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公开(公告)号:CN108885137A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780008612.7
申请日:2017-01-24
Applicant: AMS传感器英国有限公司
CPC classification number: G01J3/42 , G01J3/2803 , G01J5/024 , G01J5/0853 , G01J5/12 , G01J5/20 , G01J2005/123 , G01J2005/202 , H01L23/34 , H01L27/1446 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14649 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L27/16 , H01L31/02002 , H01L31/0203 , H01L31/0216 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/16 , H01L31/1804 , H01L37/025
Abstract: 我们公开了一种红外(IR)检测器阵列,包括在包含蚀刻部分的半导体基底上形成的至少一个介电膜(2,3);至少两个IR检测器(4,5),以及在所述介电膜的一个或所有两个侧面的内部或是其上形成的至少一个图案化层(7),用于控制所述IR检测器中的至少一个的IR吸收。所述图案化层包括横向间隔结构。
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公开(公告)号:CN109564159B
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN201780033376.4
申请日:2017-05-25
Applicant: AMS传感器英国有限公司
Abstract: 我们公开了一种用于检测流体的化学传感装置。该传感装置包含:包括至少一个蚀刻部分的至少一个基底区域(1);形成在所述至少一个基底区域上的介电区域(3),所述介电区域包括与所述至少一个蚀刻部分相邻的至少一个介电膜区域(3);用于发射红外(IR)信号的光源(2);用于检测从所述光源发出的IR信号的光学检测器(4);形成在所述介电区域之上或之下的一个或多个另外的基底(6),所述一个或多个另外的基底限定用于IR信号从所述光源传播到所述光学检测器的光路。所述光源和所述光学检测器中(56)对比文件Jung Min Son et al.TemperatureDistribution Measurement of Au Micro-Heater in Microfluidic Channel using IRMicroscope《.NTERNATIONAL JOURNAL OFPRECISION ENGINEERING AND MANUFACTURING》.2015,第367-372页.
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公开(公告)号:CN108603791B
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN201780008832.X
申请日:2017-01-24
Applicant: AMS传感器英国有限公司
Abstract: 我们在这里公开了一种热IR检测器阵列设备,该设备包括由基底支撑的介电膜(2),所述膜具有包括IR检测器(4、5)的阵列,其中该阵列大小是至少是3x3或更大,并且在所述膜层内部嵌入了轨迹(3),以分离所述阵列的每一个像素,所述轨迹还充当了散热器和/或冷接点区域。
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公开(公告)号:CN112041647A
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN201980028966.7
申请日:2019-02-26
Applicant: AMS传感器英国有限公司
Abstract: 我们在此公开了一种红外(IR)检测器,该红外(IR)检测器包括衬底,包括至少一个蚀刻部分和衬底部分;电介质层,被设置在所述衬底上。电介质层包括至少一个电介质膜,其与所述衬底的所述蚀刻部分相邻。该检测器还包括第一感测区域和第二感测区域以及多个热电偶,第一感测区域和第二感测区域中的每一者位于电介质膜中。至少一个热电偶包括第一和第二热接点。第一热接点位于第一感测区域中或第一感测区域上,并且第二热接点位于第二感测区域中或第二感测区域上。
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公开(公告)号:CN109564159A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201780033376.4
申请日:2017-05-25
Applicant: AMS传感器英国有限公司
IPC: G01N21/3504 , G01N33/00 , G01N21/03 , G01J5/08
Abstract: 我们公开了一种用于检测流体的化学传感装置。该传感装置包含:包括至少一个蚀刻部分的至少一个基底区域(1);形成在所述至少一个基底区域上的介电区域(3),所述介电区域包括与所述至少一个蚀刻部分相邻的至少一个介电膜区域(3);用于发射红外(IR)信号的光源(2);用于检测从所述光源发出的IR信号的光学检测器(4);形成在所述介电区域之上或之下的一个或多个另外的基底(6),所述一个或多个另外的基底限定用于IR信号从所述光源传播到所述光学检测器的光路。所述光源和所述光学检测器中的至少一个形成在所述介电膜区域之中或之上。
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公开(公告)号:CN108603791A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201780008832.X
申请日:2017-01-24
Applicant: AMS传感器英国有限公司
CPC classification number: H01L27/14669 , G01J5/024 , G01J5/12 , G01J5/20 , G01J2005/123 , G01J2005/202 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14649 , H01L27/14683 , H01L27/16 , H01L31/024 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L31/103 , H01L31/112 , H01L31/12 , H01L37/025
Abstract: 我们在这里公开了一种热IR检测器阵列设备,该设备包括由基底支撑的介电膜(2),所述膜具有包括IR检测器(4、5)的阵列,其中该阵列大小是至少是3x3或更大,并且在所述膜层内部嵌入了轨迹(3),以分离所述阵列的每一个像素,所述轨迹还充当了散热器和/或冷接点区域。
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