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公开(公告)号：KR101464903B1
公开(公告)日：2014-11-24
申请号：KR1020137007897
申请日：2011-10-12
Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤
IPC: H01L21/301 , H01L23/29 , C09J7/02 , H01L23/31
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J7/403 , C09J2201/122 , C09J2201/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/568 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , Y10T156/1052 , Y10T428/1476 , H01L2924/00
Abstract: 웨이퍼 가공용 테이프 (1) 에서는, 웨이퍼 링 (14) 에 대한 첩부 영역 (P) 에 대응하여, 평면에서 보아 접착제층 (3) 의 중심측을 향하는 반원상 또는 설편상의 절입부 (11) 가 기재 필름 (5) 측으로부터 박리 기재 (2) 에 도달하는 깊이로 형성되어 있다. 절입부 (11) 의 형성에 의해, 웨이퍼 가공용 테이프 (1) 에 박리력이 작용하면, 점착제층 (4) 및 기재 필름 (5) 에 있어서 절입부 (11) 보다 외측의 부분이 먼저 박리되고, 절입부 (11) 보다 내측의 부분은 볼록상을 이룬 상태로 웨이퍼 링 (14) 에 남게 된다. 이로써, 웨이퍼 가공용 테이프 (1) 와 웨이퍼 링 (14) 사이의 박리 강도를 향상시킬 수 있어, 공정 중에 웨이퍼 가공용 테이프 (1) 가 웨이퍼 링 (14) 으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120034116A
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020127002523
申请日：2010-07-09
Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤
CPC classification number: C09J7/0239 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , Y10T156/108 , Y10T156/1082 , Y10T156/1168 , Y10T156/1195 , Y10T428/265 , Y10T428/28 , C09J7/403 , C09J2205/30 , H01L21/52
Abstract: A method for manufacturing an adhesive sheet according to the present invention is a method for manufacturing an adhesive sheet including a long peeling base material 1 and an adhesive layer 2 provided on the peeling base material 1 in the form of an island, the method including a peeling step of, after laminating a long adhesive layer 2 on the peeling base material 1, peeling off an unnecessary portion 6 of the adhesive layer 2 so that a predetermined portion of the adhesive layer is left on the peeling base material 1 in the form of an island, wherein, in the peeling step, the width W of a narrow portion 8, which is the narrowest in width in a short direction of the unnecessary portion 6 of the adhesive layer 2, is adjusted so that the breaking strength in the narrow portion 8 is 200 g or more.
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3.发明授权다이싱·다이 본딩 일체형 필름, 다이싱·다이 본딩 일체형 필름의 제조 방법, 및 반도체 칩의 제조 방법 有权定影/ DIE结合整体膜，定义/ DIE结合整体膜制造方法和半导体芯片制造方法
公开(公告)号：KR101521727B1
公开(公告)日：2015-05-19
申请号：KR1020137003315
申请日：2011-07-13
Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , Y10T156/1062 , Y10T428/21
Abstract: 본발명은, 반도체웨이퍼의다이싱공정에있어서, 접착제층의둘레가장자리부가점착제층으로부터박리되는것을억제하는것을목적으로한다. 본발명의다이싱·다이본딩일체형필름은, 기재필름과, 기재필름상에형성되고, 블레이드다이싱에사용되는웨이퍼링이첩부되는감압형의점착제층과, 점착제층상에형성되고, 블레이드다이싱의대상인반도체웨이퍼가첩부되는중앙부를갖는접착제층을구비하고, 접착제층의평면형상은원형으로되어있고, 접착제층의면적은반도체웨이퍼의면적보다크고또한기재필름및 점착제층각각의면적보다작게되어있고, 접착제층의직경은반도체웨이퍼의직경보다크고또한웨이퍼링의내경보다작게되어있고, 접착제층의직경과반도체웨이퍼의직경의차이가 20 ㎜보다크고 35 ㎜보다작게되어있다.
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公开(公告)号：KR1020130050376A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：KR1020137007897
申请日：2011-10-12
Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤
IPC: H01L21/301 , H01L23/29 , C09J7/02 , H01L23/31
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J7/403 , C09J2201/122 , C09J2201/20 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/568 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , Y10T156/1052 , Y10T428/1476 , H01L2924/00 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/38 , H01L23/293 , H01L2221/68327
Abstract: 웨이퍼 가공용 테이프 (1) 에서는, 웨이퍼 링 (14) 에 대한 첩부 영역 (P) 에 대응하여, 평면에서 보아 접착제층 (3) 의 중심측을 향하는 반원상 또는 설편상의 절입부 (11) 가 기재 필름 (5) 측으로부터 박리 기재 (2) 에 도달하는 깊이로 형성되어 있다. 절입부 (11) 의 형성에 의해, 웨이퍼 가공용 테이프 (1) 에 박리력이 작용하면, 점착제층 (4) 및 기재 필름 (5) 에 있어서 절입부 (11) 보다 외측의 부분이 먼저 박리되고, 절입부 (11) 보다 내측의 부분은 볼록상을 이룬 상태로 웨이퍼 링 (14) 에 남게 된다. 이로써, 웨이퍼 가공용 테이프 (1) 와 웨이퍼 링 (14) 사이의 박리 강도를 향상시킬 수 있어, 공정 중에 웨이퍼 가공용 테이프 (1) 가 웨이퍼 링 (14) 으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101382781B1
公开(公告)日：2014-04-08
申请号：KR1020127002523
申请日：2010-07-09
Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤
CPC classification number: C09J7/0239 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , Y10T156/108 , Y10T156/1082 , Y10T156/1168 , Y10T156/1195 , Y10T428/265 , Y10T428/28
Abstract: 본 발명의 접착 시트의 제조 방법은, 장척의 박리 기재 (1) 와, 그 박리 기재 (1) 상에 섬상으로 배치된 접착제층 (2) 을 구비하는 접착 시트의 제조 방법으로서, 박리 기재 (1) 상에 장척의 접착제층 (2) 을 적층한 후, 그 접착제층 (2) 의 소정 부분이 박리 기재 (1) 상에 섬상으로 남도록, 그 접착제층 (2) 의 불필요 부분 (6) 을 박리하는 박리 공정을 갖고, 박리 공정에 있어서, 접착제층 (2) 의 불필요 부분 (6) 의 단척 방향의 폭이 가장 좁은 협폭부 (8) 에 있어서의 파단 강도가 200 g 이상이 되도록, 협폭부 (8) 의 폭 (W) 을 조정하는 방법이다.
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6.发明公开다이싱·다이 본딩 일체형 필름, 다이싱·다이 본딩 일체형 필름의 제조 방법, 및 반도체 칩의 제조 방법 有权定影/ DIE结合整体膜，定义/ DIE结合整体膜制造方法和半导体芯片制造方法
公开(公告)号：KR1020130051475A
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：KR1020137003315
申请日：2011-07-13
Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , Y10T156/1062 , Y10T428/21
Abstract: A dicing/die bonding integral film of the present invention includes a base film, a pressure-sensitive adhesive layer which is formed on the base film and to which a wafer ring for blade dicing is bonded, and a bonding layer formed on the adhesive layer and having a central portion to which a semiconductor wafer to be diced is bonded, wherein a planar shape of the bonding layer is circular, an area of the bonding layer is greater than an area of the semiconductor wafer and smaller than an area of each of the base film and the adhesive layer, and a diameter of the bonding layer is greater than a diameter of the semiconductor wafer and less than an inner diameter of the wafer ring, and a difference in diameter between the bonding layer and the semiconductor wafer is greater than 20 mm and less than 35 mm,
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