公开(公告)号：EP3285290B1

公开(公告)日：2019-03-06

申请号：EP16184202.6

申请日：2016-08-15

Applicant: ABB Schweiz AG

Inventor： Papadopoulos, Charalampos ,  Rahimo, Munaf

IPC: H01L23/31 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868 ,  H01L21/329

公开(公告)号：EP3285290A1

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：EP16184202.6

申请日：2016-08-15

Applicant: ABB Schweiz AG

Inventor： Papadopoulos, Charalampos ,  Rahimo, Munaf

IPC: H01L23/31 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: A power semiconductor device is provided comprising a wafer, wherein a passivation layer structure is formed at least on a portion of a surface of the wafer and the passivation layer structure comprises in an order from the surface of the wafer in a direction away from the wafer a semi-insulating layer (13), a silicon nitride layer, an undoped silicate glass layer (16) and an organic dielectric layer (17). The silicon nitride layer has a layer thickness of at least 0.5 µm. The organic dielectric layer (17) is attached to the undoped silicate glass layer (16) and the undoped silicate glass layer (16) is attached to the silicon nitride layer.

Abstract translation: 提供了一种包括晶片的功率半导体器件，其中至少在所述晶片的一部分表面上形成钝化层结构，并且所述钝化层结构从所述晶片的表面沿远离所述晶片的方向 半绝缘层（13），氮化硅层，未掺杂的硅酸盐玻璃层（16）和有机介电层（17）。 氮化硅层具有至少0.5μm的层厚度。 有机介电层（17）附着到未掺杂的硅酸盐玻璃层（16），未掺杂的硅酸盐玻璃层（16）附着到氮化硅层。