公开(公告)号：DE112014003894T5

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE112014003894

申请日：2014-08-11

Applicant: APPLE INC

Inventor： HUNG MING-CHIN ,  CHANG TING-KUO ,  JAMSHIDI ROUDBARI ABBAS ,  KIM KYUNG-WOOK ,  CHOI JAE WON ,  CHANG SHIH CHANG ,  YU CHENG-HO ,  LIN SHANG-CHIH ,  HUANG CHUN-YAO ,  LEE SZU-HSIEN ,  CHEN YU-CHENG ,  OSAWA HIROSHI ,  PARK YOUNG BAE ,  GUPTA VASUDHA ,  LIN CHIN-WEI ,  TSAI TSUNG-TING

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

Abstract: Eine elektronische Einrichtung kann ein Display mit einen Array aus Display-Pixeln auf einem Substrat einschließen. Die Display-Pixel können organische Leuchtdiodenanzeigepixel oder Display-Pixel in einem Flüssigkristalldisplay sein. In einem Display mit organischen Leuchtdioden (OLED) können hybride Dünnfilmtransistor-Strukturen ausgebildet sein, die Halbleiteroxid-Dünnfilmtransistoren, Silizium-Dünnfilmtransistoren und Kondensatorstrukturen einschließen. Die Kondensatorstrukturen können die Halbleiteroxid-Dünnfilmtransistoren überlappen. OLED-Display-Pixel können Kombinationen aus Oxid- und Silicium-Transistoren aufweisen. In einem Flüssigkristalldisplay kann eine Anzeigetreiberschaltung Silicium-Dünnfilmtransistor-Schaltung einschließen, und Display-Pixel können auf Oxid-Dünnfilmtransistoren basieren. Eine einzelne Schicht oder zwei unterschiedliche Gate-Metallschichten können bei der Bildung von Siliciumtransistor-Gates und Oxidtransistor-Gates verwendet werden. Ein Siliciumtransistor kann ein Gate aufweisen, das eine Floating-Gate-Struktur überlappt.