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公开(公告)号：WO2010067958A2
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/KR2009/006234
申请日：2009-10-27
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/0392 , H01L31/1892 , H01L51/003 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 기판의 재사용이 가능한 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지는 i) 상호 이격되어 배치되고 일방향으로 뻗은 복수의 나노 구조체들, ii) 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체의 일단을 덮는 제1 도전체층, iii) 제1 도전체층과 이격되어 위치하고, 나노 구조체의 타단을 덮는 제2 도전체층, 및 iv) 제1 도전체층 및 제2 도전체층의 사이에 위치한 유전체층을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有可重复使用的基板的太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括i）彼此间隔开并沿一个方向布置的多个纳米结构，ii）覆盖多个纳米结构中的一个或多个纳米结构的一端的第一导体层，iii）第二导体层， 与第一导体层间隔开并且覆盖纳米结构的另一端，以及iv）介于第一导体层和第二导体层之间的电介质层。
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公开(公告)号：WO2010150947A1
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/KR2009/005916
申请日：2009-10-14
Applicant: 한양대학교 산학협력단 , 이정호 , 정진영 , 지상원 , 엄한돈
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지는 i) 기판, ii) 기판 위에 위치하고, 상호 이격되어 배열된 복수의 제1 나노 구조체들, 및 iii) 기판 위에 위치하고, 복수의 제1 나노 구조체들과 이격되어 배열된 복수의 제2 나노 구조체들을 포함한다. 복수의 제1 나노 구조체들 중 하나의 제1 나노 구조체를 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 직경은 복수의 제2 나노 구조체들 중 하나의 제2 나노 구조체를 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 직경보다 크다.
Abstract translation: 太阳能电池及其制造方法技术领域本发明涉及太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括：i）基底; ii）多个第一纳米结构，其定位在所述基底上，并且通过彼此间隔布置; 以及iii）多个第二纳米结构，其定位在所述基板上，并且通过与所述多个第一纳米结构间隔开来布置。 所述多个第一纳米结构体的平行于所述基板的板面的方向切断的所述第一纳米结构体的截面的平均直径比所述多个第二纳米结构体的截面的平均直径大 平行于基板的板表面的方向。
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公开(公告)号：WO2011152649A2
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/KR2011/003984
申请日：2011-05-31
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0232 , B82Y20/00 , H01L31/035245 , H01L31/035254 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/03845 , H01L31/186 , Y02E10/52
Abstract: 본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지는, i) 제1 도전층, ii) 제1 도전층 위에 위치하고, 제1 도전층의 판면에 교차하는 방향으로 뻗으며, 상호 이격된 복수의 나노 구조체들, iii) 제1 도전층 위에 위치하고, 복수의 나노 구조체들 사이의 공간에 충전된 수지층, iv) 수지층 위에 위치하고, 복수의 나노 구조체들을 덮는 하나 이상의 반도체층, 및 v) 반도체층을 덮고, 제1 도전층의 광투과율보다 낮은 광투과율을 가지는 제2 도전층을 포함한다.
