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公开(公告)号：WO2019132568A1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：PCT/KR2018/016825
申请日：2018-12-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 2가지의 층상 구조 물질을 포함하고, 상기 층상 구조 물질에 있어서 음이온인 산소 이온의 활성도를 높일 수 있는 최적의 양이온(리튬과 전이금속들) 분포를 조절함으로써, 특성을 향상시킬 수 있는 리튬 이차 전지용 양극 활물질과 이의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2020171640A1
公开(公告)日：2020-08-27
申请号：PCT/KR2020/002522
申请日：2020-02-21
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01M10/0562 , H01M10/052 , C01G25/00
Abstract: 본 발명의 목적은 종래의 가넷 구조 고체 전해질에 비해, 리튬 금속과의 물리적 접촉이 양호하고, 젖음 특성이 향상되며, 특히 임계전류밀도를 획기적으로 향상시킬 수 있어 리튬 수지상의 생성을 억제할 수 있는 고체 전해질 조성물을 제공하는데 있다. 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 측면은, 가넷 구조를 가지고, 하기 [화학식 1]로 표현되는 조성을 갖는 고체 전해질용 조성물을 제공하는 것이다. [화학식 1] Li a+x La 3 M 2 O 12 Al y (5≤a≤9, 0
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公开(公告)号：WO2022119359A1
公开(公告)日：2022-06-09
申请号：PCT/KR2021/018152
申请日：2021-12-02
Applicant: 주식회사 엘지에너지솔루션 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01M4/66 , H01M4/62 , H01M10/42 , H01M4/13 , H01M10/058 , H01M10/052 , H01M4/02
Abstract: 본 발명은 리튬 금속 전지용 음극 집전체로서, 금속 집전 기재, 및 상기 금속 집전 기재의 적어도 일면에 형성되어 있고, 강유전체, 리튬과 합금 가능한 금속 물질, 도전재, 및 바인더를 포함하는 코팅층을 포함하는 음극 집전체 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 전극조립체 및 리튬 금속 전지에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2021246830A1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：PCT/KR2021/007044
申请日：2021-06-04
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01M4/1391 , H01M4/04 , H01M10/44 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01M10/052
Abstract: 본 발명은 리튬 과량 금속 산화물의 전기화학 특성을 향상시켜 가역적으로 고용량 및 고안정성을 모두 가진 우수한 양극 활물질을 얻는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은, 하기 [화학식 1]로 표현되고 층상 구조를 가지는 리튬 과량 금속 산화물의 리튬의 일부를 탈리시켜 상기 리튬 과량 금속 산화물의 결정 구조에 다수의 리튬 공공(Li vacancy)이 생성되도록 하는 탈리튬화 단계와, 상기 탈리튬화된 리튬 과량 금속 산화물을 열처리하여, 상기 리튬 과량 금속 산화물을 구성하는 M' 및/또는 M 원소의 확산을 통한 분산이 이루어지도록 하는 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. [화학식 1] a{Li2M'O3}·(1-a){LiMO2} 또는 Li1+x(M'M)1-xO2 (0
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公开(公告)号：WO2018124754A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/KR2017/015600
申请日：2017-12-28
Applicant: 주식회사 엘지화학 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01M4/134 , H01M4/38 , H01M4/66 , H01M10/052 , H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M4/02
CPC classification number: H01M4/02 , H01M4/04 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/66 , H01M10/052 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 본 발명은 리튬금속전지용 음극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬금속전지에 관한 것으로, 보다 구체적으로 상기 리튬 금속의 표면에 유전체층을 형성함으로써 리튬 덴드라이트의 형성을 방지할 수 있어, 리튬금속전지에 적용시 수명 특성과 전기화학적 성능을 향상시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking6.发明公开듀플렉스 고체전해질막의 제조방법, 이에 의해 제조된 듀플렉스 고체전해질막 및 이를 이용한 전고체전지의 제조방법 有权方法固体电解质膜双面打印双面制造固体电解质膜体和其制造方法全固态电池的
公开(公告)号：KR1020180031949A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：KR1020160120456
申请日：2016-09-21
Applicant: 현대자동차주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M10/052
CPC classification number: H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M2300/0068 , Y02E60/122
Abstract: 본발명은고밀도고체전해질층의양면또는일면에다공성고체전해질층을형성함으로써고체전해질로사용되는금속산화물또는인산화물간의물리적접촉상태를개선하는듀플렉스고체전해질막의제조방법과이에의해제조된듀플렉스고체전해질막및 이를이용한전고체전지의제조방법에관한것이다. 본발명은다공성고체전해질층을형성함으로써, 소결시고밀도고체전해질의수축률의차이를줄이고, 깊이에따른기공률의구배를줌으로써엽렬현상을방지하여고체전해질간의우수한접촉상태를달성할수 있다.
