择性显示出显着差异的事实，从而确保再现性和工艺简化。根据感光玻璃是否暴露于 紫外线或不。
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公开(公告)号：WO2015160185A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/KR2015/003783
申请日：2015-04-15
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/64 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/62 , G03F7/2004 , H01L21/027
Abstract: EUV 리소그래피용 펠리클을 제공한다. EUV 리소그래피용 펠리클은 제1 무기물층 상에 제1 결합층 및 탄소 나노구조체를 포함하는 강도보강층이 위치하고, 이때의 제1 결합층은 상기 제1 무기물층과 상기 강도보강층의 결합력을 강화시키고, 탄소 나노구조체를 포함하는 강도보강층을 구비함으로써 펠리클막의 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 다른 실시예의 EUV 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법을 제공한다. EUV 리소그래피용 펠리클은 복수개의 홀을 포함하고, 소광계수가 0.02 이하인 물질로 구성된 다공성 박막이고, 상기 홀의 직경은 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. 따라서, 높은 EUV 투과율을 가지면서도 두께를 두껍게 제작할 수 있으므로 향상된 강도를 확보할 수 있다.
Abstract translation: 提供EUV光刻用防护薄膜。 用于EUV光刻的防护薄膜组件包括形成在第一无机层上的第一组合层和包括碳纳米结构的强化增强层，其中第一组合层增强了第一无机层和强度增强层之间的结合力， 通过包括具有碳纳米结构的强度增强层来改进防护薄膜。 此外，根据另一实例，提供了一种用于EUV光刻的防护薄膜组件及其制造方法。 用于EUV光刻的防护薄膜组件是包括多个孔的多孔薄膜，由具有0.02或更低的消光系数的材料制成，其中孔的直径为1μm或更小。 因此，防护薄膜组件可以制造成具有高的EUV透射率并且较厚，从而确保改善的强度。
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公开(公告)号：WO2023018308A1
公开(公告)日：2023-02-16
申请号：PCT/KR2022/012143
申请日：2022-08-12
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 다층 분자막 포토레지스트가 제공된다. 상기 다층 분자막 포토레지스트는 기판의 상부방향으로 각각 연장되고 횡방향으로 다수개 배치된 분자선들을 구비한다. 각 분자선은 다수의 무기 단분자들과 상기 무기 단분자들 중 적어도 일부의 무기 단분자들 사이에 개재된 유기 단분자가 결합에 의해 연결된 것이다.
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公开(公告)号：WO2017164556A1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：PCT/KR2017/002733
申请日：2017-03-14
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 광원부가 다층 박막 거울에 EUV(Extreme Ultraviolet) 광을 조사하고, 검출부가 상기 다층 박막 거울로부터 반사된 제1 EUV 광을 수집 및 측정하는 단계, 상기 다층 박막 거울 상에 펠리클(pellicle)을 배치하는 단계, 상기 광원부가 상기 펠리클에 상기 EUV 광을 조사하고, 상기 검출부가 상기 펠리클을 투과한 후 상기 다층 박막 거울에 반사되어 상기 펠리클을 재투과하는 제2 EUV 광을 수집 및 측정하는 단계, 및 상기 제1 및 제2 EUV 광을 통해 상기 펠리클의 투과도를 산출하여 상기 펠리클의 불량 여부를 평가하는 단계를 포함하되, 상기 펠리클을 상기 다층 박막 거울 상에 위치한 펠리클 스테이지(pellicle stage) 상에, 상기 다층 박막 거울과 이격 배치시켜, 상기 펠리클의 접촉으로 인한 상기 다층 박막 거울의 오염 및 손상을 최소화하는 펠리클의 검사 방법이 제공될 수 있다.
Abstract translation:
光源照射EUV（极紫外）光在多层薄膜反射镜，并且所述检测单元是用于收集和测量所述多层薄膜反射镜的工序的权利要求1的EUV光从多层薄膜反射镜反射 通过该防护薄膜组件放置一个薄膜（薄膜），则光源在该防护薄膜组件照射EUV光，所述检测单元通过所述薄膜传输收集根据权利要求2，其被反映在多层薄膜镜的EUV光重新发送的 和测量，并且所述第一和第二，但通过从EUV光计算薄膜的透射率，其包括评估所述缺陷是否防护薄膜组件，在对多层薄膜镜级的防尘薄膜组件的防尘薄膜组件（防尘薄膜组件的步骤 以减少由于薄膜接触引起的多层薄膜反射镜的污染和损坏 它可以被提供。
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