公开(公告)号：EP3007220A1

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：EP14188427.0

申请日：2014-10-10

Applicant: ABB Technology AG

Inventor： Mohn, Fabian ,  Liu, Chunlei ,  Commin, Paul

IPC: H01L23/051 ,  H01L23/16

CPC classification number: H01L23/051 ,  H01L23/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention relates to a power semiconductor device (10), comprising a power semiconductor element (12) with an upper side (14) and with a lower side (16), the upper side (14) being located opposite to the lower side (16); a first electrode (18) and a second electrode (20), wherein the power semiconductor element (12) is arranged between the first electrode (18) and the second electrode (20) such, that the upper side (14) is in electrical contact to the first electrode (18), and that the lower side (16) is in electrical contact to the second electrode (20), and wherein a housing arrangement (26) is provided at least comprising the first electrode (18), the second electrode (20) and an electrical insulator (28), wherein at least one safety element (34) comprising a porous material is provided inside the housing arrangement (26). A power semiconductor device (10) according to the present invention may provide an improved capability against a rupture of the housing arrangement (26).

Abstract translation: 本发明涉及一种功率半导体器件（10），其包括具有上侧（14）和下侧（16）的功率半导体元件（12），所述上侧面（14）与所述下侧 （16）; 第一电极（18）和第二电极（20），其中所述功率半导体元件（12）布置在所述第一电极（18）和所述第二电极（20）之间，使得所述上侧（14）处于电气 接触到第一电极（18），并且下侧（16）与第二电极（20）电接触，并且其中提供至少包括第一电极（18）的壳体装置（26） 第二电极（20）和电绝缘体（28），其中至少一个包括多孔材料的安全元件（34）设置在所述壳体装置（26）的内部。 根据本发明的功率半导体器件（10）可以提供抵抗壳体装置（26）破裂的改进的能力。