PROCEDE DE METALLISATION DE TROUS D'UN MODULE ELECTRONIQUE PAR DEPOT EN PHASE LIQUIDE

    公开(公告)号:WO2019158585A1

    公开(公告)日:2019-08-22

    申请号:PCT/EP2019/053548

    申请日:2019-02-13

    Applicant: 3D PLUS

    Inventor: VAL, Christian

    Abstract: L'invention concerne un procédé de dépôt en phase liquide de couches métalliques dans des trous (11) d'un module électronique (10) disposé dans une enceinte hermétique (1), à partir d'un liquide (4) chimique à composés métalliques destinés à former une couche métallique. Les trous ont une profondeur P et un diamètre D tels que D>80 µm et P/D > 10, et le procédé comporte au moins un cycle (Cyc) comportant les sous-étapes suivantes : - M1) Mise sous une pression prédéterminée P0 de l'enceinte et remplissage de l'enceinte par le liquide, - M2) Dégazage des trous par mise sous une pression réduite P1 de l'enceinte, avec P1

    PROCEDE DE FABRICATION COLLECTIVE DE MODULES ELECTRONIQUES 3D
    3.
    发明申请
    PROCEDE DE FABRICATION COLLECTIVE DE MODULES ELECTRONIQUES 3D 审中-公开
    3D电子模块集成制造工艺

    公开(公告)号:WO2007071696A1

    公开(公告)日:2007-06-28

    申请号:PCT/EP2006/069948

    申请日:2006-12-19

    Inventor: VAL, Christian

    Abstract: L'invention concerne la fabrication collective de n modules 3D. Elle comprend une étape de fabrication d'un lot de n tranches i sur une même plaque, cette étape étant répétée K fois, puis une étape d'empilement des K plaques, de formation de trous métallisés dans l'épaisseur de l'empilement et destinés à la connexion des tranches entre elles, puis de découpe de l'empilement pour obtenir les n modules 3D. La plaque 10 qui comprend du silicium est recouverte sur une face 11 d'une couche électriquement isolante formant le substrat isolant. Cette face présente des rainures 20 qui délimitent n motifs géométriques, munis d'un composant électronique 1 connecté à des plots de connexion électrique 2' disposés sur ladite face. Après l'empilement, des trous sont percés perpendiculairement aux faces des plaques à l'aplomb des rainures ; la dimension des trous est inférieure à celle des rainures, de manière à ce que le silicium de chaque tranche 10 soit isolé de la paroi du trou par de la résine.

    Abstract translation: 本发明涉及n个3D模块的集体制作。 它包括在同一板上制造一批n个晶片i的步骤,该步骤重复K次,然后是堆叠K板的步骤,形成厚度为叠层的电镀通孔的步骤, 这些孔旨在将切片连接在一起,然后切割堆叠以获得n个3D模块的步骤。 包含硅的板10被覆盖在一个表面11上,其中形成绝缘基板的电绝缘层。 该面具有限定n个几何特征的槽20,其具有连接到放置在所述面上的电连接焊盘2'的电子部件1。 在堆叠操作之后,垂直于板的表面垂直钻孔,与槽一致。 孔的尺寸小于槽的尺寸,使得每个晶片10的硅通过树脂与孔的壁隔离。

    PROCEDE DE FABRICATION COLLECTIVE DE MODULES ELECTRONIQUES 3D
    8.
    发明申请
    PROCEDE DE FABRICATION COLLECTIVE DE MODULES ELECTRONIQUES 3D 审中-公开
    三维电子模块的集体制造方法

    公开(公告)号:WO2008022901A2

    公开(公告)日:2008-02-28

    申请号:PCT/EP2007/058090

    申请日:2007-08-03

    Inventor: VAL, Christian

    Abstract: L'invention concerne Ia fabrication collective de n modules 3D. Elle comprend une étape de fabrication d'un lot de n tranches i sur une même plaque, d'épaisseur es comprenant du silicium, recouverte sur une face de plots de test (20) puis d'une couche isolante (4) d'épaisseur e, formant le substrat isolant et munie d'au moins un composant électronique (11 ) connecté aux plots de test (20) à travers ladite couche isolante, les composants étant séparés les uns des autres par des premières rainures (30) d'une largeur L1, les plots de connexion des composants (2) étant connectés à des pistes (3) qui affleurent au niveau des rainures (30), B1) une étape de dépôt d'un support adhésif (40) sur la face côté composants, C1 ) une étape de retrait de la plaque de silicium (10) de manière à faire apparaître les plots de test (20), D1 ) une étape de test électrique des composants de la plaque par les plots de test (20), et de marquage des composants valides (11 '), E1 ) une étape de report sur un film adhésif (41) des tranches (50) comportant chacune un composant valide (11 '), les tranches étant séparées par des deuxièmes rainures (31) au niveau desquelles affleurent les pistes de connexion (3) des composants valides (11 '). Cette étape répétée K fois, est suivie d'une étape d'empilement des K plaques, de formation de trous métallisés dans l'épaisseur de l'empilement et destinés à la connexion des tranches entre elles, puis de découpe de l'empilement pour obtenir les n modules 3D.

