公开(公告)号：KR100836150B1

公开(公告)日：2008-06-09

申请号：KR1020070095109

申请日：2007-09-19

Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사

Inventor： 이마무라,히사유키 ,  하마요시,시게유키 ,  가와타,츠네히로 ,  소부에,마사히사

IPC: C01B21/068

CPC classification number: H05K1/0306 ,  C01B21/068 ,  C01B21/0687 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/5935 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/0355 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/252 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/31 ,  H01L2924/00

Abstract: 질화 규소 분말 중에 존재하는 β형 결정상의 Cu-Kα선을 이용한 X선 회절 강도비로부터 하기 식(1)에 의해 구해지는 β분율이 30∼100%이며,
β분율(%) = [(I
β(101) +I
β(210) )/(I
β(101) +I
β(210) +I
α(102) +I
α(210) )]×100 … (1)
I
β(101) : β형 Si
3 N
4 의 (101)면 회절 피크 강도,
I
β(210) : β형 Si
3 N
4 의 (210)면 회절 피크 강도,
I
α(102) : α형 Si
3 N
4 의 (102)면 회절 피크 강도, 및
I
α(210) : α형 Si
3 N
4 의 (210)면 회절 피크 강도.
산소함유량이 0.2~0.5중량%이며, 평균입경이 0.2∼10㎛ 이고, 어스팩트비가 4~10인 제1 질화규소 분말 1∼50중량부와, 평균 입경이 0.2∼4㎛의 α형의 제 2 질화규소 분말 99∼50중량부와, Mg를 MgO로 환산하고, La, Y, Gd 및 Yb로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 1종의 희토류 원소를 희토류 산화물(RExOy)로 환산하고, 상기 MgO와 상기 희토류 원소의 산화물 환산 함유량의 합계가 0.6~7중량%이고, 또한 MgO/RExOy로 표시되는 중량비가 1~70인 소결 조제를 혼합하고, 1,800~1,950℃의 온도 및 5~9기압의 압력의 질소 분위기 중에서 소결함으로써 제조한다.
Mg, La, Y, Gd, Yb, 질화규소 소결체, 희토류원소. MgO, 질화규소, 열전소자, 회로기판, 반도체소자

公开(公告)号：KR100833962B1

公开(公告)日：2008-05-30

申请号：KR1020010058380

申请日：2001-09-20

Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사

Inventor： 이마무라,히사유키 ,  하마요시,시게유키 ,  가와타,츠네히로 ,  소부에,마사히사

IPC: C01B21/068

CPC classification number: H05K1/0306 ,  C01B21/068 ,  C01B21/0687 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/5935 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/0355 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/252 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/31 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 Mg와, La, Y, Gd 및 Yb로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 희토류원소를 함유하고, Mg를 MgO로 환산하고, 희토류원소를 희토류산화물(RE
x O
y )로 환산했을 때, 상기 원소의 산화물 환산 함유량의 합계가 0.6∼7중량%인 질화규소 소결체를 제공한다. 본 발명의 질화규소 소결체는, β분율이 30∼100%이며, 산소함유량이 0.5중량% 이하이고, 평균입경이 0.2∼10㎛이며, 어스팩트비가 10이하인 제1의 질화규소 분말 1∼50중량부와, 평균입경이 0.2∼4㎛의 α형의 제2질화규소 분말 99∼50중량부를 혼합하여, 1,800℃ 이상의 온도 및 5기압 이상 압력의 질소분위기 중에서 소결하는 것에 의해 제조된다.
Mg, La, Y, Gd, Yb, 질화규소 소결체, 희토류원소. MgO, 질화규소, 열전소자, 회로기판, 반도체소자

公开(公告)号：KR1020070103330A

公开(公告)日：2007-10-23

申请号：KR1020070095109

申请日：2007-09-19

Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사

Inventor： 이마무라,히사유키 ,  하마요시,시게유키 ,  가와타,츠네히로 ,  소부에,마사히사

IPC: C01B21/068

CPC classification number: H05K1/0306 ,  C01B21/068 ,  C01B21/0687 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/5935 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/0355 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/252 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/31 ,  H01L2924/00

Abstract: A silicon nitride sintered body, a method for preparing the same, and a silicon nitride substrate are provided to produce a silicon nitride sintered body having excellent mechanical strength and free from anisotropic thermal conductivity. A silicon nitride sintered body comprises Mg, and at least one rare earth element selected from a group consisting of La, Y, Gd and Yb. When Mg is converted to MgO and the rare earth elements are converted to rare earth oxides, the total oxide-converted content of the elements is 0.6-7 wt%. The silicon nitride sintered body has a thermal conductivity of more than 100 W/m.K, and a three-point bending strength of more than 600 MPa at room temperature.

Abstract translation: 提供氮化硅烧结体及其制备方法和氮化硅衬底，以制造具有优异的机械强度并且不具有各向异性热导率的氮化硅烧结体。 氮化硅烧结体包含Mg和至少一种选自La，Y，Gd和Yb的稀土元素。 当Mg转化为MgO并且稀土元素转化为稀土氧化物时，元素的总氧化物转化含量为0.6-7重量％。 氮化硅烧结体的导热系数大于100W / m·K，室温下的三点弯曲强度高于600MPa。

公开(公告)号：KR1020020024534A

公开(公告)日：2002-03-30

申请号：KR1020010058380

申请日：2001-09-20

Applicant: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사

Inventor： 이마무라,히사유키 ,  하마요시,시게유키 ,  가와타,츠네히로 ,  소부에,마사히사

IPC: C01B21/068

CPC classification number: H05K1/0306 ,  C01B21/068 ,  C01B21/0687 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/5935 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/0355 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/252 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/31 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: Provided is a highly thermal conductive-type silicon nitride-based sintered compact having an excellent mechanical strength and the enhanced thermal conductivity more than before without the anisotropy in the direction of thermal conduction. CONSTITUTION: The method for manufacturing a silicon nitride-based power is characterized in that the raw material, which contains oxygen in the range of 0.02-2 wt.% in SiO2 conversion and has a specific surface area of larger than 0.5 m¬2/g, is characteristically heated above 1,800°C in the non-acidic atmosphere of nitrogen or nitrogen/hydrogen.

Abstract translation: 目的：提供一种高导热型氮化硅基烧结体，其具有优异的机械强度和更高的热导率，而不会导致热传导方向上的各向异性。 构成：用于制造氮化硅基电力的方法的特征在于，在SiO 2转化率中含有0.02-2重量％范围内的氧并且比表面积大于0.5m 2 / g在氮气或氮气/氢气的非酸性气氛中特征加热到1800℃以上。