Abstract translation: 本发明高密度由两个表面或电解质层的一个表面上的固体，以形成提高金属氧化物和磷氧化物之间的物理接触的一个多孔固体电解质层双工固体电解质膜的制造方法作为由制备的固体电解质和其双工固体电解质 以及使用其的全固态电池的制造方法。 本发明中，通过形成在多孔固体电解质层，以通过给予深度，以防止yeopryeol现象可实现固体电解质之间良好的接触状态的孔隙度的梯度减少烧结过程中在高密度的固体电解质的收缩率的差异。
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公开(公告)号：KR101876059B1
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：KR1020160120456
申请日：2016-09-21
Applicant: 현대자동차주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M10/052
Abstract: 본발명은고밀도고체전해질층의양면또는일면에다공성고체전해질층을형성함으로써고체전해질로사용되는금속산화물또는인산화물간의물리적접촉상태를개선하는듀플렉스고체전해질막의제조방법과이에의해제조된듀플렉스고체전해질막및 이를이용한전고체전지의제조방법에관한것이다. 본발명은다공성고체전해질층을형성함으로써, 소결시고밀도고체전해질의수축률의차이를줄이고, 깊이에따른기공률의구배를줌으로써엽렬현상을방지하여고체전해질간의우수한접촉상태를달성할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020180110512A
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020170040173
申请日：2017-03-29
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은실리콘복합물의합성방법, 음극및 음극을포함하는리튬이차전지에관한것이다. 본발명의일 실시예는, (a) 실리콘전구체와금속화합물을포함하는전구체혼합물을준비하는단계와 (b) 상기전구체혼합물을가열하여, Si, SiO(0
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9.发明公开고상 반응을 이용한 리튬 이차전지의 음극 활물질용 질소 도핑 탄소 실리콘아산화물 복합체 제조방법, 음극 및 이 음극을 포함하는 리튬 이차전지 审中-实审使用固态反应和阳极的锂二次电池制备硝基掺杂碳和硅氧烷复合材料的方法和包含阳极的锂二次电池
公开(公告)号：KR1020160115701A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020160021150
申请日：2016-02-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/134 , H01M4/133 , H01M10/052
Abstract: 본발명은간단한열처리를통해리튬이차전지의음극활물질로사용할수 있는질소처리된실리콘산화물을제조할수 있는방법에관한것이다. 본발명에따른방법은, 실리콘전구체와, 질소가포함된유기화합물을포함하는혼합물을가열하여, 하기화학식의화합물을합성하는것을특징으로한다. [화학식] CNSiO(여기서, 0
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公开(公告)号：KR1020150130113A
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020140057270
申请日：2014-05-13
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11507
Abstract: 본발명의한 실시예에따른저항변화메모리는기판, 기판위에형성되어있는제1 전극, 제1 전극위에형성되어있으며전도성의제1 저항변화물질층및 비전도성의제2 저항변화물질층을포함하는저항변화층, 저항변화층위에형성되어있는제2 전극을포함하되, 제1 저항변화물질층은 TaO(0
Abstract translation: 根据本发明实施例的电阻可变存储器包括：衬底; 形成在基板上的第一电极; 电阻变化层，其形成在所述第一电极上并且包括第一导电电阻可变材料层和第二非导电电阻可变材料层; 和形成在所述电阻变化层上的第二电极，其中所述第一电阻可变材料层包括TaO_x（0
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