Abstract translation: 太阳能电池及其制造方法技术领域本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括：i）第一导电层，ii）位于第一导电层上的多个纳米结构沿与第一导电层的板表面交叉的方向排列，并且彼此间隔开，iii ）树脂层，其位于所述第一导电层上并填充所述多个纳米结构之间的空间，iv）位于所述树脂层上并覆盖所述多个纳米结构的一个或多个半导体层，以及v）第二导电 覆盖半导体层并具有比第一导电层低的透光率的层。
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公开(公告)号：KR101523742B1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020090046691
申请日：2009-05-27
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은태양전지및 그제조방법에관한것이다. 태양전지는 i) 기판, ii) 기판의전면위에위치하고, 기판의전면에대하여실질적으로수직인방향으로뻗은복수의나노구조체들, iii) 복수의나노구조체들중 하나이상의나노구조체의표면위에위치한금속나노입자, 및 iv) 하나이상의나노구조체의상단을덮어서접촉하는투명도전층을포함한다. 복수의나노구조체들중 하나이상의나노구조체는, i) 제1 도핑영역, 및 ii) 전면에평행인방향으로제1 도핑영역을둘러싸는제2 도핑영역을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130000224A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020110060801
申请日：2011-06-22
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/035281 , H01L31/02167 , H01L31/022425
Abstract: PURPOSE: A solar cell and a manufacturing method thereof are provided to use a metal electrode having a higher flexibility than a transparent conductive film, thereby preventing deterioration. CONSTITUTION: A first metal electrode(10) touches a second doped region of nanostructures(30). The first metal electrode is separately formed in the upper end of a second doped region. A second metal electrode(20) is separated from the first metal electrode. The second metal electrode covers the lower part of a first doped region. A dielectric layer(40) is positioned between the first metal electrode and the second metal electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池及其制造方法，以使用具有比透明导电膜更高的柔性的金属电极，从而防止劣化。 构成：第一金属电极（10）接触纳米结构（30）的第二掺杂区域。 第一金属电极分别形成在第二掺杂区域的上端。 第二金属电极（20）与第一金属电极分离。 第二金属电极覆盖第一掺杂区域的下部。 电介质层（40）位于第一金属电极和第二金属电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100874202B1
公开(公告)日：2008-12-15
申请号：KR1020060119339
申请日：2006-11-29
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: A nano wire manufacturing method is provided to grow nano wire more easily, to simplify the process for producing nano wire and to obtain higher electric current driving force by using silicide catalyst. A manufacturing method of nano wire comprises steps of: (S1) forming alloy thin film layer on silicone substrate; (S2) depositing aluminum thin film on the alloy thin film layer; (S3) forming porous nano template by means of the deposited aluminum thin film; (S4) forming titanium pilar under the pores of the template; (S5) precipitating copper from the alloy thin film layer as copper silicide by reaction with silicone which is diffused on aluminum oxidization film after diffusion toward the lower side of the pores of the template through the titanium pilar; (S6) growing nano wire on using the precipitated copper silicide catalyst; and (S7) removing the porous nano template for the preparation of semiconductor device. Further, the alloy thin film layer is one of cupper-titanium alloy, platinum-titanium alloy and cobalt-titanium alloy.
Abstract translation: 本发明提供了一种纳米线的制造方法，使得纳米线的生长更容易，使用硅化物催化剂可以简化纳米线的生产工艺，获得更高的电流驱动力。 一种纳米线的制造方法，包括以下步骤：（S1）在硅基板上形成合金薄膜层; （S2）在合金薄膜层上沉积铝薄膜; （S3）通过沉积的铝薄膜形成多孔纳米模板; （S4）在模板的孔下方形成钛毛细管; （S5）通过与扩散到铝氧化膜上的有机硅反应后，通过钛毛细管向模板孔的下侧扩散，从而从合金薄膜层中析出作为硅化铜的铜; （S6）在使用沉淀的硅化铜催化剂时生长纳米线; 和（S7）去除用于制备半导体器件的多孔纳米模板。 此外，合金薄膜层是铜 - 钛合金，铂 - 钛合金和钴 - 钛合金中的一种。
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公开(公告)号：KR100817535B1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：KR1020070005974
申请日：2007-01-19
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/28 , B82B3/00 , H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: B82B3/0004 , B82B3/0057 , H01L21/02172
Abstract: A method for fabricating a semiconductor nano wire is provided to more effectively grow a semiconductor nano wire by using Au silicide as a catalyst in growing a semiconductor nano wire by a VLS(vapor liquid solid) growth method. A Ti thin film, an Au thin film and an Al thin film are sequentially formed on a semiconductor substrate(S1). The Al thin film is anodized to fabricate a porous nano template having nano pores(S2). Si is injected into the Au thin film exposed to the lower portion of the pores of the porous nano template to transform the Au thin film into Au silicide(S3). A semiconductor nano wire is grown to be vertical to the semiconductor substrate by a VLS growth method in which the Au silicide is used as a catalyst(S4). The porous nano template is eliminated(S5). The Ti thin film can have a thickness of 500~1000 Š. The Au thin film can have a thickness of 5~50 Š. The Al thin film can have a thickness of 8000~10000 Š.
