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公开(公告)号：WO2010067958A2
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/KR2009/006234
申请日：2009-10-27
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/0392 , H01L31/1892 , H01L51/003 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 기판의 재사용이 가능한 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지는 i) 상호 이격되어 배치되고 일방향으로 뻗은 복수의 나노 구조체들, ii) 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체의 일단을 덮는 제1 도전체층, iii) 제1 도전체층과 이격되어 위치하고, 나노 구조체의 타단을 덮는 제2 도전체층, 및 iv) 제1 도전체층 및 제2 도전체층의 사이에 위치한 유전체층을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及具有可重复使用的基板的太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括i）彼此间隔开并沿一个方向布置的多个纳米结构，ii）覆盖多个纳米结构中的一个或多个纳米结构的一端的第一导体层，iii）第二导体层， 与第一导体层间隔开并且覆盖纳米结构的另一端，以及iv）介于第一导体层和第二导体层之间的电介质层。
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公开(公告)号：WO2011152649A2
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/KR2011/003984
申请日：2011-05-31
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0232 , B82Y20/00 , H01L31/035245 , H01L31/035254 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/03845 , H01L31/186 , Y02E10/52
Abstract: 본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지는, i) 제1 도전층, ii) 제1 도전층 위에 위치하고, 제1 도전층의 판면에 교차하는 방향으로 뻗으며, 상호 이격된 복수의 나노 구조체들, iii) 제1 도전층 위에 위치하고, 복수의 나노 구조체들 사이의 공간에 충전된 수지층, iv) 수지층 위에 위치하고, 복수의 나노 구조체들을 덮는 하나 이상의 반도체층, 및 v) 반도체층을 덮고, 제1 도전층의 광투과율보다 낮은 광투과율을 가지는 제2 도전층을 포함한다.
Abstract translation: 太阳能电池及其制造方法技术领域本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括：i）第一导电层，ii）位于第一导电层上的多个纳米结构沿与第一导电层的板表面交叉的方向排列，并且彼此间隔开，iii ）树脂层，其位于所述第一导电层上并填充所述多个纳米结构之间的空间，iv）位于所述树脂层上并覆盖所述多个纳米结构的一个或多个半导体层，以及v）第二导电 覆盖半导体层并具有比第一导电层低的透光率的层。
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公开(公告)号：WO2010150947A1
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/KR2009/005916
申请日：2009-10-14
Applicant: 한양대학교 산학협력단 , 이정호 , 정진영 , 지상원 , 엄한돈
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/03529 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지는 i) 기판, ii) 기판 위에 위치하고, 상호 이격되어 배열된 복수의 제1 나노 구조체들, 및 iii) 기판 위에 위치하고, 복수의 제1 나노 구조체들과 이격되어 배열된 복수의 제2 나노 구조체들을 포함한다. 복수의 제1 나노 구조체들 중 하나의 제1 나노 구조체를 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 직경은 복수의 제2 나노 구조체들 중 하나의 제2 나노 구조체를 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 직경보다 크다.
