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    TURN-OFF HIGH-PERFORMANCE SEMICONDUCTOR DEVICE
    1.
    发明专利
    TURN-OFF HIGH-PERFORMANCE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开

    公开(公告)号：JP2003124455A

    公开(公告)日：2003-04-25

    申请号：JP2002280436

    申请日：2002-09-26

    Applicant: ABB SCHWEIZ AG

    Inventor： CARROLL ERIC ,  APELDOORN OSCAR ,  STREIT PETER ,  WEBER ANDRE

    IPC: H01L29/74 ,  H01L23/48 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/744

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a turn-off high-performance semiconductor device which reduces loss optimally and where delay time does not increase or increases very slightly. SOLUTION: A turn-off electric power semiconductor device has an internal p-n-p-n type layer structure of a gate rectification thyristor and first gate at the side of a cathode. The device has second gate at the side of an anode, which contacts with an n-doped base layer, and has second gate contact point. A lead of the second gate which is concentrically arranged around an anode contact point in a rotational symmetry design contacts with the second gate contact point. The lead of the second gate is drawn out of parts and is electrically insulated from the anode contact point.

    METHOD FOR DRIVING POWER SEMICONDUCTOR
    3.
    发明专利
    METHOD FOR DRIVING POWER SEMICONDUCTOR 审中-公开

    公开(公告)号：JP2003179222A

    公开(公告)日：2003-06-27

    申请号：JP2002282332

    申请日：2002-09-27

    Applicant: ABB SCHWEIZ AG

    Inventor： APELDOORN OSCAR ,  CARROLL ERIC ,  STREIT PETER ,  WEBER ANDRE

    IPC: H01L29/744 ,  H01L29/74 ,  H02M1/08 ,  H03K17/04 ,  H03K17/0812 ,  H03K17/10

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To enable the optimum operation of an IGDT by being adapted to the characteristics of the IGDT. SOLUTION: An integrated gate dual transistor (IGDT) is equipped with controllable gates (G1 and G2), a first gate (G1) that is supplied to a cathode side and at the same time is driven by a first gate current via a first gate terminal having low inductance, and a second gate (G2) that is supplied to an anode side and at the same time is driven by a second gate current via a second gate terminal with low inductance. In the switch-off operation of the IGDT, the rate of rising in the voltage of the IGDT is restricted via the two gates. The restriction of the rate of rising in the voltage of the IGDT prevents the voltage from being increased at a different speed in the series circuit of the IGDT, thus preventing the overheat and breakdown of each IGDT due to a nonuniform load. COPYRIGHT: (C)2003,JPO

    Convertidor para una estación de carga de baterías
    7.
    发明专利
    Convertidor para una estación de carga de baterías 未知

    公开(公告)号：ES2657058T3

    公开(公告)日：2018-03-01

    申请号：ES13700778

    申请日：2013-01-22

    Applicant: ABB SCHWEIZ AG

    Inventor： AGGELER DANIEL ,  CANALES FRANCISCO ,  PAPAFOTIOU GEORGIOS ,  LI TIN HO ,  APELDOORN OSCAR

    IPC: H02J7/02 ,  H02J1/10

    Abstract: Convertidor modular (12) para una estación de carga de baterías (10), en el que el convertidor modular (12) comprende por lo menos dos módulos de carga (30a, 30b, 30c) conectados en paralelo, cada uno de los módulos de carga (30a, 30b, 30c) adaptado para generar una corriente de salida (I1, I2, I3) para cargar una batería (20); en el que cada módulo de carga (30a, 30b, 30c) comprende un controlador local (32a, 32b, 32c) para controlar el módulo de carga (30a, 30b, 30c); en el que cada controlador local (32a, 32b, 32c) está adaptado para recibir un valor de tensión de carga medido en una línea de salida (16) del convertidor modular (12); en el que cada controlador local (32a, 32b, 32c) está adaptado para determinar una corriente de carga global (I) a partir del valor de tensión de carga, con lo que la corriente de carga global (I) es la suma de las corrientes de salida (I1, I2, I3) de los módulos de carga (30a, 30b, 30c) y cada controlador local (32a, 32b, 32c) de un módulo de carga (30a, 30b, 30c) está adaptado para determinar la corriente de salida (I1, I2, I3) del módulo de carga (30a, 30b, 30c) a partir de la corriente de carga global (I), con lo que cada controlador local (32a, 32b, 32c) está adaptado para recibir una información de la tensión y/o la corriente de la batería (20) y cada controlador local (32a, 32b, 32c) está adaptado para determinar la corriente de salida (I1, I2, I3) a partir de la información de la tensión y/o la corriente de la batería (20).

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