Abstract translation: 提供了一种制造半导体纳米线的方法，通过使用AuSiO 2作为催化剂，通过VLS（蒸气固体）生长法生长半导体纳米线，从而更有效地生长半导体纳米线。 在半导体衬底上依次形成Ti薄膜，Au薄膜和Al薄膜（S1）。 将Al薄膜阳极氧化以制造具有纳米孔的多孔纳米模板（S2）。 将Si注入到暴露于多孔纳米模板的孔的下部的Au薄膜中，以将Au薄膜转变为硅化硅（S3）。 半导体纳米线通过使用氧化硅作为催化剂的VLS生长法生长为垂直于半导体衬底（S4）。 消除多孔纳米模板（S5）。 Ti薄膜的厚度可以为500〜1000Š。 Au薄膜的厚度可以为5〜50Š。 Al薄膜的厚度可达8000〜10000Š。
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公开(公告)号：KR1020100138391A
公开(公告)日：2010-12-31
申请号：KR1020090056908
申请日：2009-06-25
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A solar cell and a method for manufacturing the same are provided to implement excellent solar cell having high energy efficiency by forming nano structures having different structure. CONSTITUTION: A plurality of first nano-structure(20) are arranged is formed on a substrate(10) and are separated from each other. A plurality of second nanostructures(30) are arranged on the substrate and are separated from the first nano-structure. One of the first nano-structures has an average diameter of a cutting section in the substrate is larger than that of one of the second nano-structures.
Abstract translation: 目的：提供太阳能电池及其制造方法，以通过形成具有不同结构的纳米结构来实现具有高能量效率的优良太阳能电池。 构成：将多个第一纳米结构（20）布置在基板（10）上并彼此分离。 多个第二纳米结构（30）布置在基板上并与第一纳米结构分离。 第一纳米结构之一具有基板中的切割部分的平均直径大于第二纳米结构之一的平均直径。
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9.发明公开
公开(公告)号：KR1020100066922A
公开(公告)日：2010-06-18
申请号：KR1020080125440
申请日：2008-12-10
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A photovoltaic cell including a semiconductor rod, a method for managing the same, and a photovoltaic cell-thermoelectric device integrated module are provided to improve energy conversion efficiency by generating electricity using the optical energy and the heat energy of the photovoltaic cell. CONSTITUTION: A semiconductor rod(13) is projected over a substrate(10). The semiconductor rod includes a plurality of compound thin films with different compositions. Central parts of the compound thin films form a first conductive semiconductor core(13a). End parts of the compound thin films form a second conductive semiconductor shell(13b). A first PV electrode(19) is electrically connected with the first conductive semiconductor core. A second PV electrode(18) is electrically connected with the second conductive semiconductor shell.
Abstract translation: 目的：提供一种包括半导体棒的光伏电池，其管理方法和光伏电池 - 热电元件集成模块，以通过使用光能和光能电池的热能发电来提高能量转换效率。 构成：半导体棒（13）突出在衬底（10）上方。 半导体棒包括具有不同组成的多个复合薄膜。 复合薄膜的中心部分形成第一导电半导体芯（13a）。 复合薄膜的端部形成第二导电半导体外壳（13b）。 第一PV电极（19）与第一导电半导体芯电连接。 第二PV电极（18）与第二导电半导体外壳电连接。
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公开(公告)号：KR1020100060820A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080119573
申请日：2008-11-28
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0525 , H01L35/00
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0525 , H01L35/00
Abstract: PURPOSE: An unified module of a photovoltaic cell- a thermoelectric device, a method for fabricating the same are provided to improve the energy conversion efficiency by generating power through usage of light energy and heat energy. CONSTITUTION: A semiconductor ingot(13) comprises a first semiconductor core(13a) and a second semiconductor shell(13b). A first PV electrode(19) electrically connects to the first semiconductor core. A second PV electrode(18) electrically connects to the second semiconductor shell. A Seebeck device(SB) is located in a lower part of a solar battery. The Seebeck device comprises a P-type semiconductor ingot(35b) and an N type semiconductor ingot(35a).
Abstract translation: 目的：提供光伏电池的统一模块 - 热电装置及其制造方法，以通过使用光能和热能产生电力来提高能量转换效率。 构成：半导体晶锭（13）包括第一半导体芯（13a）和第二半导体外壳（13b）。 第一PV电极（19）电连接到第一半导体芯。 第二PV电极（18）电连接到第二半导体外壳。 塞贝克装置（SB）位于太阳能电池的下部。 塞贝克装置包括P型半导体块（35b）和N型半导体块（35a）。
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