Abstract translation: 太阳能电池及其制造方法技术领域本发明涉及太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括：i）基底; ii）多个第一纳米结构，其定位在所述基底上，并且通过彼此间隔布置; 以及iii）多个第二纳米结构，其定位在所述基板上，并且通过与所述多个第一纳米结构间隔开来布置。 所述多个第一纳米结构体的平行于所述基板的板面的方向切断的所述第一纳米结构体的截面的平均直径比所述多个第二纳米结构体的截面的平均直径大 平行于基板的板表面的方向。
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公开(公告)号：KR101523742B1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020090046691
申请日：2009-05-27
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은태양전지및 그제조방법에관한것이다. 태양전지는 i) 기판, ii) 기판의전면위에위치하고, 기판의전면에대하여실질적으로수직인방향으로뻗은복수의나노구조체들, iii) 복수의나노구조체들중 하나이상의나노구조체의표면위에위치한금속나노입자, 및 iv) 하나이상의나노구조체의상단을덮어서접촉하는투명도전층을포함한다. 복수의나노구조체들중 하나이상의나노구조체는, i) 제1 도핑영역, 및 ii) 전면에평행인방향으로제1 도핑영역을둘러싸는제2 도핑영역을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130000224A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020110060801
申请日：2011-06-22
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/035281 , H01L31/02167 , H01L31/022425
Abstract: PURPOSE: A solar cell and a manufacturing method thereof are provided to use a metal electrode having a higher flexibility than a transparent conductive film, thereby preventing deterioration. CONSTITUTION: A first metal electrode(10) touches a second doped region of nanostructures(30). The first metal electrode is separately formed in the upper end of a second doped region. A second metal electrode(20) is separated from the first metal electrode. The second metal electrode covers the lower part of a first doped region. A dielectric layer(40) is positioned between the first metal electrode and the second metal electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种太阳能电池及其制造方法，以使用具有比透明导电膜更高的柔性的金属电极，从而防止劣化。 构成：第一金属电极（10）接触纳米结构（30）的第二掺杂区域。 第一金属电极分别形成在第二掺杂区域的上端。 第二金属电极（20）与第一金属电极分离。 第二金属电极覆盖第一掺杂区域的下部。 电介质层（40）位于第一金属电极和第二金属电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100974165B1
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：KR1020080014092
申请日：2008-02-15
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 비선형 회귀 분석을 이용한 얼굴 표정 합성 시스템 및 방법이 개시된다. 얼굴 표정 합성 시스템은 얼굴 학습 영상에 따른 동적 외양 모델을 이용하여 얼굴 입력 영상을 미리 설정한 얼굴 표정 영상으로 변형하는 얼굴 영상 변형부, 비선형 회귀 분석을 통해 조명 방향에 따른 피부색 변화를 계산하여 비선형 피부색 변화 모델을 생성하는 피부색 변화 모델 생성부, 상기 생성된 비선형 피부색 변화 모델을 이용하여 상기 얼굴 입력 영상에 합성할 얼굴 마스크를 생성하는 얼굴 마스크 생성부 및 합성 영역에 따른 거리 변환을 이용하여 상기 얼굴 입력 영상과 상기 얼굴 마스크를 합성하는 영상 합성부를 포함한다.
비선형, 회귀 분석, 피부색 변화 모델, 얼굴 영상, 유클리디 거리 변환-
公开(公告)号：KR100969150B1
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080093132
申请日：2008-09-23
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: PSF 파라미터 추정을 기반으로 한 영상 복원 방법 및 장치를 개시한다. 영상 복원 방법은 입력 영상에 대하여 영근사점(nearest zero point)을 추출하는 단계; 상기 영근사점을 이용하여 PSF(point spread function) 파라미터를 추정하는 단계; 및, 상기 PSF 파라미터를 이용하여 상기 입력 영상을 복원하는 단계를 포함할 수 있다.
모션 블러(motion blur), PSF(point spread function), 디블러링(deblurring), 영근사점(nearest zero point), 흔들림 각도(blur angle), 흔들림 크기(blur length)-
公开(公告)号：KR1020100065920A
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：KR1020080124515
申请日：2008-12-09
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A structure inspection robot and a structure inspection vehicle with the same are provided to obtain a clean image without influence by disturbance by keeping the position of a camera at the target angle. CONSTITUTION: A structure inspection robot(100) comprises a camera module(160) and a main body. The camera module for taking an image of a structure is mounted on the main body and controlled in angle by panning/tilting in order to compensate disturbances. The main body is raised or lowered in order to regulate the distance between the camera module and the structure.
