公开(公告)号：KR100535238B1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：KR1020027011948

申请日：2001-03-21

Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤

Inventor： 무라카미야스하루 ,  히다카타카히로

IPC: G03F7/028

CPC classification number: G03F7/031 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/029 ,  G03F7/0295 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/125 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/146

Abstract: 본 발명은, 감광성 수지조성물의 고압 수은등 전파장의 활성광선 조사에 의해, 농도영역 0.00∼2.00, 농도스텝 0.05, 타블렛의 크기 20mm×187mm, 각 스텝의 크기가 3mm×12mm인 41단 스텝 타블렛의, 농도 1.00의 21단이 경화하는 노광량을 E
0 mJ/cm
2 로 하고, 상기 감광성 수지조성물을 40W의 무자외 백색등하에서 2시간 방치한 후의 감광성 수지조성물의, 고압 수은등 전파장의 활성광선 조사에 의해 상기 41단 스텝 타블렛의 21단이 경화하는 노광량을 E
1 mJ/cm
2 로 한 때에 하기식 (1)

을 만족하는 것을 특징으로 하는 레이저 주사노광용 감광성 수지조성물을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020050085930A

公开(公告)日：2005-08-29

申请号：KR1020057012313

申请日：2001-03-21

Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤

Inventor： 무라카미야스하루 ,  히다카타카히로

IPC: G03F7/028 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/031 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/029 ,  G03F7/0295 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/125 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/146

Abstract: A photosensitive resin composition for laser scanning exposure is characterized in that the relation between the exposure E0 mJ/cm2 at which the photosensitive resin composition is cured at the portion corresponding to the 21-th step of density 1.00 of a 41-step step tablet having a density range from 0.00 to 2.00, a density step of 0.05, a tablet size of 20 mm x 187 mm, and a step size of 3 mm x 12 mm by irradiation with full-wavelength active light from a high-pressure mercury-vapor lamp and the exposure E1 mj/cm2 at which the photosensitive resin after left for two hours under irradiation with 40-W nonultraviolet white lamp is cured at the portion corresponding to the 21- th step of the 41-step step tablet by irradiation with full- wavelength active light from a high-pressure mercury-vapor lamp is given by formula (1). -25

Abstract translation: 用于激光扫描曝光的感光性树脂组合物的特征在于，在对应于密度为1.00的密度为1.00的部分的感光性树脂组合物固化的曝光量E0mJ / cm 2之间的关系为具有 密度范围为0.00至2.00，密度梯度为0.05，片剂尺寸为20mm×187mm，步长为3mm×12mm，通过从高压水银蒸气的全波长活性光照射 灯和曝光E1mj / cm2，在40W非紫外线白光照射下放置2小时后的感光性树脂在与41步骤片剂的第21步相当的部分通过照射完全固化 - 来自高压汞蒸气灯的波长活性光由公式（1）给出。 -25 <=（E1-E0）/ E0x 100 <= 25。（1）

公开(公告)号：KR1020030028765A

公开(公告)日：2003-04-10

申请号：KR1020027017789

申请日：2001-09-26

Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤

Inventor： 나토리미치코 ,  히다카타카히로

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/027 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/031 ,  G03F7/091 ,  H05K3/064

Abstract: 도체저항을 낮게 억제한 미세배선이 가능하고, 반도체 패키지 기판회로의 고밀도화에 유용한 레지스트 패턴을 제공하기 위해, 본 발명에 의하면, 막두께가 1∼100㎛이고, 아스펙트비(레지스트 패턴의 막두께에 대한 선폭의 비)가 3.5 이상인 레지스트 패턴이 제공된다.
이 레지스트 패턴에 의하면, 예를 들면, (A) 바인더폴리머, (B1) 분자내에 3개의 에틸렌성 불포화결합을 가지는 광중합성 화합물, (C) 광중합개시제 및 (D) 일반식 (Ⅰ):

(식중, m은 2∼6의 정수이다)
로 표시되는 화합물 또는 일반식 (Ⅱ):

로 표시되는 화합물 중 어느 한쪽 또는 쌍방을 함유하는 감광성 수지조성물을 사용하여 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100598007B1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：KR1020057012313

申请日：2001-03-21

Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤

Inventor： 무라카미야스하루 ,  히다카타카히로

IPC: G03F7/028 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/031 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/029 ,  G03F7/0295 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/125 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/146