    Abstract translation: 本发明涉及n个3D模块的集体制造。 它包括在同一平板上制造一批n片硅片的步骤,其中硅片的厚度在一侧覆盖有测试垫(20),然后用绝缘层覆盖。 (4)厚度为e,形成绝缘基板并具有至少一个与其连接的电子元件(11); 在测试垫(20)处> 通过所述绝缘层通过宽度为L1的第一凹槽(30)将所述部件彼此分开,所述部件(2)的连接垫彼此连接。 ; 与槽(30)平齐的轨道(3),B1),在面向槽(B1)的顶部的一侧上的支撑台阶(40)。 部件,C1)以如下方式去除硅晶片(10)的步骤 示出测试垫(20),D1)由测试垫(20)对板的组件进行电测试步骤,并对有效组件(11'),E1)进行标记, 在每个包括有效部件(11')的切片(50)的粘合剂膜(41)上的转移步骤,切片由在 其中有效部件(11')的连接轨道(3)与之齐平。 该步骤重复K次,随后是K板的堆叠步骤,形成堆叠在堆叠厚度中且指定的孔 sà 将切片连接在一起,然后切割堆叠以获得n个3D模块。

    PROCEDE D'INTERCONNEXION CHIP ON CHIP MINIATURISEE D'UN MODULE ELECTRONIQUE 3D
    10.
    发明申请
    PROCEDE D'INTERCONNEXION CHIP ON CHIP MINIATURISEE D'UN MODULE ELECTRONIQUE 3D 审中-公开
    互连工艺芯片CHIP微型3D电子模块

    公开(公告)号:WO2017140661A1

    公开(公告)日:2017-08-24

    申请号:PCT/EP2017/053256

    申请日:2017-02-14

    Applicant: 3D PLUS

    Inventor: VAL, Christian

    Abstract: L'invention concerne un Module électronique 3D comportant selon une direction dite verticale un empilement (4) de tranches électroniques (16), chaque tranche comportant au moins une puce (1) munie de plots d'interconnexion (10), cet empilement étant assemblé à un circuit d'interconnexion (2) du module muni de billes de connexion, les plots (10) de chaque puce étant connectés par des fils de câblage électrique (15) à des bus verticaux (41) eux-mêmes électriquement reliés au circuit (2) d'interconnexion du module, un fil de câblage et le bus vertical auquel il est relié formant un conducteur électrique entre un plot d'une puce et le circuit d'interconnexion, caractérisé en ce que chaque fil de câblage électrique (15) est relié à son bus vertical (41) en formant dans un plan vertical un angle (α2) oblique et en ce que la longueur du fil de câblage entre un plot d'une puce d'une tranche et le bus vertical correspondant est différente de la longueur du fil de câblage entre un même plot d'une puce d'une autre tranche et le bus vertical correspondant, et obtenue par un câblage non rectiligne du fil de câblage pour compenser la différence de longueur verticale du bus vertical d'une tranche à l'autre, de manière à ce que le conducteur électrique entre le plot d'une puce d'une tranche et le circuit d'interconnexion, et le conducteur électrique entre ledit même plot d'une puce de l'autre tranche et le circuit d'interconnexion, aient la même longueur.

    Abstract translation:

    具有在垂直方向上的模块é电子3D称为堆栈(4)的槽DE电子(16),(1)设置有具有至少一个芯片的每个晶片 互连焊盘(10),这堆é作为组装Dé À 互连电路(2)设置有连接球的模块,每个芯片的由儿子C&ACIRC螺柱(10)é作为连接(E S);布线é电(15)à 垂直总线(41)的自Mê我Dé电连接(E S)电路(2)模块互连,一个C&ACIRC丝;布线和垂直总线到其所连接Dé 形成芯片的焊盘和互连电路之间的导电电子电器,其特征在于ééRIS; 在每个金属线cÂ布线é电(15)连接Dé À 其竖直总线(41)通过在垂直平面内倾斜地形成角度(α2),并在C&ACIRC的是,导线的长度;在晶片的芯片的焊垫与对应的垂直总线之间的布线是DIFFé年金 C&ACIRC的电线长度;布线M&ecirc之间;垫我另一个晶片的芯片和相应的垂直总线,并通过C&ACIRC获得;金属线c&ACIRC的非直线布线;布线以补偿该差异é ENCE与切片&agrave垂直总线的垂直长度; 可以这么说,另一方面; 什么晶片和互连电路的芯片的垫之间的驱动器电子电器,并且驱动器é m之间与电力所述ecirc;根根我一个芯片到另一个晶片和电路 互连,有Mê我长度

Patent Agency Ranking