System und Verfahren zum Laserschneiden von Saphir unter Verwendung mehrerer Gasmedien

    公开(公告)号:DE112015000587T5

    公开(公告)日:2016-11-03

    申请号:DE112015000587

    申请日:2015-01-28

    Applicant: APPLE INC

    Abstract: Ein System und ein Verfahren zum Herstellen eines Saphirteils. Ein Saphirsubstrat 300 wird zum Durchführen einer Laserschneidoperation erhalten. Das Saphirsubstrat wird unter Verwendung eines Lasers 402 und eines ersten Gasmediums, das durch eine Gaszufuhrvorrichtung 404 zugeführt wird, entlang eines Schnittprofils 302 geschnitten. Das erste Gasmedium ist im Wesentlichen aus einem Inertgas zusammengesetzt. Das Saphirsubstrat wird dann an oder nahe dem Schnittprofil unter Verwendung eines Lasers und eines zweiten Gasmediums bestrahlt. Das zweite Gasmedium unterscheidet sich von dem ersten Gasmedium, das Sauerstoff umfasst.

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