Abstract translation: 目的：提供一种结构检查机器人及其结构检查车辆，以通过将相机的位置保持在目标角度来获得干净的图像而不受干扰的影响。 构成：结构检查机器人（100）包括相机模块（160）和主体。 用于拍摄结构图像的相机模块安装在主体上并通过摇摄/倾斜来控制角度，以便补偿干扰。 为了调节相机模块和结构之间的距离，主体被升高或降低。
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公开(公告)号：KR100874202B1
公开(公告)日：2008-12-15
申请号：KR1020060119339
申请日：2006-11-29
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: A nano wire manufacturing method is provided to grow nano wire more easily, to simplify the process for producing nano wire and to obtain higher electric current driving force by using silicide catalyst. A manufacturing method of nano wire comprises steps of: (S1) forming alloy thin film layer on silicone substrate; (S2) depositing aluminum thin film on the alloy thin film layer; (S3) forming porous nano template by means of the deposited aluminum thin film; (S4) forming titanium pilar under the pores of the template; (S5) precipitating copper from the alloy thin film layer as copper silicide by reaction with silicone which is diffused on aluminum oxidization film after diffusion toward the lower side of the pores of the template through the titanium pilar; (S6) growing nano wire on using the precipitated copper silicide catalyst; and (S7) removing the porous nano template for the preparation of semiconductor device. Further, the alloy thin film layer is one of cupper-titanium alloy, platinum-titanium alloy and cobalt-titanium alloy.
Abstract translation: 本发明提供了一种纳米线的制造方法，使得纳米线的生长更容易，使用硅化物催化剂可以简化纳米线的生产工艺，获得更高的电流驱动力。 一种纳米线的制造方法，包括以下步骤：（S1）在硅基板上形成合金薄膜层; （S2）在合金薄膜层上沉积铝薄膜; （S3）通过沉积的铝薄膜形成多孔纳米模板; （S4）在模板的孔下方形成钛毛细管; （S5）通过与扩散到铝氧化膜上的有机硅反应后，通过钛毛细管向模板孔的下侧扩散，从而从合金薄膜层中析出作为硅化铜的铜; （S6）在使用沉淀的硅化铜催化剂时生长纳米线; 和（S7）去除用于制备半导体器件的多孔纳米模板。 此外，合金薄膜层是铜 - 钛合金，铂 - 钛合金和钴 - 钛合金中的一种。
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公开(公告)号：KR100817535B1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：KR1020070005974
申请日：2007-01-19
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/28 , B82B3/00 , H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: B82B3/0004 , B82B3/0057 , H01L21/02172
Abstract: A method for fabricating a semiconductor nano wire is provided to more effectively grow a semiconductor nano wire by using Au silicide as a catalyst in growing a semiconductor nano wire by a VLS(vapor liquid solid) growth method. A Ti thin film, an Au thin film and an Al thin film are sequentially formed on a semiconductor substrate(S1). The Al thin film is anodized to fabricate a porous nano template having nano pores(S2). Si is injected into the Au thin film exposed to the lower portion of the pores of the porous nano template to transform the Au thin film into Au silicide(S3). A semiconductor nano wire is grown to be vertical to the semiconductor substrate by a VLS growth method in which the Au silicide is used as a catalyst(S4). The porous nano template is eliminated(S5). The Ti thin film can have a thickness of 500~1000 Š. The Au thin film can have a thickness of 5~50 Š. The Al thin film can have a thickness of 8000~10000 Š.
Abstract translation: 提供了一种制造半导体纳米线的方法，通过使用AuSiO 2作为催化剂，通过VLS（蒸气固体）生长法生长半导体纳米线，从而更有效地生长半导体纳米线。 在半导体衬底上依次形成Ti薄膜，Au薄膜和Al薄膜（S1）。 将Al薄膜阳极氧化以制造具有纳米孔的多孔纳米模板（S2）。 将Si注入到暴露于多孔纳米模板的孔的下部的Au薄膜中，以将Au薄膜转变为硅化硅（S3）。 半导体纳米线通过使用氧化硅作为催化剂的VLS生长法生长为垂直于半导体衬底（S4）。 消除多孔纳米模板（S5）。 Ti薄膜的厚度可以为500〜1000Š。 Au薄膜的厚度可以为5〜50Š。 Al薄膜的厚度可达8000〜10000Š。
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