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公开(公告)号:KR20180031819A
公开(公告)日:2018-03-28
申请号:KR20187007907
申请日:2014-09-30
Applicant: APPLE INC
Inventor: YAO WEIJUN , YAO WEI HSIN , LI YINGXUAN , YANG BINGRUI , YOUSEFPOR MARDUKE , JAMSHIDI ROUDBARI ABBAS , AL DAHLE AHMAD
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/044 , H01L27/323 , H01L27/3248 , H01L27/3265
Abstract: 터치및 디스플레이기능둘 다의일부분이공통층에통합되도록구성된, 자기-정전용량성터치센서패널이제공된다. 터치센서패널은터치회로및 디스플레이회로둘 다로서전환가능하게동작할수 있는회로요소들을갖는층을포함하여서, 디바이스의터치모드동안에는회로요소들이터치회로로서동작하고디바이스의디스플레이모드동안에는회로요소들이디스플레이회로로서동작하게된다. 터치모드및 디스플레이모드는시간다중화될수 있다. 터치하드웨어와디스플레이하드웨어를공통층들에통합함으로써, 디바이스의전력, 중량및 두께의절감을실현할수 있다.
Abstract translation: 提供了被配置为具有集成到公共层中的触摸和显示功能的一部分的自容式触摸传感器面板。 触摸传感器面板包括具有电路元件的层,所述电路元件可以可切换地操作为触摸电路和显示电路,使得在设备的触摸模式期间电路元件作为触摸电路操作,并且在设备的显示模式期间电路元件作为 显示电路。 触摸模式和显示模式可以是时分复用的。 通过将触摸硬件和显示硬件集成到公共层中,可以实现设备的功率,重量和厚度的节省。
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公开(公告)号:DE112014003894T5
公开(公告)日:2016-06-09
申请号:DE112014003894
申请日:2014-08-11
Applicant: APPLE INC
Inventor: HUNG MING-CHIN , CHANG TING-KUO , JAMSHIDI ROUDBARI ABBAS , KIM KYUNG-WOOK , CHOI JAE WON , CHANG SHIH CHANG , YU CHENG-HO , LIN SHANG-CHIH , HUANG CHUN-YAO , LEE SZU-HSIEN , CHEN YU-CHENG , OSAWA HIROSHI , PARK YOUNG BAE , GUPTA VASUDHA , LIN CHIN-WEI , TSAI TSUNG-TING
IPC: G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L27/32 , H01L29/786
Abstract: Eine elektronische Einrichtung kann ein Display mit einen Array aus Display-Pixeln auf einem Substrat einschließen. Die Display-Pixel können organische Leuchtdiodenanzeigepixel oder Display-Pixel in einem Flüssigkristalldisplay sein. In einem Display mit organischen Leuchtdioden (OLED) können hybride Dünnfilmtransistor-Strukturen ausgebildet sein, die Halbleiteroxid-Dünnfilmtransistoren, Silizium-Dünnfilmtransistoren und Kondensatorstrukturen einschließen. Die Kondensatorstrukturen können die Halbleiteroxid-Dünnfilmtransistoren überlappen. OLED-Display-Pixel können Kombinationen aus Oxid- und Silicium-Transistoren aufweisen. In einem Flüssigkristalldisplay kann eine Anzeigetreiberschaltung Silicium-Dünnfilmtransistor-Schaltung einschließen, und Display-Pixel können auf Oxid-Dünnfilmtransistoren basieren. Eine einzelne Schicht oder zwei unterschiedliche Gate-Metallschichten können bei der Bildung von Siliciumtransistor-Gates und Oxidtransistor-Gates verwendet werden. Ein Siliciumtransistor kann ein Gate aufweisen, das eine Floating-Gate-Struktur überlappt.
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公开(公告)号:DE102019207825A1
公开(公告)日:2019-12-24
申请号:DE102019207825
申请日:2019-05-28
Applicant: APPLE INC
Inventor: MOY TIFFANY , CHE YUCHI , JANG SEONPIL , RIEUTORT-LOUIS WARREN , VISWESWARAN BHADRINARAYANA LALGUDI , CHOI JAE WON , JAMSHIDI ROUDBARI ABBAS , RYU MYUNG-KWAN , YAMAGATA HIROKAZU , OTSU KEISUKE
Abstract: Eine organische Leuchtdiodenanzeige kann abgerundete Ecken aufweisen. Ein negativer Stromversorgungspfad aus Metall kann verwendet werden, um eine negative Spannung an eine Kathodenschicht zu verteilen, während ein positiver Stromversorgungspfad verwendet werden kann, um eine positive Versorgungsspannung an jedes Pixel in der Anzeige zu liefern. Der positive Stromversorgungspfad kann eine Aussparung aufweisen, die durch den negativen Versorgungsspannungspfad belegt wird, um den Widerstand des negativen Versorgungsspannungspfades in einer abgerundeten Ecke der Anzeige zu verringern. Um Reflexionen abzumildern, die dadurch verursacht werden, dass der positive Stromversorgungspfad über eng beabstandeten Datenleitungen ausgebildet wird, kann der positive Stromversorgungspfad in einer abgerundeten Ecke der Anzeige weggelassen werden, eine Abschirmschicht kann über dem positiven Stromversorgungspfad in der abgerundeten Ecke gebildet werden oder es können nichtlineare Gate-Leitungen über dem positiven Stromversorgungspfad gebildet werden.
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公开(公告)号:DE102019207915A1
公开(公告)日:2019-12-05
申请号:DE102019207915
申请日:2019-05-29
Applicant: APPLE INC
Inventor: QIAN CHUANG , TSAI TSUNG-TING , HSIEH CHENG-CHIH , YANG SHYUAN , CHANG TING-KUO , JAMSHIDI ROUDBARI ABBAS , CHANG SHIH-CHANG
Abstract: Ein Display kann ein Array von organischen Leuchtdioden-Display-Pixeln aufweisen, die mit einer niedrigen Bildwiederholrate arbeiten. Jedes Display-Pixel kann einen Treibertransistor aufweisen, der mit einem oder mehreren Emissionstransistoren und einer jeweiligen organischen Leuchtdiode (OLED) in Reihe gekoppelt ist. Ein Oxidhalbleiter-Transistor kann zwischen einen Drain-Anschluss und einen Gate-Anschluss des Treibertransistors gekoppelt sein, um dazu beizutragen, Leckage während Display-Operationen mit niedriger Bildwiederholrate zu reduzieren. Ein Siliziumtransistor kann ferner zwischen dem Oxidhalbleiter-Transistor und dem Gate-Anschluss des Treibertransistors zwischengeschaltet sein. Eine oder mehrere Kondensatorstrukturen können mit dem Source-Anschluss und/oder dem Drain-Anschluss des Oxidhalbleiter-Transistors gekoppelt sein, um den Ausgleichsstrom zu reduzieren, der durch den Oxidhalbleiter-Transistor fließen könnte, wenn er abgeschaltet wird. Bei einer derartigen Konfiguration wird jeder Emissionsstrom, der durch die OLED fließt, unempfindlich gegenüber einer möglichen Drift in der Schwellenspannung des Halbleiteroxid-Transistors sein.
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