公开(公告)号：WO1985002955A1

公开(公告)日：1985-07-04

申请号：PCT/US1984001711

申请日：1984-10-22

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

Inventor： ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  ALLEN, Michael

IPC: H03K19/086

CPC classification number: H03K19/0136

Abstract: An output voltage driver apparatus for an ECL circuit driving a capacitive load (CL) which comprises an emitter follower means (117) having an output emitter (118) and a reference emitter (120). The output emitter is connected to the capacitive load. A pull-down transistor means (123) is connected to the output emitter and provides a transient pull-down current for a capacitive load when the output voltage swings from a high level to a low level. A biasing means (125) is connected between the reference emitter of the emitter follower means and the pull-down transistor means so that the pull-down transistor means is biased to turn on when the voltage at the output emitter is higher than the voltage at the reference emitter by a turn-on voltage. Because the capacitive load will hold the voltage of the output emitter higher than that of the reference emitter until the capacitance of the load is discharged, the pull-down transistor means provides a transient pull-down current which speeds up the switching time of the emitter couple logic circuit.

公开(公告)号：WO1985002507A1

公开(公告)日：1985-06-06

申请号：PCT/US1984001873

申请日：1984-11-16

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

Inventor： ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  ALLEN, Michael ,  YANG, Tsen-Shau

IPC: H03K19/092

CPC classification number: H03K19/00376 ,  H03K19/01812

Abstract: A temperature compensated differential level shift circuit (Fig. 2). An ECL type buffered differential circuit employs a source of threshold voltage, VT (Fig. 3), which matches the temperature-dependent characteristic of the input section of the level shift circuit. In a preferred embodiment, s Schottky diode (52) is provided in the output section of a bandgap reference voltage generator (Fig. 3) which matches the temperature dependence of a Schottky diode (30) in the input section of the level shift circuit (Fig. 2). As temperature shifts, the threshold voltage will shift in a manner that tracks the temperature-produced shift in the input voltage as it passes through the Schottky diode in the input section of the level shift circuit. Matched PNP or NPN transistors (70, 72 and 71, 73 ) may also be used in the input section of the level shift circuit (Figs. 6A, 7A) and in the output section of the bandgap reference voltage generator (Figs. 6B, 7B).

公开(公告)号：EP0167542A1

公开(公告)日：1986-01-15

申请号：EP84904043.0

申请日：1984-10-22

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

Inventor： ALLEN, Michael

IPC: H03K19

CPC classification number: H03K19/0136

Abstract: Un appareil de commande de la tension de sortie pour un circuit ECL (logique couplée par l'émetteur) commandant une charge capacitive (CL) comprend des moyens de suivi de l'émetteur (117) ayant un émetteur de sortie (118) et un émetteur de référence (120). L'émetteur de sortie est connecté à la charge capacitive. Un transistor de rabaissement (123) est connecté à l'émetteur de sortie et fournit un courant de rabaissement transitoire pour une charge capacitive lorsque la tension de sortie oscille entre un niveau supérieur et un niveau inférieur. Des moyens de polarisation (125) sont connectés entre l'émetteur de référence des moyens de suivi de l'émetteur et le transistor de rabaissement de sorte que ce dernier est polarisé pour être mis sous tension lorsque la tension au niveau de l'émetteur de sortie est supérieure à la tension au niveau de l'émetteur de référence par une tension de mise en fonction. Etant donné que la charge capacitive maintient la tension de l'émetteur de sortie à un niveau supérieur à celle de l'émetteur de référence jusqu'à ce que la capacitance de la charge soit déchargée, le transistor de rabaissement fournit un courant de rabaissement transitoire qui accélère le temps de commutation du circuit logique couplé sur l'émetteur.

Abstract translation: 用于控制容性负载（CL）的ECL（耦合到发射器的逻辑）的输出电压控制装置包括具有输出发射器（118）的发射器（117）的跟踪装置和 参考发射机（120）。 输出变送器连接到容性负载。 当输出电压在较高电平和较低电平之间振荡时，降压晶体管（123）连接到输出发送器并为电容负载提供瞬态下降电流。 极化装置（125）连接在发射极跟踪装置的参考发射器与降压晶体管之间，使得偏压装置在发射极发射极处的电压 输出大于参考发射器的电压，由开启电压决定。 由于容性负载将输出发送器的电压维持在比参考发送器的电压高的电平，直到负载的电容放电，降压晶体管提供瞬时下降电流。 这加速了耦合到发射机的逻辑电路的切换时间。

公开(公告)号：EP0165263A1

公开(公告)日：1985-12-27

申请号：EP84904307.0

申请日：1984-11-16

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

Inventor： ALLEN, Michael ,  YANG, Tsen-Shau

IPC: H03K19

CPC classification number: H03K19/00376 ,  H03K19/01812

Abstract: Circuit à décalage de niveau différentiel compensé en température (fig.2). Un circuit différentiel tamponné du type ECL utilise une source de tension de seuil VT (fig. 3) s'adaptant à la caractéristique dépendant de la température de la section d'entrée du circuit à décalage de niveau. Dans un mode préféré de réalisation, une diode Schottky (52) est utilisée dans la section de sortie d'un générateur de tension de référence à écartement de bande (fig. 3) qui adapte la caractéristique de dépendance de la température d'une diode Schottky (30) dans la section d'entrée du circuit à décalage de niveau (fig. 2). A mesure que la température se décale, la tension de seuil se décale de manière à suivre le décalage produit par la température dans la tension d'entrée lorsqu'elle traverse la diode Schottky dans la section d'entrée du circuit à décalage de niveau. Des transistors PNP ou NPN adaptés (70, 72 et 71, 73) peuvent également être utilisés dans la section d'entrée du circuit à décalage de niveau (fig. 6A, 7A) et dans la section de sortie du générateur de tension de référence à écartement de bande (fig. 6B, 7B).