Abstract: 본 발명은, 감광성 수지조성물의 고압 수은등 전파장의 활성광선 조사에 의해, 농도영역 0.00∼2.00, 농도스텝 0.05, 타블렛의 크기 20mm×187mm, 각 스텝의 크기가 3mm×12mm인 41단 스텝 타블렛의, 농도 1.00의 21단이 경화하는 노광량을 E
0 mJ/cm
2 로 하고, 상기 감광성 수지조성물을 40W의 무자외 백색등하에서 2시간 방치한 후의 감광성 수지조성물의, 고압 수은등 전파장의 활성광선 조사에 의해 상기 41단 스텝 타블렛의 21단이 경화하는 노광량을 E
1 mJ/cm
2 로 한 때에 하기식 (1)

을 만족하는 것을 특징으로 하는 레이저 주사노광용 감광성 수지조성물을 제공한다.
감광성 수지조성물, 레이저 주사노광

公开(公告)号：KR1020030051414A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020027011948

申请日：2001-03-21

Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤

Inventor： 무라카미야스하루 ,  히다카타카히로

IPC: G03F7/028

CPC classification number: G03F7/031 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/029 ,  G03F7/0295 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/125 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/146

Abstract: 본 발명은, 감광성 수지조성물의 고압 수은등 전파장의 활성광선 조사에 의해, 농도영역 0.00∼2.00, 농도스텝 0.05, 타블렛의 크기 20mm×187mm, 각 스텝의 크기가 3mm×12mm인 41단 스텝 타블렛의, 농도 1.00의 21단이 경화하는 노광량을 E
0 mJ/cm
2 로 하고, 상기 감광성 수지조성물을 40W의 무자외 백색등하에서 2시간 방치한 후의 감광성 수지조성물의, 고압 수은등 전파장의 활성광선 조사에 의해 상기 41단 스텝 타블렛의 21단이 경화하는 노광량을 E
1 mJ/cm
2 로 한 때에 하기식 (1)

을 만족하는 것을 특징으로 하는 레이저 주사노광용 감광성 수지조성물을 제공한다.

公开(公告)号：KR100578988B1

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020020085318

申请日：2002-12-27

Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤

Inventor： 나토리미치코 ,  히다카타카히로

IPC: G03F7/027

Abstract: 고해상도, 고어스펙트비인 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지조성물을 제공하기 위해, (A) 바인더폴리머, (B) 분자내에 적어도 1개의 에틸렌성 불포화결합을 가지는 광중합성 화합물 및 (C) 광중합개시제를 함유하고, 상기 (C)성분으로서 N,N'-테트라알킬-4,4'-디아미노벤조페논을, 상기 (A)성분 및 (B)성분의 총량 100중량부에 대해 0.04∼0.08중량부 포함하는 감광성 수지조성물로 한다.

公开(公告)号：KR100578987B1

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020027017789

申请日：2001-09-26

Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤

Inventor： 나토리미치코 ,  히다카타카히로

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/027 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/031 ,  G03F7/091 ,  H05K3/064

Abstract: A resist pattern having a film thickness of 1 to 100 mum and an aspect ratio (ratio of the line width to the film thickness of the resist pattern) of 3.5 or higher is provided in accordance with the present invention, the resist pattern being useful for increasing the density of a semiconductor package substrate circuit, and use of the resist pattern enabling a low conductor resistance to be maintained in fine wiring. This resist pattern can be produced using, for example, a photosensitive resin composition that includes (A) a binder polymer, (B1) a photopolymerizable compound having three ethylenically unsaturated bonds per molecule, (C) a photopolymerization initiator, and (D) either or both of a compound represented by general formula (I): (in the formula, m is an integer of 2 to 6) or a compound represented by general formula (II).

公开(公告)号：KR1020030028729A

公开(公告)日：2003-04-10

申请号：KR1020020085318

申请日：2002-12-27

Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤

Inventor： 나토리미치코 ,  히다카타카히로

IPC: G03F7/027

Abstract: PURPOSE: Provided are a resist pattern having high resolution and high aspect ratio, a photosensitive resin composition capable of forming the resist pattern and methods for manufacturing a photosensitive element and a resist pattern using the same. CONSTITUTION: A photosensitive resin composition is characterized by comprising (A) a binder polymer, (B) a photopolymerizable compound having three ethylenically unsaturated bonds per molecule, (C) a photopolymerization initiator, and (D) either or both of a compound represented by the general formula(I) (wherein m is an integer of 2 to 6) and the compound represented by the general formula(II).

Abstract translation: 目的：提供具有高分辨率和高纵横比的抗蚀剂图案，能够形成抗蚀剂图案的光敏树脂组合物和用于制造光敏元件的方法和使用其的抗蚀剂图案。 构成：感光性树脂组合物的特征在于，包含（A）粘合剂聚合物，（B）每分子具有3个烯键式不饱和键的光聚合性化合物，（C）光聚合引发剂，（D）以 通式（I）（其中m为2〜6的整数）和通式（II）表示的化合物。