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公开(公告)号：KR1020120130668A
公开(公告)日：2012-12-03
申请号：KR1020110072994
申请日：2011-07-22
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: C01B32/172 , B01J19/12 , B82B1/00 , B82B3/0095 , C01B32/17 , C01B2202/02
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of semi-conductive carbon nano-tube 3d networks is provided to selectively remove metallic carbon nano-tube among the carbon nano-tube 3D networks. CONSTITUTION: A manufacturing method of semi-conductive carbon nano-tube 3d networks comprises the following steps: forming silicon pillar on a silicon substrate; dipping the silicon substrate into a metal catalyst solution and absorbing the metal catalyst on the substrate; providing carbon source gas on the substrate in which the catalyst is absorbed and forming carbon nano-tube 3D network between the silicon pillars; and selectively removing the metal carbon nano-tube by gas plasma processing the carbon nano-tube 3D network. The plasma processing is performed at 5-25W and room temperature for 60-90 seconds. The gas used in the plasma processing is hydrogen.
Abstract translation: 目的：提供半导体碳纳米管3d网络的制造方法，以选择性地去除碳纳米管3D网络中的金属碳纳米管。 构成：半导体碳纳米管3d网络的制造方法包括以下步骤：在硅衬底上形成硅柱; 将硅衬底浸入金属催化剂溶液中并吸收衬底上的金属催化剂; 在催化剂被吸收的基板上提供碳源气体，并在硅柱之间形成碳纳米管3D网络; 并通过碳纳米管3D网络的气体等离子体处理选择性去除金属碳纳米管。 等离子体处理在5-25W和室温下进行60-90秒。 用于等离子体处理的气体是氢气。
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公开(公告)号：KR1020130051767A
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：KR1020110117103
申请日：2011-11-10
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A solar cell including a 3D carbon nanotube network and a manufacturing method thereof are provided to maximize a photoelectric conversion efficiency by forming a carbon nanotube with a 3D network. CONSTITUTION: A substrate includes a plurality of pillars(100a). A 3D carbon nanotube network(200) is formed with an entwined structure to connect each pillar. An anode(300) and a cathode(400) are formed on both sides of the substrate. A dielectric layer(500) covers the anode and the cathode and completely surrounds the 3D carbon nanotube network. A first electrode(600a) is arranged on one side of the anode while interposing the dielectric layer. A second electrode(600b) is arranged on one side of the cathode while interposing the dielectric layer.
Abstract translation: 目的：提供一种包括3D碳纳米管网络的太阳能电池及其制造方法，以通过形成具有3D网络的碳纳米管来最大化光电转换效率。 构成：基板包括多个支柱（100a）。 3D碳纳米管网络（200）形成有缠结结构以连接每个支柱。 阳极（300）和阴极（400）形成在基板的两侧。 电介质层（500）覆盖阳极和阴极并完全围绕3D碳纳米管网络。 第一电极（600a）布置在阳极的一侧，同时插入介电层。 第二电极（600b）布置在阴极的一侧，同时插入介电层。
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公开(公告)号：KR101420905B1
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020110117103
申请日：2011-11-10
Applicant: 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지는 복수개의 필러들(pillars)을 포함하는 기판의 각 필러 사이가 연결되도록 서로 얽힌 구조로 형성되는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 광전변환층으로 사용하여 광전변환을 위한 별도의 구성이 필요치 않고, 넓은 표면적을 가져 광흡수에 유리하며, 다양한 직경을 가지는 탄소나노튜브가 3차원 네트워크 형태로 구성되어 넓은 파장대의 광흡수를 통해 광전변환 효율을 극대화할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법은 양극 및 음극 전면을 덮으며, 상기 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 완전히 감싸도록 유전막을 형성하고, 유전막을 사이에 두고 상기 양극과 음극의 일측에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함함으로써 누설전류를 방지하고, 스플릿 게이트(split gate) 구조의 전극 형태를 채용하여 전기적으로 유도된 pn 접합을 형성하는 태양전지를 제조할 수 있다.
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